对格上Erceg式p．q．（p．）度量的注记

本文的主要结果是大幅度地简化了Ｅｒｃｅｇ引入的不分明度量的无点化定义，建立了相应的点式刻画．     

关于格点覆盖的一个注记

对于一个给定椭球,本文给出了它的任一全等椭球都包含一个整点的一个充分必要条件.     

可加广义代数格上的 Tietze 扩张定理

可加的广义代数格范畴与 T₀ 拓扑空间范畴相等价, 从这个观点出发, 作者把可加广义代数格作为一个闭集格, 在其上建立 Urysohn 引理和 Tietze 扩张定理. 这是拓扑理论在格上的一种新推广, 有助于格上拓扑理论的研究和广义连续格理论的应用.     

一种新的概念格增量维护算法

形式概念分析在数据分析以及机器学习领域得到了广泛的应用,作为核心数据结构的概念格的构造算法一直是形式概念分析领域的研究热点.根据概念外延的补集性质,给出并证明了概念的生成定理和超概念的生成定理,并以此为基础提出了一种新的概念格的增量维护算法,包括概念的生成和序关系建立算法,并给出了一个应用示例.     

收入管理的MMV动态拍卖机制研究

随着互联网上交易的增多,多单位同质产品销售的拍卖机制成为了一个新的研究方向.针对易逝性服务产品的收入管理问题,提出将产品销售分为多个拍卖期的MMV(Multi-period and Multi-unit Vickrey(Auction with Reserve Pricing)动态拍卖机制,给出每期最优拍卖单位数和保留价格的确定方法,证明了最优拍卖单位数分别关于剩余存量和销售时间单增的性质,以及保留价格关于剩余存量的单降性.最后证明MMV机制的每期实际成交价格将高于Vulcano(2002)提出的MSP(Modified Second-Price)机制,根据易逝性服务产品的需求特点得到MMV机制优于MSP机制的结论.     

Rodabaugh α-闭包的推广

对LF拓扑空间的分明集及模糊格L中的元素α,Rodabaugh提出了α-闭包的概念.本文对此做了推广，对LF拓扑空间中的任一LF集，定义了HFα-闭包．并顺便引入了HFα-闭集的概念.文中讨论了这两个概念的基本性质。     

交换分配半环上的最小分配格同余

§ 1 .　Introduction　　AsemiringSisanalgebraicstructure(S ,+,·)consistingofanon emptysetStogetherwithtwobinaryoperations +and·onSsuchthat(S ,+)and(S ,·)aresemigroupsconnectedbyring likedistributivity[1 ] .AsemiringSiscalledacommutativesemiringif (S ,+)and(S ,·)arebothcommutative.AcommutativesemiringiscalledacommutativedistributivityifinStheadditionisdistributiveaboutmultiplication ,i.e.,ab +c =(a+c) (b+c) ,a +bc=(a +b) (a+c) holdsforalla ,b,c∈S[2 ] .Anequivalentrelationρonasemiring…     

Z[6~(1/2)]上的正定么模格的分类

本文利用推广的邻格方法，完成了Ｚ[ ］上秩 ４判别式 １的所有正定么模格的分类．     

金属中的固体惰性气体

 要想把氦、氖、氩、氪和氙等惰性气体变为固体是相当艰难的.若通过降温,则须在相当低的温度下才能实现.例如对于氪为-157℃,对氩为-189℃。近来人们用离子注入的办法,可以轻而易举地在室温将它们固化,而且在摄氏几百度才能使它熔化.这种固化的惰性气体是一种非常神奇的物质,它不服从理想气体的规律,通常的范德瓦尔态方程对它已不适用.这个问题是现代科学技术中必然要遇到的.例如在用离子溅射进行表面清洁处理时,无论用离子束混杂制造新合金,还是用惰性气体进行材料改性,或者用α粒子轰击反应堆内壳壁时,都会遇到形成固体惰性气体气泡的问题.因此,这种因离子注入而产生的气体固化现象,是最近大批物理理论和实验工作者感兴趣的问题.     

MOCVD生长InP/GaInAsP DBR结构及相关材料特性

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法InP衬底上成功地制备了GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长的分布布喇格反射镜(DBR)结构以及与之相关的四元合金GaxIn1-xAsyP1-y和InP外延层。利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、低温光致发光(PL)光谱等测量手段对材料的物理特性进行了表征。结果表明,在InP衬底上生长的InP外延层和四元合金GaxIn1-xAsyP1-y外延层77K光致发光(PL)谱线半峰全宽(FWHM)分别为9.3meV和32meV,说明形成DBRs结构的交替层均具有良好的光学质量。X射线衍射测量结果表明,四元合金GaxIn1-xAsyP1-y外延层与InP衬底之间的相对晶格失配仅为1×10-3。GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长的DBR结构每层膜的光学厚度约为λ/4n(λ=1.55/μm)。根据多层膜增反原理计算得出当膜的周期数为23时,反射率可达90％。