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61.
本文主要结果如下:(1)证明了两个自由模及是半线性同构当且仅当EndF与EndG是严格的环同构(见定义1)。(2)用不同方法证明并推广了1985年Bolla用范畴方法来描述EndF与EndG之间的环同构。(3)1962年Wolfson定理是我们的推论。 相似文献
62.
基于Dirac-slater自洽场方法,本文计算了C元素各价离子从低能到高能的光电离截面,考察了多极效应、相对论效应在不同能区对光电离截面的影响,并研究了光电离截面随光子能量、电离度、不同壳层变化的规律.通过各种理论计算结果的比较,分析了Kramers公式的适用性,计算中为了提高计算精度,我们采用了Grasp2程序包输出的束缚态波函数替换自洽场的波函数。 相似文献
63.
64.
This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on (200)-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition (MOCVD) method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer's thickness. The high transmittance (80%), sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate. 相似文献
65.
66.
解析几何是用代数方法研究几何问题的数学分支,其中的题目可涉及到函数,三角,不等式等各种数学知识,这就决定了一个解析几何问题可能有多种不同的解法。解析几何的一题多解可以提高思维的灵活性,拓展人的思路,进而可以提高解决数学综合问题的能力。下面就以一道解析几何题给出几种不同的解法。 相似文献
67.
T-型树谱唯一性的一个简单刻画 总被引:1,自引:0,他引:1
图G称为谱唯一的,如果任何与G谱相同的图一定与G同构.一棵树称为T-型树如果其仅有一个最大度为3的顶点.本文给出了T-型树谱唯一性的一个简单刻画,从而完全解决了T-型树的谱唯一性问题. 相似文献
68.
导出边值问题Δ2u-sΔu+k2u=o;x∈Ω∪Ω'(R2;u|г=uo;аu/аn|г=go的定解问题,MRM边界变分方程,全平面解的表达式.从中可以看出,MRM边界变分方程中只包含弱奇异积分核,并且自动消除了原第一、二MRM边界积分方程中出现的强奇异积分核.问题解的表达式后并不加任何多项式,因而也不需要引入Lagrange乘子求解该项,这给边界元数值求解过程带来极大的方便.数值分析结果表明该方法具有明显优势. 相似文献
69.
利用解析和数值方法研究了在具有横向折射率周期性调制的克尔型非线性介质中光学格子孤子的传输,得到了孤子参数的演化方程以及格子孤子的形成和稳定传输的条件.结果表明:当光束的入射角小于某临界角度时,光束可被类似波导形式的路径俘获而稳定传输,该临界角随折射率调制周期、调制深度的增加而增大,且光束越窄临界值越大.此外,线性空间啁啾虽然对光束传输的中心位置没有任何影响,但会导致光束发散从而破坏格子孤子的形成和稳定传输,对此提出了采用特定功率取值来补偿啁啾作用从而形成格子孤子的方案.
关键词:
光孤子
光学格子
光传输
矩方法 相似文献
70.
碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)场发射平面显示器(Field Emission Display,FED)与其他显示器比较显示了其独特优点,被认为是未来理想的平面显示器之一。碳纳米管阴极作为器件的核心部分,其性能的好坏直接影响显示器的性能。针对30~60英寸(76.2~152.4cm)大屏幕显示器所用的厚膜工艺,即采用丝网印刷法制备了碳纳米管阴极阵列,研究了化学气相沉积法在不同温度下生长的CNTs的场发射电流-电压特性,找到了适合FED用碳纳米管的最佳生长温度。结果表明生长温度越高(750℃),CNTs场发射性能越好。并用荧光粉阳极测试这些CNTs的场发射发光显示效果,验证了上述结论。 相似文献