金属氧化物半导体场效应管热载流子退化的1/fγ噪声相关性研究

研究了金属氧化物半导体(MOS)器件在高、中、低三种栅压应力下的热载流子退化效应及其1/fγ噪声特性.基于Si/SiO2界面缺陷氧化层陷阱和界面陷阱的形成理论,结合MOS器件1/f噪声产生机制,并用双声子发射模型模拟了栅氧化层缺陷波函数与器件沟道自由载流子波函数及其相互作用产生能级跃迁、交换载流子的具体过程.建立了热载流子效应、材料缺陷与电参量、噪声之间的统一物理模型.还提出了用噪声参数Sfγ表征高、中、低三种栅应力下金属氧化物半导体场效应管抗热载流子损伤能力的方法.根据热载流子对噪声影响的物理机制设计了实验并验证这个模型.实验结果与模型符合良好.     

热传导型半导体瞬态问题的特征有限体积方法及分析

在这篇文章中,将特征线方法与有限体积方法相结合,构造了热传导型半导体瞬态问题的全离散特征有限体积方法(CFVM).在一般的条件下进行理论分析,得到了次优阶L2误差估计结果.     

多光束全息互连元件效率的理论分析

多光束全息互连元件往往需要大量的耦合波方程才能描述。本文通过分析记录时生成的互调制光栅的性质及其对衍射的影响,对问题进行适当的简化。通过解不同条件下的耦合波方程、分别给出了多光束全息图在各种不同情况下的衍射效率的近似解析表达式,展示了衍射效率与各实验参量之间的关系。为进一步研究多光束全息互连元件的性质、比较各种条件下的效率以及各参量对总体效率的影响,提供了方便。     

解波方程逆问题的时卷正则（TCR）迭代法的数值方法

本文提出了一种解波方程逆问题的莳卷正则(TCR)迭代方法[2]的数值方法,这种方法巧妙地用Tikhonov正则法克服了由于数值磨光所引起的不稳定性,使TCR迭代过程稳定收敛。同时本文还采用了某些多层网格迭代技巧,并提出了一个简单实用的选择正则参数的方法,从而提高了迭代收敛速度。此外,本文还指出这种数值方法可用于解非边界脉冲源的波方程逆问题。     

基于生存概率的保险基金最优投资策略研究

利用破产理论和随机控制理论研究保险基金最优投资策略,建立生存概率最大化的目标函数,得到最优投资策略满足的随机微分方程;在初始金逼近0时得到保险基金的最优投资策略的显示解;采用递推算法,得到初始准备金为任意值时的最优投资策略.     

两非线性波方程真圈解的存在性和破缺性质

对于某些非线性波方程,动力系统方法的分析说明所谓的圈孤子解和反圈孤子解实际上是人为的现象.所谓的圈孤子解由3个解合成,不是1个真解.是否存在非线性波方程,使得该方程的行波系统存在真正的1个圈解?若这样的解存在,它们有怎样的精确参数表示?该文回答这些问题.     

一类三阶非线性伪抛物方程的初边值问题

非线性伪抛物方程由于其来源于一些重要的物理过程而成为研究热点.对于一类三阶非线性伪抛物方程的初边值问题,给出了Hilbert空间中相应的强制不等式,利用同胚理论及推广的反函数定理,得到了非线性方程初边值问题解的大范围存在定理.对于相应的半线性方程给出了初边值问题解的大范围存在性、唯一性定理.     

马尔可夫骨架PERT网络的最长路径

本文利用马尔可夫骨架过程理论研究PERT网络模型，其中网络各弧线的长度是相互独立的随机变量。文中构造了一个马尔可夫骨架过程，利用其向后方程求解随机网络最长路径长度的分布函数。