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从本期起,本刊连续刊载中国原子能科学研究院研究员杨桢写的《SN 1987A超新星事件》.本栏主持人、中国科大副校长、学部委员钱临照先生大病初愈,便审阅此稿,写下了情真意切的评语.钱先生评语不长,我们加了标题后一同发表,希望更多的学者与读者关心《物理前沿》栏目,使她办得更出色. 相似文献
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Hydrogen ions were implanted into separation by implantation of oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers near the oxygen-implantation-induced damage peak under different conditions of energy and dose. It was found that the implanted hydrogen ions not only accelerate the diffusion of oxygen atoms from the annealing ambience into the wafer but also cause an outward diffusion of oxygen atoms in the buried oxide (BOX) layer. Thus, greatly broadened buried oxygen-rich (BOR) layers were formed in our experiments, which are 18%-79% broader than the BOX layer of standard SIMOX SOI wafers under the same conditions of oxygen implantation. The mechanism was discussed. A potential low cost method to fabricate SIMOX SOI wafers is proposed. 相似文献
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M是Sn+1(1)内紧致嵌入凸超曲面.M分Sn+1(1)为两个连通区域Ω1和Ω2. Ω1=M和Ω1是凸的.本文估计了Ω1的Laplace算子的第一特征值的下界. 相似文献