新概念下的Sn掺杂(La1-xSrx)2Cu1-xSnxO4超导体的MÖssbauer谱研究 *

对新概念指导下而设计的 (La_1-xSr_x)2Cu_1-xSn_xO₄超导体进行了¹¹⁹Sn M_Össbauer谱研究 .对不同掺杂量样品的系统研究表明 ,M_Össbauer谱实验结果进一步证实了Sn以Sn⁴⁺价态存在并占据Cu晶位 ,不存在占据La晶位的Sn^{2 +}离子 .Sn⁴⁺离子附近的局域晶格畸变较小 ,但是随Sn掺杂量有增加趋势 .在对La₂ CuO₄母体进行Sr和Sn同时掺杂所引入的载流子对超导电性的影响存在新的机制 .在新的额外氧机制下 ,讨论了Sn掺杂所导致的额外氧对超导电性的影响 .     

Y1-xNdxSr2Cu2.7Mo0.3O7-δ体系的声子振动谱和输运性质

研究了Y_1-xNd_xSr₂Cu_2.7Mo_0.3O_7-δ(x =0 ,0 .1 ,0 .2 ,0 .5 ,0 .8和 1 .0 )的Ra-man光谱、红外光谱,指出RSr₂Cu_2.7Mo_0.3 O_7-δ结构上与RBa₂Cu₃O_7-δ有显著的差异,而伴随着Nd的掺入,晶体的微结构发生了变化 .结合电阻率和热电势的测量结果 ,我们讨论了这种微结构变化对载流子分布的影响和NdSr₂Cu_2.7Mo_0.3O_7-δ不超导的原因,进而指出在高温超导体中广泛存在的稀土离子尺寸效应也是大稀土离子替代产生的晶体微结构变化的结果     

关于图Cn+Kt的和谐性

本文证明了当n为奇数且(n,t+1)=1时，如果集合M={ni-1|i=1,2,…,t+1},N={(t+1)j|j=0,1,…,n-1}满足M∩N≠?时，图C_n+K_t是和谐图.从而推广了M.Keid的结果:C_n+K₂是和谐图.     

非退化Cauchy-Riemann流形上¶b复形的正则性

对于余维数大于1的CR流形M 上的一点ξ , M 在ξ 附近的CR结构可由两步幂零Lie群G_ξ的CR结构来逼近.G_ξ随ξ变化而变化.M 上的¶_b和¶_b可由两步幂零Lie群上的¶_b和¶_b逼近.用两步幂零Lie群上¶_b的拟基本解构造非退化CR流形M上¶_b的拟基本解,并定义M 上的拟距离.¶_b和¶_b复形的正则性可从M 上的调和分析得到.     

脉冲532nm激光导致的HoP5O14非晶紫外上转换发光的分析

本文报道了532nm 脉冲激光导致的 HoP₅O₁₄非晶的紫外上转换发光现象.从实验和理论上对上转换发光现象、机理和通道进行了测量、分析和计算,表明单离子的步进双光子吸收和离子间能量传递共同参与而感生了其上转换发光.     

NH3+自由基离子的电子自旋共振

本文研究了俘获于掺杂VO⁺⁺离子的(NH₄)₂Zn(SO₄)₂·6H₂O单晶中NH₃⁺自由基离子的ESR.从实验上分别测出π电子自由基NH₃⁺的¹⁴N和¹⁵N核超精细分裂.结果表明,氮核超精细偶合张量具有近似于圆柱形对称。对于¹⁵N来说,A₁₁=44.8,A₂₂=19.3,A₃₃=17.8高斯.对于¹⁴N来说,A₁₁=31.1,A₂₂=12.5,A₃₃=11.8高斯.在室温下,NH₃⁺自由基绕A₁₁方向作圆锥体运动.文中最后讨论了NH₃⁺自由基离子的可能生成机理。     

关于R(Ax)闭的连续算子族Ax的Moore-Penrose广义逆Ax+连续的充要条件

设X是拓扑空间,A_x,闭值域R(A_x)为X→B(H)的连续映射,我们知道:即使在dim(H)有限的情况下,M.-P.逆A_x⁺:也不一定连续,A_x⁺连续的充要条件,对现代分析和应用数学的一些研究是很重要的,本文给出了,在一般拓扑空间X、局部紧拓扑空间X、A_x为Fredholm算子族等情况下,A_x⁺为连续的充分必要条件。     

用原子位形几率波理论研究YBa2Cu3O7-x中氧与空位的有序结构

本文将原子位形几串波理论推广到多套Bravais子格子套构的体系,着重考虑二次有序化问题,研究YBa₂Cu₃O_1-x超导体Cu-O基面上氧与空位形成的有序结构,得到x=0,0.25,0.5,0.75四种标准组分下的结构状况,与实验结果进行了比较和讨论。     

Pr对RBa2Cu3O7相超导转变温度的影响

本文主要用X射线粉末衍射和氧含量测定等方法,研究了Pr对La_1-xPr_xBa₂Cu₃O₇.Y_1-xPr_xBa₂Cu₃O₇和Yb_1-xPr_xBa₂Cu₃O₇ 3个具有不同稀土离子半径的固溶体系的超导电性和晶体结构的影响.结果表明,稀土离子的有效半径愈大,淬灭固溶体超导电性的Pr的临界含量愈小.点阵常数随Pr含量的变化对Vegard直线的偏离表现出不同的行为,并对Pr影响R_1-xPr_xBa₂Cu₃O₇固溶体超导电性的可能的原因进行了探讨.     

La2/3Ca1/3MnO3-δ薄膜中磁致电阻温度关系的一种经验描述

在不同磁场H下 ,在 300～ 77K范围内测量了外延L_{a2 /3} Ca_1/3 MnO_3-y薄膜的电阻率ρ(T) ,发现电阻率的温度依赖关系可以按如下的经验公式来描述:ρ(T) =1σ(T) =1/α(M/M_s)² + βexp(-E0/k_BT) ,其中拟合参数α ,β随磁场的变化略有变化,E₀为磁极化子热激活能 ,约等于1 160k_B,M_s 为饱和磁化强度 ,M/Ms采用平均场近似求得,据此对提高CMR效应的可能性作了讨论.     

Fe3O4的Mssbauer Faraday效应

本文利用Mossbauer极化谱仪观察到非正分的Fe₃O₄的 Mossbauer Faraday效应.根据实验结果,进一步证实了Fe₃O₄八面位中Fe³⁺和Fe²⁺离子之间的电子跳变是一种局域现象,并计算了两种晶位的无反冲因数f_A和f_B.     

Bi2Sr2Ca1-xYxCu2O8+y的晶体结构、电子结构和超导电性

本文研究了Y替代Ca对Bi₂Sr₂Ca_1-xY_xCu₂O_8+y,超导体晶体结构和电子状态的影响,发现:Y替代Ca后至少使得Bi-O双层中所夹的一层额外的氧原子发生了变化,沿b轴方向的无公度超格子的调制周期从4.7b连续减小到大约为4.0b;并发现当Y完全替代Ca时,则同时存在大约为4b和8b的调制周期.用XPS进一步研究其电子状态变化的结果表明,超导电性的变化不是由于晶体结构的微小变化引起的,而主要是由CuO₂层中O2p轨道空穴的逐步填充所致.结果明确表明,对于该替代体系依然是当Cu离子3d轨道存在一个空穴时(3d⁹态)对应于强关联的反铁磁绝缘体,而当CuO₂层中氧离子2p轨道存在额外的空穴时(即3d⁹L态)对应于超导体.     

ZnS:Cr2+晶体中Cr2+杂质离子的EPR参量及其占位

本文基于 ZnS:Cr²⁺晶体中 Cr²⁺杂质离子处于八面体有效晶场(D_2d畸变)理论模型,通过考虑对基态有较大影响的所有低自旋态的贡献后,建立了一组维数较大曲 d⁴(D_2d^*)不可约表示强场能量矩阵.利用矩阵的特征值、特征矢量以及相应的EPR 参量理论公式,对 ZnS:Cr²⁺晶体的精细光谱、基态 ZFS,EPR 参量(g,g,D,E,F,α)、基态 Zeeman 能级以及 EPR 条件(B,v)进行了系统的理论分析与计算.结果与实验值符合很好.从而确立了 ZnS:Cr²⁺晶体中 Cr²⁺杂质离子的环境晶场系 D_2d畸变八面体结构.ZnS:Cr²⁺晶体的光、磁性质与 Cr²⁺杂质离子的八面体晶场结构特征密切相关.     

A位离子替代对(LaCa)MnO3材料磁转变温度的影响 *

测量了(La_1-xR_x) _{2 /3} MnO₃ (其中R代表Ce ,Pr,Nd等稀土离子)和La_{2 /3}(Ca_1-yCd_y) _1/3 MnO₃ 两组铁磁性巨磁阻材料的磁转变温度 .结果发现 ,尽管在(La_1-xR_x) _{2 /3} MnO₃ 材料中其A位平均离子半径恒定 ,但居里温度T_C 存在明显的差别 ;而在La_{2 /3}(Ca_1-yCd_y) _1/3 MnO₃ 系列中虽然随Cd的替代量的增加 ,A位平均离子半径略有下降 ,T_C 却增加 .A位离子的局域磁矩对磁转变温度可能有较大的影响 .     

次弱ГN—环对有限生成强诣零根的差环

本文定义了次弱Г_N-环,证明了若次弱Г_N一环M的强诣零根N是有限生成的,则M/N一定是强诣零半单的.并且.如果M存在强幂零根I,则N=I.     

BaB2O4-Na2B2O4-K2B2O4三元系的研究

本文用实验测定和理论计算相结合的方法,研究了BaB₂O₄-Na₂B₂O₄-K₂B₂O₄三元系.在对该三元系3个侧边二元系相图热力学分析的基础上,用非对称的Toop模型将二元系热力学数据延拓到三元系,计算了BaB₂O₄-Na₂B₂O₄-K₂B₂O₄三元相图,计算结果与该三元系的一个典型垂直截面的测定结果吻合很好.     

关于Γ-环的稠密性定理

Let U be an Γ-ring and M be an irreducible UΓ-moduie, for α∈U, α∈Γ, we define T_[a,a]: M→M by m T_[a,a] = maa for all m∈M. Let End(M) be the ring of all endomorphisms of the additive group of M. We define as usual End_[Γ,U](M)=={ψ∈End(M)|T_Σ[ai,ai]ψ=ψT_Σ[ai,ai] all a_i∈U,a_i∈Γ}. In this paper the following results are obtained.     

Pd41Ni10Cu28P21大块非晶合金结构与晶化过程

采用水淬的方法获得了Pd₄₁Ni₁₀Cu₂₈P₂₁大块非晶合金 .结果表明 ,这一合金体系具有很强的玻璃形成能力 ,其约化的玻璃转变温度T_rg为 0 .71 4.结构分析显示 ,Pd₄₁Ni₁₀Cu₂₈P₂₁非晶合金比以往所报道的Pd₄₀Ni₄₀P₂₀ 非晶具有更接近于“冻结”液态的密堆积结构 .非晶的晶化实验表明 ,晶化初期多种晶相同时结晶析出 .低于 71 0K退火非晶样品 ,亚稳相形成 ,继续提高退火温度亚稳相消失 .此外 ,从热力学和动力学角度就Cu部分替代Ni对合金的玻璃形成能力的影响进行了探讨     

四方结构钙钛矿型化合物La1-xSrxMnO3的电磁特性

应用高压热处理得到了四方结构的La_1-xSr_xMnO₃ (x =0 .1 5～0 .3)化合物 ,该四方相化合物与通常的菱方相化合物在电磁特性方面有很大的不同 ,它们的非金属 金属转变温度T_c 比相应的菱方相样品降低了很多 ,此外还发现 ,当温度足够低时 ,局域Mn离子的长程铁磁序将转变为只有短程序结构的自旋玻璃态 ,上述变化是由四方结构中Mn—O键的拉长所引起的     

辛流形M×R2n中的Hofer-Zehnder辛容量及应用

本文讨论辛流形(M×R²ⁿ,ωσ)中的 Hofer-Zehnder辛容量,定义 l₁(M,ω)=:inf{〈ω,α〉|〈ω,α〉>0,α∈π₂(M)}.证明若l₁(M,ω)>0,πr²<1/2l₁(M,ω),则C_HZ(M×B(r))=C_HZ(M×Z(r))=πr².当M等于点{P}时,就得到目前已知的结论.设CPⁿ是复投影空间,ω是CPⁿ上的辛形式,满足∫_cp¹ω=n+1,那么当πr²<1/2(n+1)时,C_HZ(CPⁿ×B(r))=C_HZ(M×Z(r))=πr².作为应用,还将证明M×Z((l₁(M,ω)/2π)^1/2)中的 Weinstein猜想成立.