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31.
一类分式不等式的证法——柯西均值法   总被引:3,自引:3,他引:0  
一类分式不等式的证法—柯西均值法陶兴模(重庆市铜梁中学632560)众所周知,柯西不等式(a12+a22+…+an2)(b12+b22+…+bn2)(a1b1+a2b2+…+anbn)2(ai∈R,bi∈R,ai=kbi时取等号,i=1,2,3,…...  相似文献   
32.
非线性规划的拟下降方法:概念,模型及应用   总被引:7,自引:0,他引:7  
§1.引言 考虑一般非线性规划问题: (P)min{f(x)|x∈S},其中S?R~n为一非空闭集,f:R~n→R~1。 求解(P)的下降算法的基本思想是:在当前点x_k∈S处,(若x_k不是某种期望的  相似文献   
33.
34.
四角晶相HfO2(001)表面原子和电子结构研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
卢红亮  徐敏  陈玮  任杰  丁士进  张卫 《物理学报》2006,55(3):1374-1378
采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及 其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会 产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态 密度.其次,表面原子的态密度更靠近费米能级(EF),价带往低能量处移动,并 有表面态产生.计算结果表明了t-HfO2表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO2(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位 数减少,表面原子周围的环境发生变化而引起的. 关键词: 密度泛函理论 2(001)')" href="#">t-HfO2(001) 表面电子结构  相似文献   
35.
Yb3+掺杂KY(WO4)2激光晶体生长、结构与光谱分析   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
采用顶部籽晶提拉法(TSSG)生长出Yb:KY(WO4)2(Yb:KYW)激光晶体.对预烧后的原料及晶体进行了XRD分析,结果表明,分别在920℃和600℃预烧8h后的熔质和助熔剂基本上形成一相,抑止了实验中的挥发问题;所生长的晶体为β-Yb:KYW,计算其晶格常数为a=1.063nm,b=1.034nm,c=0.755nm,β=130.75°.测得不同厚度样品的吸收光谱,结果表明样品在933nm和981nm有较强的吸收峰,计算出主峰981nm的吸收截面σ关键词: Yb:KYW TSSG法 晶体结构 光谱参数  相似文献   
36.
李春潮  张学英  吴钢  管督 《发光学报》2006,27(6):963-966
以ZnO和HGaO2为原料,用不同配比合成出系列ZnGa2O4,并对其晶体结构和发光性能进行了研究。用荧光分光光度计检测了ZnGa2O4的激发和发射光谱,用X射线衍射仪检测了ZnGa2O4的衍射图谱,用热重差热仪绘制了TGA-DAT曲线。对检测结果分析认为:1.ZnGa2O4属于尖晶石结构,稍过量的Zn或Ga能进入ZnGa2O4结构中,并对ZnGa2O4的晶格常数产生一定影响。2.ZnGa2O4存在两个自激发光中心,当Ga稍过量时,自激发光中心是四面体镓氧键[Td(Ga-O)],最大激发波长约248nm,最大发射波长约367nm;当Zn稍过量时,自激发光中心是八面体镓氧键[Oh(Ga-O)],最大激发波长约270nm,最大发射波长约441nm。当n(Zn):n(Ga)在理论值附近,激发和发射光强度最大,而且光谱峰位发生了红移。3.ZnGa2O4的热稳定性能非常好。上述结论对研究ZnGa2O4基质或掺杂的发光材料具有一定意义。  相似文献   
37.
本文用密度泛函理论(DFT)的总能计算研究了一氧化碳和氢原子在Ni(111)表面上p(2×2)共吸附系统的原子结构和电子态,结果表明CO和H原子分别被吸附于两个对角p(1×1)元胞的hcp和fcc位置.以氢分子和CO分子作为能量参考点,总吸附能为2.81 eV,相应的共吸附表面功函数φ为6.28 eV.计算得到的C—O,C—Ni和H—Ni的键长分别是1.19?, 1.96?和 1.71?,并且CO分子以C原子处于hcp的谷位与金属衬底原子结合.衬底Ni(111)的最外两层的晶面间距在吸附后的相对变化分别是 关键词: Fisher-Tropsch反应 催化作用 Ni(111) p(2×2)/(CO+H) 共吸附  相似文献   
38.
二氧化钒薄膜的低温制备及其性能研究   总被引:12,自引:0,他引:12       下载免费PDF全文
针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R为100—300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic 关键词: 二氧化钒 电阻温度系数 氧分压 射频反应溅射法  相似文献   
39.
油水两液相一维非等温渗流的传递分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
在求解油水两液相非等温渗流的温度场、压力场基础上,以驱动功、驱动功率、驱动阻力、驱动速率为特征参数,对该过程进行(火用)传递分析。数值模拟的结果表明:含水通过降低油的相对渗透率、从而增大驱动阻力、减小驱动功率, 最终导致原油产量降低。  相似文献   
40.
解析式是中学数学的重要内容之一,也是研究函数、方程、不等式的基础,数学的其它各分支学科均离不开解析式的恒等变换.因此,熟练地掌握一些解析式的变形规律是学好代数及相关学科的前提.本文主要讨论如何利用齐次化与非齐次化的思想,解决一些竞赛中的不等式问题.定义1设xi≥0(i  相似文献   
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