区间[-1,1]上的a尺度双正交多小波的构造

本文研究了一元a尺度紧支撑、双正交多小波的构造.在区间[-1,1],给出了利用a尺度双正交尺度向量构造a尺度双正交多小波的推导过程得到了一种有效的小波构造算法,并给出了数值算例.     

双重敏感mPEG-PDPA-P(AAm-co-AN)聚合物自组装体的药物递送

设计合成了一种新型两亲性三嵌段ABC聚合物聚乙二醇单甲醚-聚甲基丙烯酸二异丙胺基乙酯-聚(丙烯酰胺-co-丙烯腈)(mPEG-PDPA-P(AAm-co-AN))。该聚合物具有pH敏感嵌段PDPA和温度敏感嵌段P(AAm-co-AN)，临界溶解温度(UCST)较高，且可以通过改变单体比例来调节UCST。在室温、中性环境下，该聚合物通过自组装形成刺激响应型胶束，可用于抗肿瘤药物的控释研究。温度升高诱导聚合物胶束向不对称囊泡结构转变，pH降低促使聚合物形成更加松散的胶束。在体外释药探究中，聚合物胶束对亲水药物阿霉素(DOX)和疏水药物槲皮素都具有良好的载药效果，在37℃、pH=7.4的条件下泄漏量低，随着温度升高和pH降低，胶束释放药物的速率和释放量明显增加。     

一个模型、三个问题突破第二型曲面积分概念难点

从流量问题入手，利用两种方法给出常量场流量问题模型的求解.重点阐述了三个问题，即为什么要区分有向曲面的侧，什么是有向投影，如何理解两类曲面积分的关系.以这一个模型为基础，三个问题为突破，形象地分析了第二型曲面积分概念中的难点与困惑.     

Stochastic Resonance in an Asymmetric Bistable System Subject to Frequency Mixing Periodic Force and Noise

The phenomenon of stochastic resonance (SR) in an asymmetric bistable system subject to the multiplicative and additive white noises and two periodic fields is investigated. Using the two-state theory, analytic expressions of the signal-to-noise ratio (SNR) for fundamental harmonics and higher harmonics are derived. It is found that SR appears at both fundamental harmonics and mixed harmonics (of second- and third-order approximation).Moreover, the higher the order of mixed harmonics is, the larger the SNR values are. The effects of static asymmetry on the SNR (of second- and third-order approximation) are different, and the noise intensity ratio can enhance the SNR for higher harmonics.     

邻硝基苯基荧光酮-Tween 80双波长分光光度法测定微量铝

本文研究了在非离子表面活性剂Tween 80存在下Al(Ⅲ)与O-NPF显色反应的条件,在pH9.0～11.0的HBO_3-Na_2CO_3缓冲溶液中可形成稳定的紫色络合物,最大吸收波长为564nm,铝量在0～5μg/25ml范围符合比尔定律,采用双波长法摩尔吸光系数高达1.81×10~5。本法具有简便、快速、灵敏度高、准确性好等优点。     

共形空间中的正则子流形

共形空间Qn1有Lorentz群的作用,首先证明了Lorentz空间Rn1中的稳态曲面是关于共形体积泛函的临界曲面,其次对共形空间Qn1中的共形迷向子流形作出了分类.     

第一类双变量Chebyshev多项式的最小零偏差性质研究

利用Rivlin和Shapiro提出的符号理论,证明了文献[10]中提出的第一类双变量Chebyshev多项式恰为所谓的Steiner区域上具有特殊首项的最小零偏差多项式,并由此导出了几类具有一定代数精度的数值积分公式.     

新的压电薄膜——Ta2O5

据报道,日本Yasuhiko Nakagawa和Yasuo Gomi用磁控反应直流二极管溅射法将Ta_2O_5,沉积在石英基片上,得到了单晶薄膜,并且首次观察到了这种薄膜的压电现象.用叉指换能器在Ta_2O_5薄膜上成功地激发了声表面波.在Ta_2O_5/熔石英基片上,当薄膜厚度h在hk(=2πh/λ)=1.0时,其机电耦合系数k~2=0.5％,它可与熔石英基片上ZnO薄膜的机电耦合系数相比拟. 利用Ta_2O_5单晶的X射线衍射数据,推断出Ta_2O_5