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| 新的压电薄膜——Ta2O5 | |
| 引用本文： | 刘献铎.新的压电薄膜——Ta2O5[J].应用声学,1986,5(1):48-48. |
| 作者姓名： | 刘献铎 |
| 摘 要： | 据报道,日本Yasuhiko Nakagawa和Yasuo Gomi用磁控反应直流二极管溅射法将Ta_2O_5,沉积在石英基片上,得到了单晶薄膜,并且首次观察到了这种薄膜的压电现象.用叉指换能器在Ta_2O_5薄膜上成功地激发了声表面波.在Ta_2O_5/熔石英基片上,当薄膜厚度h在hk(=2πh/λ)=1.0时,其机电耦合系数k~2=0.5％,它可与熔石英基片上ZnO薄膜的机电耦合系数相比拟. 利用Ta_2O_5单晶的X射线衍射数据,推断出Ta_2O_5 |
| 关 键 词： | Ta2O5 压电薄膜 熔石英 压电现象 叉指换能器 石英基片 单晶薄膜 机电耦合系数 声表面波延迟线 溅射法 |
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