由美国"国家科学教育标准"想到的--浅议化学实验教学中的探索性学习

1　美国“国家科学教育标准”中有关探索性学习的本质　　 1996年 ,在提高全体学生科学素养 (ScientificLiteracy)的背景下 ,美国国家研究院 (NRC)正式出版了“国家科学教育标准”(NationalScienceEduca tionStandards,NSES)。这是美国科学教育史上第一个“国家标准” ,具有鲜明的特征和丰富的内涵。“国家标准”在本质上是一种“以标准为基础的”科学教育改革方案 ,“提高所有学生的科学素养”是贯穿“国家标准”的一个首要目标 ,而“作为探究的科学 (ScienceasInquiry) ;是“科学内容标准”的一项重要内容。美国“国家科学教育标准…     

对氢硫酸变质(浑浊)、失效的再实验与再思考

半瓶装或敞口置放的氢硫酸容易变质(浑浊)、失效,这似乎是尽人皆知的常识,可我们的实验却意外地发现了许多新的实验事实和实验现象,很值得研究.     

"自主创新"教学模式在化学奥赛培训中的实践与研究

本文简述了“自主创新”教学模式的形式及涵义，并把近年来在化学奥赛培训中对“自主创新”教学模式的实践体会作了归纳与总结。其中概述了“自主创新”教学模式在培养学生自学能力、实验能力及创新能力的方法与措施作了较深入的分析。     

燃煤烟气中As、Se、Pb的形态分布及S、Cl元素对其形态分布的影响

基于化学热力学平衡分析方法，计算分析了燃煤烟气中重金属As、Se、Pb的形态分布规律，研究了S、Cl等元素对As、Se、Pb的形态分布规律的影响。结果表明，氧化性气氛下，As以As₂O₅、As₄O₆、AsO等氧化物的形式存在；Se主要以SeO₂形式存在；Pb在1000 K以下主要是固态PbSO₄，1200 K以上为气态PbO。还原性气氛下，As在较低温度时为固态As₂S₂，900-1400 K以As₂、AsS、AsN气体共存，2000 K以上全部转化为气态AsO。Se在1100 K以下主要以气态H₂Se存在，1100 K开始生成SeS和Se₂气体，1800 K时主要是气态Se和少量气态SeO；Pb在中低温时主要是PbS，1800 K以上气态Pb为主要存在形态。S在还原性气氛下增大了AsS（g）、PbS（g）、SeS（g）的比例，氧化性气氛下对As、Se、Pb形态分布基本无影响；Cl无论在氧化还是还原气氛下对As、Se影响均较小，但对Pb的形态分布影响较大。     

关于高阶中立型偏微分方程系统解的振动性

近年来,由于偏泛函微分方程(组)理论在人口动力学,生物遗传工程和化学反应过程等领域中有广泛的应用,因而很多学者在偏泛函微分方程(组)解的振动性理论的研究方面做了大量工作,取得了许多成果.本文将研究一类较广泛的高阶中立型偏微分方程组     

怀念核物理学家虞福春教授

回顾了虞福春教授一生的业绩，他是一位杰出的实验物理学家，1950年，他最早发现核磁共振谱线的化学位移，为核磁共振技术在化学领域的应用打开了大门，他测定了许多原子核的自旋和磁矩，为检验核壳结构模型作出了重要贡献，他又是一位优秀的教育家，培养了一大批物理人才，他的教学思想已经影响了几代学生。     

CID-ICP-AES检测煤中不同形态的硫

研究了CID-ICP-AES检测煤中硫酸盐和硫铁矿形态硫的方法。较现有国标方法快速、简便，常见元素不干扰，加标回收率在98．5％-103．0％之间，10次测定的RSD在0．76％-1．59％之间。     

甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si∶H薄膜中氧污染的初步研究

对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅（μc_Si∶H）薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明：μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O，O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示：沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响；而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅（a_Si:H）薄膜. 关键词： 氢化微晶硅薄膜 甚高频等离子体增强化学气相沉积 氧污染     

Nd：GdVO4单晶的生长、位错和形貌

用提拉法生长出掺钕钒酸钆(Nd：GdVO4)单晶，并且采用化学浸蚀法在偏光显微镜下观察了位错蚀坑，测定了(100)面晶体位错密度为600个／mm^2。观察了不同提拉方向的晶体生长形貌，可采用简单光学方法确定晶体方向。     

一种光纤位移传感器中的参考光纤

本文介绍了一种强度反射式光纤位移传感器，其探头是由几根排列后的光纤构成，其中的一根光纤作为参考光纤。主要分析了参考光纤在该传感器中的独特作用，既提高传感器的稳定性和抗干扰能力，又改善输出信号的线性和增大量程范围。