Reduction of dislocation density and improvement of optical quality in ZnO layers by MgO-buffer annealing

Optical properties of ZnO thin films with/without MgO-buffer annealing were investigated by low and room temperature photoluminescence measurements. The ZnO films were grown on c-sapphire substrates by plasma-assisted molecular-beam epitaxy employing a thin MgO-buffer layer. Dislocation density of ZnO layer was reduced from 5.3 × 10⁹ to 1.9 × 10⁹ cm⁻² by annealing MgO-buffer prior to the growth of ZnO. The intensity of free exciton emission from the sample with MgO-buffer annealing was almost twice of that from the sample without annealing, while the deep level emission from the sample with MgO-buffer annealing was about 1/3 of that without annealing. The MgO-buffer annealing improves optical quality of overgrown ZnO films.     

圆形振动膜ZnO压电微传声器的研制

本文介绍了一种新型圆形振动膜ZnO压电微传声器的制备，并对传声器制备的工艺过程进行了较为详细的描述。圆形振动膜的压电传卢器与以前方形振动膜结构设计相比，较大幅度提高了传声器的灵敏度和成品率，灵敏度达到-70dB（相对于1V／Pa），成品率达到80％。     

有机/无机异质结薄膜发光二极管

聚合物发光二极管（LED）自从Burrou吵es等于1990年首次报导PPV的电致发光［‘］以来，由于聚合物半导体具有热和化学性能的稳定，克眼了有机小分子材料容易晶化的优点，在平板显示领域必将占有一席之地，从而吸引了许多科学家投身到这一领域来．众所周知，要想实现LED的实用化     

ZnO粉体的两种不同制备途径

本文用沉淀法和气相沉积法两种方法制备了ZnO粉体，对所得样品用粉末X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和红外吸收光谱(IR)进行了鉴定和表征，初步探讨了气相沉积法制备的ZnO微粒的生长机理，并对所用的两种制备方法作了简要的比较。     

ZnO对Ag/SiO2催化剂银的分散作用及对吲哚合成稳定性的影响

将ZnO助剂加到由苯胺和乙二醇一步合成吲哚的Ag/SiO2催化剂中,发现ZnO助剂能大大提高催化剂的稳定性.XRD和TEM表征首次得到:ZnO是结构型助剂,它能使银很好地分散在SiO2表面上,并可有效地抑制反应过程中银粒子的烧结.     

ZnO超微粒子光催化氧化降解n-C7H16的研究

利用ZnO光催化氧化技术对气相n-C7H16进行了降解研究，考察了氧气、水燕气体积分数等因素对n-C7H16光催化氧化的影响，利用气相色谱－质谱联用仪和气相色谱仪对气相光催化反应过程中的气体组成进行了定性分析，并对主要中间产物丙醛进行了定量分析，结果发现，ZnO超微粒子光催化氧化n-C7H16的降解率较高，n-C7H16绝大部分被完全氧化成CO2，探讨了n-C7H16光催化氧化反尖的动力学行为及机理。     

基于ZnO溶胶-凝胶固定的酪氨酸酶传感器的研制

通过使用带正电荷的ZnO溶胶-凝胶在玻碳电极表面固定酶,研制了一种简单有效的酪氨酸酶传感器。结果表明,ZnO溶胶-凝胶的等电点为酪氨酸酶的固定提供了有利的微环境,酪氨酸酶能很好地保持其生物活性。所研制的传感器达到95%稳定状态电流的时间在10 s以内。酚类化合物可通过酶催化产生的醌在-200 mV(对饱和甘汞电极)直接还原而测定,传感器对苯酚测定的灵敏度为168μA.mmol-1.L-1,线性范围为1.5×10-7~4.0×10-5mol.L-1,检出限为8.0×10-8mol.L-1。该传感器使用二周后活性仍保持原有活性的75%。     

利用浮区法在高氧压下生长ZnO晶须

采用浮区法在高温高氧压下生长出大尺寸的ZnO晶须. X射线衍射和拉曼光谱分析结果表明, 生长的ZnO晶须结晶良好, 具有六方结构, 沿(001)方向有明显的择优生长取向. 光致发光光谱测量结果表明, 晶须在室温下有较高的紫外光致发光效率和较低的缺陷, 生长时选择大于0.3 MPa的氧压对提高IUV/Igreen有益.