液晶研究（Ⅰ）──4＇－酰基－4－羟基－1，1＇－联苯酯类液晶的合成与性质

以４＇－羟基联苯为原料合成了８种新型４＇－酰基－４－羟基联苯酯类化合物．除化合物５＿ｈ外，均为新的近晶相液晶化合物．它们具有较宽的相变温度范围和较高的热稳定性．用偏光显微镜和差热分析仪研究了它们的相行为，讨论了分子结构对液晶相行为的影响．     

KMnO4引发魔芋粉-丙烯腈的接枝共聚反应

以KMnO4为引发剂进行魔芋粉与丙烯腈的接枝共聚反应。研究了魔芋粉预氧化时间、引发剂浓度、单体浓度、酸度、反应时间、反应温度和反应物加料方式等聚合条件对接枝效率的影响，并对接枝机理作了探讨。     

Re_2(edt)_4的电子结构和电子吸收光谱的从头算研究

用密度泛函理论中的B3LYP/CEP-4G方法对Re2（edt）4进行了结构优化和自然键轨道计算,并用单电子激发组态相互作用方法（CIS）计算了Re2（edt）4的分子轨道和激发态。结果表明Re-Re之间不存在明显的三重键,进而很好地解释了Re2（edt）4分子的电子吸收光谱。     

软X射线显微术Si_3N_4薄膜窗口的研制

介绍了在软Ｘ－射线显微术研究领域中有重要应用的Ｓｉ_３Ｎ_４薄膜窗口的实验室制作方法，并形成一套独特制备工艺，Ｓｉ_３Ｎ_４薄膜窗口的研制成功推动了我国软Ｘ射线显微术研究的发展。     

具有六重穿插非中心对称金刚石网络结构的Cd(Ⅱ)和Zn(Ⅱ)的配位高聚物(英)

利用1，4-二-(4-羧基吡啶基)丁烷(L)合成了两个新的三维配位聚合物{(CdL₂)·4H₂O·2ClO₄}_n 1和{(ZnL₂)·4H₂O·2ClO₄}_n 2。单晶X-射线结构分析表明，1和2具有相同的计量式，但其晶体属于不同的空间群(1属于P4n2，2属于P4₂22)。两种配合物中，每个金属离子分别由配体与四个相邻的金属离子连接，从而形成具有六重穿插的金刚石网络结构，其网络中大的空腔被高氯酸根离子和(H₂O)₄分子簇所占据。     

(4S)-4-羧基杂氮硅三环的合成

利用L-N,N-双(β-羟乙基)丝氨酸及L-N,N-双(β-羟乙基)苏氨酸与三乙氧基硅烷或氯烷基三乙氧基硅烷反应合成了具有手性的(4S)-4-羧基杂氮硅三环(1～5),并运用IR、~1HNMR、EI-MS等手段表征了结构。证据显示存在着贯穿笼状结构的N→Si配键。     

Y2O2S∶Eu3+,Mg2+,Ti4+长余辉材料制备中烧结条件和助熔剂的影响

Y2O2S∶Eu3+;Mg2+;Ti4+长余辉材料制备中烧结条件和助熔剂的影响;Y2O2S∶Eu3+;Mg2+;Ti4+; 烧结条件; 助熔剂; 发光性质     

5,7-二取代-2-(2,4-二氯苯氧乙酰亚胺基)-2H-1,2,4-噻二唑并[2,3-α]嘧啶衍生物的合成、晶体结构及除草活性

设计并合成了5种5,7-二取代-2-(2,4-二氯苯氧乙酰亚胺基)-2H-1,2,4-噻二唑并[2,3-a]嘧啶类化合物5,均为未见文献报道的新化合物.利用1H NMR、元素分析等确定了产物的结构.初步除草活性测定结果表明,化合物5对阔叶植物有优良的除草活性,且有一定的选择性.为了进一步了解该类化合物的结构,也为设计新的除草剂分子提供帮助,对其中一种化合物5b进行了X射线单晶衍射.     

超细Sr2CeO4 粉体微乳液-高温法制备条件的正交试验及其发光性能研究

本文首先利用正交试验确定了微乳液-高温法合成蓝色发光Sr₂CeO₄超细粉体的最佳制备条件。接着研究了最佳条件下制备的Sr₂CeO₄超细粉体的性能。场发射扫描电镜(FE-SEM)显示，在850 ℃、900 ℃、1 000 ℃或者更高温度下退火4 h制备的粉体的形状分别呈球状、梭状和球状，平均粒径分别在100 nm左右和1 μm以内。X射线粉末衍射数据分析表明，该超细粉体属于正交晶系。室温下的光致发光光谱显示，该粉体的激发光谱有3个激发峰，主峰分别位于262 nm、281 nm和341 nm，而其发射光谱只呈现出1个发射峰，主峰位于约470 nm。与高温固相制备方法相比，微乳液-高温法可以在较低温度下制备出超细的粉体，而且它不但在262 nm处出现了一个新的激发峰，主激发峰和发射峰的位置也分别蓝移了大约30 nm和12 nm。     

Cyanex 923-H2SO4体系萃取第3相的形成和应用

三相体系;Cyanex 923-H2SO4体系萃取第3相的形成和应用