超细Sr2CeO4 粉体微乳液-高温法制备条件的正交试验及其发光性能研究

本文首先利用正交试验确定了微乳液-高温法合成蓝色发光Sr₂CeO₄超细粉体的最佳制备条件。接着研究了最佳条件下制备的Sr₂CeO₄超细粉体的性能。场发射扫描电镜(FE-SEM)显示，在850 ℃、900 ℃、1 000 ℃或者更高温度下退火4 h制备的粉体的形状分别呈球状、梭状和球状，平均粒径分别在100 nm左右和1 μm以内。X射线粉末衍射数据分析表明，该超细粉体属于正交晶系。室温下的光致发光光谱显示，该粉体的激发光谱有3个激发峰，主峰分别位于262 nm、281 nm和341 nm，而其发射光谱只呈现出1个发射峰，主峰位于约470 nm。与高温固相制备方法相比，微乳液-高温法可以在较低温度下制备出超细的粉体，而且它不但在262 nm处出现了一个新的激发峰，主激发峰和发射峰的位置也分别蓝移了大约30 nm和12 nm。     

纳米硫化锌的原位制备及其对多孔硅复合体系发光的调控

Zn S的带隙较宽 ,欧姆接触较差 ,并不是一种理想的半导体 .但将多种材料与硫化锌复合 ,在一定程度上可以克服这种缺陷 [1] .相关的文献报道主要集中在 Zn S∶ M( M=Mn,Cu,Ag等 ) ,Zn S∶ RE( RE=Sm,Tb,Eu等 ) ,Zn S∶ Cd S和 Zn S∶ Zn Se等复合材料上 ,同时也有关于多孔硅 ( PorousSilicon,PS)掺杂稀土 [2 ] 和有机物 [3,4 ] 以及 PS- Cd S[5～ 7] 的报道 ,但是尚未见到在多孔硅基体上原位制备硫化锌纳米材料的报道 .本文利用一种新颖、简单的化学方法 ,通过多相反应 ,在多孔硅基体的表面和纳米孔内制得纳米级的 Zn S,从而…     

超细Sr_2CeO_4粉体微乳液鄄高温法制备条件的正交试验及其发光性能研究

本文首先利用正交试验确定了微乳液鄄高温法合成蓝色发光Sr2CeO4超细粉体的最佳制备条件。接着研究了最佳条件下制备的Sr2CeO4超细粉体的性能。场发射扫描电镜(FE鄄SEM)显示,在850℃、900℃、1000℃或者更高温度下退火4h制备的粉体的形状分别呈球状、梭状和球状,平均粒径分别在100nm左右和1μm以内。X射线粉末衍射数据分析表明,该超细粉体属于正交晶系。室温下的光致发光光谱显示,该粉体的激发光谱有3个激发峰,主峰分别位于262nm、281nm和341nm,而其发射光谱只呈现出1个发射峰,主峰位于约470nm。与高温固相制备方法相比,微乳液鄄高温法可以在较低温度下制备出超细的粉体,而且它不但在262nm处出现了一个新的激发峰,主激发峰和发射峰的位置也分别蓝移了大约30nm和12nm。     

微乳液高温法制备超细Sr2CeO4粉体的性能研究

利用微乳液高温法制备出了超细Sr2CeO4粉体,进一步将该粉体利用电泳法在ITO玻璃表面沉积成膜。场发射扫描电镜照片显示,在850℃下煅烧4 h所得粉体呈椭圆形,平均粒径在70~80 nm,而在900和1000℃下煅烧4 h所得粉体分别呈梭状和椭圆状,粒径均小于1μm;所得粉体的X射线粉末衍射图谱显示,该粉体呈正斜方晶结构;室温下的光致发光光谱显示,所得粉体在262,280和341 nm处有吸收,用上述3个波长的光激发粉体,粉体均在470 nm处有较强的蓝色发射,其色坐标为(x,y)=(0.176,0.283),量子效率高达0.47±0.04。和利用传统的高温固相法制备的粉体相比,利用微乳液高温法制备粉体的煅烧温度更低、煅烧时间更短,其激发和发射光谱分别蓝移了30和12 nm。利用电泳法沉淀的粉体薄膜的启动电压较低,随着膜的厚度不同,在2700~4000 V之间变化。