全文获取类型
收费全文 | 42598篇 |
免费 | 6313篇 |
国内免费 | 21457篇 |
专业分类
化学 | 44404篇 |
晶体学 | 1234篇 |
力学 | 1867篇 |
综合类 | 1225篇 |
数学 | 6962篇 |
物理学 | 14676篇 |
出版年
2024年 | 351篇 |
2023年 | 1328篇 |
2022年 | 1351篇 |
2021年 | 1630篇 |
2020年 | 1346篇 |
2019年 | 1772篇 |
2018年 | 1133篇 |
2017年 | 1714篇 |
2016年 | 1876篇 |
2015年 | 2062篇 |
2014年 | 3134篇 |
2013年 | 3341篇 |
2012年 | 3371篇 |
2011年 | 3323篇 |
2010年 | 3168篇 |
2009年 | 3340篇 |
2008年 | 3820篇 |
2007年 | 3506篇 |
2006年 | 3699篇 |
2005年 | 3381篇 |
2004年 | 3533篇 |
2003年 | 2763篇 |
2002年 | 1914篇 |
2001年 | 1785篇 |
2000年 | 1404篇 |
1999年 | 1510篇 |
1998年 | 1133篇 |
1997年 | 1033篇 |
1996年 | 887篇 |
1995年 | 849篇 |
1994年 | 783篇 |
1993年 | 700篇 |
1992年 | 790篇 |
1991年 | 747篇 |
1990年 | 601篇 |
1989年 | 569篇 |
1988年 | 308篇 |
1987年 | 157篇 |
1986年 | 92篇 |
1985年 | 69篇 |
1984年 | 41篇 |
1983年 | 29篇 |
1982年 | 15篇 |
1981年 | 1篇 |
1979年 | 2篇 |
1959年 | 6篇 |
1936年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 406 毫秒
81.
主要介绍了一个引理,这个引理奠定了K4-同胚图K4(α,1,1,δ,ε,η)色性研究的基础。 相似文献
82.
高温固相反应合成了蓝色长余辉光致荧光材料CaAl2O4∶Eu2 ,Nd3 ,La3 ,激发后在暗室中观察,余辉的颜色为蓝色。进行了添加辅助激活剂的实验,首次在CaAl2O4∶Eu2 ,Nd3 中添加La3 。测定了该长余辉材料的激发光谱、发射光谱、余辉亮度和可视余辉时间,并对长余辉发光机理进行了探讨。余辉发射光谱的峰值波长为440nm,可视余辉时间达到18h以上。波长为280~380nm的光都可将该材料激发。实验结果表明,添加辅助激活剂La3 ,延长了CaAl2O4∶Eu2 ,Nd3 的可视余辉时间。在CaAl2O4∶Eu2 ,Nd3 ,La3 中,Eu2 是发光离子,Nd3 和La3 是辅助激活剂,发射光谱由Eu2 的激发态4f65d到基态4f7的电子跃迁产生。 相似文献
83.
84.
85.
为了准确计算出镀膜过程中每层膜的折射率,介绍了实时监控过程中确定膜层折射率的2种方法:一种是由实测的透射比光谱直接反算出膜层的折射率;另一种是用最小二乘法的优化算法实时拟合折射率。试验结果表明:在线反算适合单点监控,所得折射率误差小于2%。然而在实际镀膜过程中,由于宽带内膜层参数误差较大,一般大于25%。为此,采用最小二乘法拟合,即在整个宽光谱范围内采集每个波长点的信息,所得结果误差很小,一般都在2%~5%之间,有时可达到10%,在很大程度上提高了实际镀膜时膜厚监控的精度。 相似文献
86.
87.
图G称为K1,n-free图,如果它不含K1,n作为其导出子图.对K1,n-free图具有给定性质的[a,b]-因子涉及到最小度条件进行了研究,得到一个充分条件. 相似文献
88.
通过对Σ-原子的理论分析,数值求解了相应的Dirac方程,得到 了一组Σ-原子的能级值,与实验数据相当吻合;其结果连同K-原子的情况支持了Batty 光学模型势在奇异原子中应用的正确性,进而表明核子间的强相互作用力为吸引力. 相似文献
89.
本文首先将文[1]中的BLD映射推广为弱(L1,L2)-BLD映射,并证明了如下正则性结果:存在两个可积指数 P1=P1(n,L1,L2)<n<q1=q1(n,L1,L2),使得对任意弱(L1,L2)-BLD映射f∈(Ω,Rn),都有f∈(Ω,Rn),即f为(L1,L2)-BLD映射. 相似文献
90.
利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-Al2O3衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl2O4表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl2O4在高温下不稳定. 在ZnAl2O4覆盖的α-Al2O3衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl2O4厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量. 相似文献