首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   9390篇
  免费   2872篇
  国内免费   7958篇
化学   13285篇
晶体学   726篇
力学   654篇
综合类   226篇
数学   79篇
物理学   5250篇
  2024年   99篇
  2023年   384篇
  2022年   413篇
  2021年   540篇
  2020年   428篇
  2019年   573篇
  2018年   371篇
  2017年   549篇
  2016年   586篇
  2015年   622篇
  2014年   1264篇
  2013年   1135篇
  2012年   946篇
  2011年   1019篇
  2010年   1017篇
  2009年   1049篇
  2008年   1047篇
  2007年   896篇
  2006年   1048篇
  2005年   987篇
  2004年   859篇
  2003年   835篇
  2002年   634篇
  2001年   544篇
  2000年   362篇
  1999年   357篇
  1998年   255篇
  1997年   268篇
  1996年   183篇
  1995年   184篇
  1994年   130篇
  1993年   113篇
  1992年   149篇
  1991年   117篇
  1990年   95篇
  1989年   94篇
  1988年   24篇
  1987年   10篇
  1986年   9篇
  1985年   16篇
  1984年   5篇
  1983年   4篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
Synthesis of GaN Nanorods by Ammoniating Ga2O3/ZnO Films   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
Large quantities of CaN nanorods are successfully synthesized on Si(111) substrates by ammoniating the films of Ga2O3/ZnO at 950℃ in a quartz tube. The structure, morphology and optical properties of the as-prepared CaN nanorods are studied by x-ray diffraction, scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy, Fourier transform infrared spectroscopy, and photoluminescence. The results show that the CaN nanorods have a hexagonal wurtzite structure with lengths of several micrometres and diameters from 80 nm to 300hm, which could supply an attractive potential to harmonically incorporate future GaN optoelectronic devices into Si-based large-scale integrated circuits. The growth mechanism is also briefly discussed.  相似文献   
102.
微纳米加工技术在纳米物理与器件研究中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
物质在纳米尺度下可能呈现出与体材料不同的物理特件,这正是纳米科技发展的基础之一。要想探索在纳米尺度下材料物埋性质的变化规律及可能的应用领域,离不开相应的技术手段,微纳米加工技术作为当今高技术发展的重要技术领域之一,是实现功能人工纳米结构与器件微纳米化的基础。本文根据几个不同的应用领域,介绍了微纳米加工技术在纳米物理与器件研究领域的应用。  相似文献   
103.
微纳米加工技术及其应用综述   总被引:2,自引:0,他引:2  
崔铮 《物理》2006,35(1):34-39
材料与结构在微纳米尺度展现了许多不同于宏观尺度的新特征,纳米技术已经成为当前科学研究与工业开发的热门领域之一。微小型化依赖于微纳米尺度的功能结构与器件,实现功能结构微纳米化的基础是先进的微纳米加上技术,文章对微纳米加上技术做了一个综合的介绍,简要说明了微纳米加工技术与传统加工技术的区别,在微纳米加工技术的应用方面提出了一些合理选择加工技术的原则,并对当前微纳米加工技术面临的挑战和今后发展的趋势作了预测。  相似文献   
104.
将(4,4',4',4')四羧基酞菁钴(CoTcPc)和HRP标记核基质蛋白22抗体(HRP-Ab-NMP22)一起固定在Au电极表面,构建了一种快速测定膀胱肿瘤患者尿液中NMP22抗原含量的安培免疫传感器(HRP-Ab-NMP22/Fe3O4/CoPc CME).实验表明:该传感器对NMP22抗原具有良好的电化学响应,HRP对H2O2电催化氧化电流I0降低,△I0与NMP22浓度在1.0~150ng·mL-1成线性关系,检测限则为0.5ng·mL-1.该传感器基于一次性竞争性免疫反应,较Elisa法提高了检测速度,有望用于膀胱肿瘤的迅速诊断.  相似文献   
105.
纳米累托石-TiO2光催化剂的制备及表征   总被引:1,自引:1,他引:0  
以TiCl4和累托石为主要原料,制备出纳米累托石-TiO2粉末,并用X-衍射、透射电镜等对其进行表征.结果表明:纳米累托石-TiO2粉末平均直径为17.5nm当焙烧温度从500℃升至800℃时,累托石-TiO2粉末的比表面积从65.7m^2/g下降至3.3m^2/g,单位质量吸附剂的孔体积从0.1430cm。/u降到0.0213cm^3/g;当焙烧温度从300℃上升至500℃时,孔径变化不大,属中孔范围;当焙烧温度升至800℃时,一些孔道出现坍塌,不利于纳米累托石-TiO2粉末的光催化活性.  相似文献   
106.
为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响,利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟,近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势:β=h/ρ(1/1+W)+1/2(1/1+W)2+3,其中h为纳米导线的高度,ρ为纳米导线的半径,W是以R为自变量的函数,R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小,而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素:当R<R0时,场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小;当R>R0时,场发射增强因子基本不变,其中R0为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势,但是随着阵列数目的增加,R0会有一定程度的减小,场发射增强因子也会降低. 关键词: 纳米导线 场发射 增强因子 阵列数目  相似文献   
107.
SHS等离子喷涂制备FeAl2O4-Al2O3-Fe纳米复合涂层的研究   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
利用SHS等离子喷涂技术,将经过机械团聚法制备的Fe2O3-Al复合粉体送入等离子焰流,沉积出厚度约为400 μm的复合涂层.利用XRD,SEM 和TEM等检测手段对涂层的成分和组织进行了分析,测定了涂层的显微硬度、断裂韧性以及耐磨性.结果表明涂层为具有纳米结构的FeAl2O4-Al2O3-Fe纳米复合组织;涂层的显微硬度为HV100g870;断裂韧性是普通Al2O3涂层的2倍;无润滑磨损的耐磨性是普通Al2O3涂层的2.5倍.  相似文献   
108.
采用熔体快淬的方法制备Pr2Fe14B/α-Fe纳米晶复合永磁材料.使用振动样品磁强计(VSM)测量样品的室温磁性能.实验合金成分为(PrxFe94.3-xB5.7)0.99Zr1(其中x=8.2,8.6,9.0,9.4,9.8,10.2,10.6,11.0,11.4(原子分数,%)).系统地研究了辊速及合金成分对快淬带磁性能的影响,当Pr原子分数由8. 关键词: 纳米复合永磁材料 熔体快淬 2Fe14B/α-Fe')" href="#">Pr2Fe14B/α-Fe 磁性  相似文献   
109.
曾晖  胡慧芳  韦建卫  谢芳  彭平 《物理学报》2006,55(9):4822-4827
运用第一性原理的密度泛函理论结合非平衡格林函数研究了含有五边形—七边形拓扑缺陷的纳米碳管异质结的输运性质.结果发现:拓扑缺陷对碳管的输运性质有很大影响;另外,不同类型的碳管形成的异质结的输运性质也有明显的差异. 关键词: 纳米碳管 输运性质 异质结 透射系数  相似文献   
110.
采用电感耦合等离子体-原子发射光谱法同时测定彩涂前处理表面调整转化层中Ti、Ni含量及钝化膜中Cr含量.以表征表面调整转化层厚度及钝化膜厚度,采用本方法准确度高、快速简便,经试验结果令人满意.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号