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131.
醇体系中合成CuGaS2纳米晶及其形貌演变 总被引:1,自引:0,他引:1
以CuCl2·2H2O,自制的GaCl3和(NH2)2CS为原料,在乙二醇体系中合成了花状结构的CuGaS2纳米晶.产物分别用X射线粉末衍射仪、透射电子显微镜、场发射扫描电子显微镜、高分辩透射电子显微镜和X射线光电子能谱仪进行了表征.实验结果表明,220℃反应24 h得到均匀的花状纳米结构CuGaS2,它是由厚度80-100 nm的片晶组成.同时,通过反应时间的控制,可以清楚的看到由纳米颗粒到纳米球以及花状纳米结构的演变过程.另外,研究了反应温度、反应时间、溶剂等对产物和形貌的影响.此外,对花状结构纳米晶的生长机理进行了初步的探讨.室温荧光光谱表明,随粒径的降低,发光位发生了部分蓝移. 相似文献
132.
聚合物纳米孔隙增透膜制备工艺的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
论述了聚合物纳米孔隙增透膜的制备工艺流程,分析了聚合物材料分子量、实验环境温度和湿度、溶剂挥发性等条件对纳米孔隙增透膜的影响。研究表明,聚合物材料分子量的增大、温度的降低、湿度的升高以及采用挥发性弱的溶剂都将导致增透膜孔隙尺寸的增大,孔隙越大其对光的散射损耗就会增大,所以增透膜的透过率就越低。通过大量的试验分析得出一组较理想的工艺参量:使用低分子量的聚合物材料(小于15 kg/mol),环境温度大于25℃、环境相对湿度小于30%,在采用低沸点的溶剂如四氢呋喃等措施下可有效降低增透膜散射损耗。 相似文献
133.
采用气相沉积技术在Si衬底上生长了Zn-Zn2SiO4芯-壳结构纳米同轴线阵列。根部呈笋状的纳米同轴线,直径约100nm,长度可以超过10μm;同轴线芯直径约50nm、壳层厚约25nm。通过X射线衍射的表征以及能量色散谱的线扫描,确定纳米同轴线的芯为Zn,壳层为Zn2SiO4。我们提出了一种新的生长机制,同时也为生长均匀的纳米同轴线提供一种新的技术。观察阴极荧光谱发现,纳米同轴线有三个主要发光带:强度最大的中紫外300nm发光、较弱的可见光区560nm以及红外谱区865nm的发光。对纳米同轴线截面的300nm发光峰观测发现,中紫外发光来源于Zn2SiO4壳层。正是这种同轴线的结构,使得其具备特殊的光学性质。 相似文献
134.
135.
136.
α-Fe_2O_3纳米微粒/硬脂酸交替L-B膜的结构表征 总被引:1,自引:0,他引:1
纳米微粒(NP)是一个新的物质层次,它具有一系列新异的物理、化学特性,涉及到大块样品中所忽略的,或根本不具有的基本物理、化学问题.用NP 制造新型的人工功能材料具有广泛的潜在应用.一个有意义的挑战是能否对NP 进行有序的组装.Zhao andFendler 等曾利用Fe_3O_4NP 进行有序组装的尝试.我们也在前期的初步研究中利用Langmuir-Blodgett(LB)技术对7nm 的α-Fe_2O_3 NP 进行了有序组装的探索,获得了α-Fe_2O_3 NP-硬脂酸交替LB 多层膜(FNSLF).然而这种交替膜的有序情况还不十分清楚. 相似文献
137.
138.
纳米二氧化锆制备过程的DSC、TGA和XRD研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用DSC、TGA和XRD技术研究了在沉淀法制备纳米ZrO2的过程中,残留NH4Cl、pH值、滴加方式、以及结构稳定剂Y2O3的添加量对结晶过程的影响。结果表明,残留NH4Cl使结晶化温度降低,使放热过程变为吸热过程。而pH值、滴加方式和结构稳定剂的添加对结晶过程无明显影响。 相似文献
139.
140.
采用纳米化学技术制备了新型的纳米复合固体超强酸催化剂SO42-/ZrO2-Fe2O3,并用XRD、TEM进行了表征.结果表明:所研制的SO42-/ZrO2-Fe2O3催化剂为晶态纳米粒子,平均粒径为30 nm,分散性较好;当活化温度为580℃,反应温度为75℃,n(硝酸)/n(苯)=2,m(苯)/m(催化剂)=20,催化反应时间5 h时,硝基苯收率可达89.6%. 相似文献