Zn1-xCoxO稀磁半导体薄膜的结构及其磁性研究

利用X射线吸收精细结构、X射线衍射和磁性测量等技术研究脉冲激光气相沉积法制备的Zn1-zCoxO(x=0.01,0.02)稀磁半导体薄膜的结构和磁性.磁性测量结果表明Zn1-xCoxO样品都具有室温铁磁性.X射线衍射结果显示其薄膜样品具有结晶良好的纤锌矿结构.荧光X射线吸收精细结构测试结果表明,脉冲激光气相沉积法制备的样品中的Co离子全部进入ZnO晶格中替代了部分Zn的格点位置,生成单一相的Zn1-xCoxO稀磁半导体.通过对X射线吸收近边结构谱的分析,确定Zn1-xCoxO薄膜中存在O空位,表明Co离子与O空位的相互作用是诱导Zn1-xCoxO产生室温铁磁性的主要原因.     

新型稀土配合物的合成表征及EXAFS研究

合成了五种新的稀土配合物RE2(NO3)6L2.nH2O, 其中L为一新的含β-双酮和Schiff-base配体, 1, 5-双(1'-苯基-3'-甲基-5'-吡唑啉酮-4')-1-(4'-氨基丁烷-1'-亚胺基)-5-戊酮, RE=Sm, Eu, Gd, Dy, Ho。对配合物进行了质谱、FTIR、变温红外、EXAFS等研究。结果表明: 配合物为双核结构; 配合物中NO3^-以离子型、单齿及双齿同时存在; 配体L中的C=O, C=N及NH2均参与配位; 稀土离子的总配位数为8, 双配位层分别为2个氮和6个氧, RE-N距离在0.230~0.240nm, RE-O0.240~0.250nm。     

类锂等电子系列(1s2p2p)~4 P~e和(1s2s2p)~4 P~0态的能量和精细结构研究

利用改进的马鞍点方法,截断变分方法,并考虑能量的相对论修正和质量极化效应,计算和研究了类理等电子系列的两个四重态（１ｓ２ｐ２ｐ）４Ｐ０和（１ｓ２ｓ２ｐ）４Ｐｅ态的精细结构和平均跃迁波长,并与实验和其它理论计算结果进行了比较。     

LaⅡ5d~(21)G_4→4f5d~1F_3超精细结构光谱测量

利用少有的共线快离子激光光谱学方法研究了LaⅡ的超精细结构 ,测量了 5d2 1G4 态→ 4f5d1F3 态的超精细结构光谱 ,分别得出了相应的磁偶极矩和电四极矩的超精细相互作用常数 .     

PdⅩⅣ-CdⅩⅥ离子4s24p3和4s4p4组态精细结构能级与跃迁的扩展分析

用多组态HXR理论方法对KrⅣ-CdⅩⅥ离子4s^24p^3和4s4p^4组态的精细结构能级进行了分析计算。在已有研究工作的基础上,通过对4s^24p^3和4s4p^4组态能级的实验观测值与HXR计算结果之差AE沿等电子序列变化规律的分析．找出了△E随有效核电荷数Zc变化的规律,预言并计算了PdⅩⅣ-CdⅩⅥ离子4s^24p^3和4s4p^4组态能级,大部分预言计算值与实验结果的偏差小于100cm^-2。由此还进一步计算了PdⅩⅣ-CdⅩⅥ离子4s^24p^3—4s4p^4跃迁的谱线波长、振子强度和跃迁概率。结果表明：除了4s^24p^3D5/2-4s4p^4^2D5/2跃迁的谱线波长(29．992nm)与实验值相差0．018nm外．对于其余5条谱线．预言值与实验值的偏差均不超过0．005nm。     

钫原子磁偶极超精细结构常数及其同位素的磁偶极矩的理论计算

应用基于B样条基组的相对论耦合簇理论方法,计算了~(212)Fr原子的n S (n=7—12), n P (n=7—12)和n D (n=6—11)态的磁偶极超精细结构常数.与精确实验值的比较说明这套理论方法能精确计算出磁偶极超精细结构常数,其中7P态的磁偶极超精细常数的理论值与实验值之间的差异小于1%.在忽略场移效应对Fr原子7P态超精细结构常数的影响下,通过结合实验值进一步定出了~(207-213,220-228)Fr核磁偶极矩μ,这些值与已有的测量值具有非常好的一致性.本文报道了12S, n P (n=9—12)和n D (n=10—11)态的磁偶极超精细结构常数.     

Nd:YVO4/KTP环形倍频激光器三次谐波稳频碘吸收谱线超精细结构的研究

采用三次谐波稳频的方法,对Nd：YVO4／KTP环形倍频激光器的碘吸收谱线的超精细结构进行研究,在实验上观测到的两组谱线的超精细结构与理论值基本相符,其中,观测到的R(70)36-1谱线属于第一激发态跃迁,这一结果尚未见报道。     

硼原(离)子内壳激发高自旋态能级和辐射跃迁

采用Rayleigh-Ritz变分方法计算了B原子(离子)内壳层激发高自旋态(~(4,5,6)L,L=S,P)里德伯系列的能量和精细结构劈裂,利用截断变分方法改进非相对论能量,并利用一阶微扰理论计算了相对论能量修正和质量极化效应修正,利用屏蔽的类氢公式计算了量子电动力学效应和高阶相对论效应,从而得到了高精度的组态能量.利用精确计算的波函数,计算了这些高自旋态的电偶极辐射跃迁波长、振子强度和辐射跃迁概率.通过长度规范和速度规范计算的振子强度的一致性证明了本文计算的波函数是精确的.相比其他理论计算结果,本文计算的高自旋态的能级及跃迁波长数据与实验数据符合得更好.对于一些高位的内壳层激发高自旋态,相关的能级和跃迁数据为首次报道,本文的计算结果对相关实验光谱谱线标定具有重要意义.     

Magnetic Properties of Co-Doped TiO2 Films Grown on TiN Buffered Silicon Substrates

Co-doped TiO2 thin films are grown on TiN buffered silicon substrates by the pulsed laser deposition method and then hydrogenated. Transmission electron microscopy and high-angle annular dark-field scanning transmission electron microscopy measurements have shown that the TiN buffer layer can suffer a 400℃ deposition temperature and prevent the growth of silicon dioxide on silicon. After that, the room temperature ferromagnetism behaviors are observed in the hydrogenated samples, which are measured by the alternating gradient magnetometer. X- ray photoelectron spectroscopy and x-ray absorption fine structure measurements have revealed the existence of cobalt clusters. According to the material analysis, the magnetic behavior after hydrogenation is suggested to be induced by the enhancement of cobalt dusters.