全文获取类型
收费全文 | 28545篇 |
免费 | 3691篇 |
国内免费 | 6183篇 |
专业分类
化学 | 16512篇 |
晶体学 | 1408篇 |
力学 | 3390篇 |
综合类 | 783篇 |
数学 | 5028篇 |
物理学 | 11298篇 |
出版年
2024年 | 156篇 |
2023年 | 560篇 |
2022年 | 613篇 |
2021年 | 720篇 |
2020年 | 552篇 |
2019年 | 776篇 |
2018年 | 476篇 |
2017年 | 797篇 |
2016年 | 855篇 |
2015年 | 939篇 |
2014年 | 1575篇 |
2013年 | 1464篇 |
2012年 | 1732篇 |
2011年 | 1712篇 |
2010年 | 1498篇 |
2009年 | 1599篇 |
2008年 | 1783篇 |
2007年 | 1539篇 |
2006年 | 1546篇 |
2005年 | 1612篇 |
2004年 | 1558篇 |
2003年 | 1658篇 |
2002年 | 1416篇 |
2001年 | 1331篇 |
2000年 | 1073篇 |
1999年 | 841篇 |
1998年 | 795篇 |
1997年 | 847篇 |
1996年 | 936篇 |
1995年 | 858篇 |
1994年 | 671篇 |
1993年 | 648篇 |
1992年 | 736篇 |
1991年 | 759篇 |
1990年 | 713篇 |
1989年 | 611篇 |
1988年 | 133篇 |
1987年 | 110篇 |
1986年 | 79篇 |
1985年 | 61篇 |
1984年 | 34篇 |
1983年 | 34篇 |
1982年 | 8篇 |
1981年 | 1篇 |
1980年 | 1篇 |
1979年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
1951年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 359 毫秒
31.
32.
采用顶部籽晶提拉法(TSSG)生长出Yb:KY(WO4)2(Yb:KYW)激光晶体.对预烧后的原料及晶体进行了XRD分析,结果表明,分别在920℃和600℃预烧8h后的熔质和助熔剂基本上形成一相,抑止了实验中的挥发问题;所生长的晶体为β-Yb:KYW,计算其晶格常数为a=1.063nm,b=1.034nm,c=0.755nm,β=130.75°.测得不同厚度样品的吸收光谱,结果表明样品在933nm和981nm有较强的吸收峰,计算出主峰981nm的吸收截面σ关键词:
Yb:KYW
TSSG法
晶体结构
光谱参数 相似文献
33.
用共沉淀法制备了Y2O2S∶Eu3 ,Mg2 ,Ti4 红色长余辉材料。测量了材料的电子显微形貌、晶体结构和发射光谱。通过与固相法制备的Y2O2S∶Eu3 ,Mg2 ,Ti4 长余辉材料比较,发现两种方法都可以制备粒度基本相同的纯相Y2O2S基质晶体,但共沉淀法样品的颗粒结构更松散。研究了Eu3 浓度对两种方法制备样品的谱线发射强度的影响,通过比较共沉淀法和高温固相法制备的样品中Eu3 的5D1→7F3较高能级跃迁的587.6 nm谱线强度随Eu3 浓度的变化,发现共沉淀法更有利于Eu3 均匀进入Y2O2S基质晶格而形成有效的发光中心。 相似文献
34.
针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R□为100—300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic
关键词:
二氧化钒
电阻温度系数
氧分压
射频反应溅射法 相似文献
35.
36.
利用Riccati变换求解同谐谐振子的定态薛定谔方程,求得了能谱及态函数
关键词:
同调谐振子
本征值谱
Riccati变换法 相似文献
37.
38.
基于小波变换和数学形态学的运动物体检测 总被引:1,自引:0,他引:1
李晓亮 《南昌大学学报(理科版)》2006,30(6):624-626,630
提出了一种基于帧差法和小波变换相结合的运动目标检测方法,充分利用帧差法计算简单和小波变换的多尺度特性。实验表明,这种方法可以有效地从复杂自然场景的图像序列中检测出完整的运动目标。而且能够有效的抑制噪声。同时减少计算时间,满足检测的实时性要求。 相似文献
39.
通过反应磁控溅射过程中的等离子体发射光谱,研究了制备ZnO薄膜的沉积温度、氧气流量比例R=O2/(O2+Ar)对Zn和O原子发射光谱的影响,并结合ZnO薄膜的结构和物理性能,探讨了沉积温度在ZnO薄膜生长中的作用.研究结果显示:当R≥0.75%时, Zn的溅射产额随R的增加基本呈线性下降规律.当R介于10%—50%时,氧含量的变化相对平缓,有利于ZnO薄膜生长的稳定性控制.Zn原子发射光谱强度随沉积温度的变化可以分为三个阶段.当沉积温度低于250℃时,发射光谱强
关键词:
ZnO
薄膜生长
反应磁控溅射
等离子体发射光谱 相似文献
40.