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在硝酸介质中,痕量铬(Ⅵ)能灵敏的催化氧化DBC褪色。研究了反应的最佳条件,建立了测定痕量铬(Ⅵ)的新方法。检出限可达10^-9g/ml,测定范围为0.12--0.7μgCrC(Ⅵ)/10ml,方法简便、灵敏、快速、准确。用于测定水中的痕量铬(Ⅵ),获得了满意的结果。 相似文献
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微模塑法制备PMMA/SiO2二氧化硅杂化材料微结构 总被引:1,自引:0,他引:1
以摩尔比为 1∶1的甲基丙烯酸甲酯 (MMA)、甲基丙烯酸 (3 三乙氧基硅烷基 )丙酯 (ESMA)单体、0 .2 %(单体总量的质量分数 )的偶氮二异丁腈AIBN引发剂和四氢呋喃 (THF)溶剂 ,及 2 0 % (总质量分数 )的正硅酸乙酯TEOS合成出PMMA/SiO2 有机 无机杂化的杂化溶胶 .将溶胶在洗净的普通光学玻璃基片表面甩膜 .利用软刻蚀中的微模塑法 ,把有机硅弹性印章复制有精细图纹一面轻放在杂化溶胶膜上进行微模塑 ,外加 1N压力于12 0℃下处理 2h使溶胶凝胶化 .印章剥离后在基片表面就形成了PMMA/SiO2 有机 无机杂化材料的微图纹结构 .从微图纹的光学显微镜照片可以看出微模塑方法制备杂化材料复制的图纹精细度高 ,操作简单易行 ,是一类比较理想的微细图纹结构加工的方法 . 相似文献
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本文通过制备吸附树脂D3520负载的钴,锰双金属氧化物催化剂(Co-Mn-O/D3520),考察了在强碱性醇溶液中氧化对甲酚制对羟基苯甲醛的催化性能。利用XRD,XPS,IR等方法研究了催化剂的表面结构及其与催化性能的关系。 相似文献
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We study the pulsed laser ablation of wurtzite gallium nitride(GaN) films grown on sapphire,using the femtosecond laser beam at a central wavelength of 800nm as the source for the high-speed ablation of GaN films.By measuring the backscattered Raman spectrum of ablated samples,the dependence of the ablation depth on laser fluence with one pulse was obtained.The threwshold laser fluence for the ablation of GaN films was determined to be about 0.25J/cm^2,Laser ablation depth increases with the increasing laser fluence until the amount of removed material is not further increased.The ablated surface was investigated by an optical surface interference profile meter. 相似文献
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用XRD,ESR和TPD等技术研究冲击波处理的结晶MgO后发现,MgO的晶格发生畸变,微应力值ε1/2D显著增大,有大量缺陷产生并形成F心,晶体的平均晶粒减小,且表现出各向异性,从而引起了催化剂表面碱中心强度增大,数目变化,在对乙烷氧化脱氢反应中表现出较高的活性和对乙烯的选择性,初步讨论了可能的结构模型和催化机理。 相似文献