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| SiC多型体X射线定量分析的Rietveld方法 | |
| 引用本文： | 刘红超,郭常霖.SiC多型体X射线定量分析的Rietveld方法[J].物理学报,1997,46(3):524-529. |
| 作者姓名： | 刘红超 郭常霖 |
| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 摘 要： | 鉴于ＳｉＣ多型体的主要衍射线完全重叠，用常规Ｘ射线粉末衍射方法确定ＳｉＣ陶瓷材料中多型体含量的分布是非常困难的，提出以Ｘ射线粉末衍射全谱拟合的Ｒｉｅｔｖｌｄ方法进行ＳｉＣ多型体定量分析，阐述了原理及方法，对含３Ｃ，４Ｈ，６Ｈ和１５Ｒ４种多型体衍射数据的定量分析结果表明，Ｒｉｅｔｖｅｌｄ方法可对ＳｉＣ材料中常见多型体的定量分析给出准确的结果，还给出了各自的标准偏差，并估计了该方法对各多型体能给出精确 |
| 关 键 词： | 碳化硅 陶瓷材料 多型体 X射线分布 |
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