金属纳米颗粒的热导率

本文使用统计模拟方法对金属纳米颗粒的电子平均自由程进行了计算,并考察了纳米颗粒的晶格比热和声子平均群速度,最后应用动力学理论对纳米颗粒的电子热导率和声子热导率分别进行了求解.研究结果表明:具有相同特征尺寸的方形、球形纳米颗粒的无量纲电子(或声子)平均自由程比较接近.金属纳米颗粒的电子热导率远大于声子热导率;电子、声子热导率随着直径减小呈现降低趋势,而电子热导率的颗粒尺度依赖性比声子热导率更为明显;随着颗粒直径进一步减小,声子热导率与电子热导率趋于同一数量级.当纳米颗粒特征尺寸大于4倍块材电子(或声子)平均自由程,其电子(或声子)热导率的颗粒尺度依赖性将减弱.     

非稳态闪光法测量不良导体热导率光电系统的改进

利用电子闪光灯代替高压脉冲电源及氙灯，对非稳态闪光法测量不良导体热导率仪器的光电系统做了改进，减小了电磁辐射干扰。     

单晶硅薄膜面向热导率分子动力学研究

采用非平衡分子动力学方法(NEMD)研究了室温(300 K)下厚度为2～32 nm的单晶硅薄膜的沿膜平面方向的热导率,并使用Debye-Einstein模型对模拟温度进行了量子修正。模拟表明薄膜面向热导率小于相应的大体积值,并随膜厚度减小而减小,具有显著的尺寸效应。在模拟范围内膜面向热导率略大于其法向热导率;与声子气动力论的定性结果一致。晶体的表面弛豫和表面重构现象导致了MD模拟中体系总内能的升高。     

MgB2混合态热导率的反常增强

测量了MgB2多晶样品的混合态热导率,磁场强度为0-7 T,温度范围为5-45 K.实验结果显示MgB2热导率在低场下迅速上升,高场下趋于饱和,这与MgB2的二能隙电子结构有关.对实验结果的分析指出,低温强场下MgB2多晶样品热导率的显著增强无法完全用电子热导来解释,并对此进行了讨论.     

磁性杂质效应与稀磁合金中的低温电阻和热导率

本文基于Ａｎｄｅｒｓｏｎｓｄ混合作用和ｓｄ交换作用，利用Ｇｒｅｅｎ函数方法，定量地研究了磁性杂质效应在充分低的温度下，对稀磁合金中低温电阻和热导率的影响．由此得知，ｓｄ混合效应和ｓｄ交换效应所引起的电阻按温度的平方律减小，且ｓｄ交换效应所引起的低温电阻随温度的平方律减小的更快，同时热导率随温度的升高而变大．     

Y3Al5O12的热输运性质的第一性原理研究

基于密度泛函微扰理论（DFPT）结合模守恒赝势方法进行晶格动力学模拟.得到了钇铝石榴石（YAG）的声子态密度、分波声子态密度和声子的色散谱.利用第一Brillouin区的特殊点取样方法,计算了YAG的比热容和布局数平均的声子群速度.在非谐相互作用下,利用Fermi黄金公式结合第一Brillouin区的特殊点取样方法,得出了YAG非谐声子平均自由程.综合考虑了两种声子散射机制,得到了YAG陶瓷的热导率.结果表明,对于YAG陶瓷,在低温时,晶界散射将对热阻起主要作用;在高于一定温度时,三声子相互作用对热阻的贡献将占主导地位.同时也从理论上证明了Sato等提出的在室温以上,YAG陶瓷与单晶的热导率的差异可以忽略的观点.所得到的热导率、比热容随温度的变化与实验结果很好地符合. 关键词： 声子平均自由程 密度泛函微扰理论 3Al₅O₁₂声子结构')" href="#">Y₃Al₅O₁₂声子结构 热导率     

基于微结构参数建模的多孔硅绝热层热导率研究

多孔硅由于具有较低的热导率,因而可以将其作为半导体器件中的绝热层.与其他从边界散射等复杂微观热传导机制出发建模研究多孔硅的热导率不同,将多孔硅热导率影响机制更表观地归结到孔洞的存在和分布等结构因素上,把整个多孔硅视为由硅连续材料介质和孔洞连续介质通过串联和并联组合成的复合微结构,给予其低热导率一个更为易于理解和简化的解释.进一步把孔隙率对等效热导率的影响分解为两个不同的部分,即纵向部分和横向部分,半定量地给出不同的孔洞结构和分布下孔隙率与等效热导率的关系.与实验数据进行对比后验证了模型的有效性.继而从结构的角度说明了多孔硅热导率较低的原因.     

瞬态电阻法测量材料热导率

1介质中发热导体的电阻温度关系 导体电阻与温度的函数关系为：     

Thermal transport property of investigated by molecular Ge34 and d-Ge dynamics and the Slack＇s equation

In this study, we evaluate the values of lattice thermal conductivity κL of type Ⅱ Ge clathrate （Ge34） and diamond phase Ge crystal （d-Ce） with the equilibrium molecular dynamics （EMD） method and the Slack＇s equation. The key parameters of the Slack＇s equation are derived from the thermodynamic properties obtained from the lattice dynamics （LD） calculations. The empirical Tersoff＇s potential is used in both EMD and LD simulations. The thermal conductivities of d-Ge calculated by both methods are in accordance with the experimental values. The predictions of the Slack＇s equation are consistent with the EMD results above 250 K for both Ge34 and d-Ge. In a temperature range of 200-1000 K, the κL value of d-Ge is about several times larger than that of Ge34.