一类退化半导体方程弱解存在性的研究

文章研究了当■(s)=sm(m>1),b(s)=s2和初值为u0,v0∈L 2(Ω)时一类退化半导体方程弱解的存在性．文章首先将原问题正则化,然后对正则化问题在L 2(Ω)空间上做出了有界估计,最后利用收敛性得到了问题的结论．     

用等离子体治疗牙病

等离子体清洗经常使用在材料处理和半导体工业上，虽然等离子体也可以快速地消灭细菌，但由于它们都处于高温状态，所以一直无法应用到生物医学领域．三年前，荷兰Eindhoven大学的一些物理学家发展了一种可在室温下工作的“等离子体针”。     

基于SOA和NOLM的光脉冲放大与压缩的设计模型

设计了一种基于半导体光放大器(SOA)和非线性光学环镜(NOLM)的光脉冲放大与压缩的模型。数值研究结果表明:在NOLM中,当调节合适的控制脉冲的输入和初始时延时,具有较低峰值功率、宽度为几十皮秒的高斯信号脉冲经此模型放大压缩后,可以得到脉冲峰值增益高、脉冲宽度窄以及基本无基座的高质量超短信号光脉冲。     

中科院完成返回式卫星搭载实验

近日，中科院物理所和金属所合作，共同参与搭载我国第22颗返回式卫星进行空间微重力实验。在空间微重力环境下，观察了银基合金和半导体化合物熔滴形貌变化、液／固界面的润湿过程及熔滴凝固前后接触角的差异，研究了液／固界面反应及特性表征，并成功地完成了近距离摄像机、有视窗加热炉等硬件的研制，取得了预定结果。     

铭记心底的激情时光

于敏院士是我国著名核物理学家、理论物理学家、核武器专家。今年8月16日是他80华诞喜庆，于敏先生把毕生的精力和智慧献给了祖国的核事业，在原子核理论、核武器的基础理论、等离子体和自由电子激光理论研究等方面建立了不朽的功绩。在此，我祝于敏院士健康长寿、家庭幸福、学术生命长青！     

基于半导体光放大器进行光标签提取的性能分析

利用半导体光放大器增益饱和数学模型，第一次分析了基于单个半导体放大器进行光标签提取的节点性能.通过对半导体光放大器的参量分析和优化，仿真显示，对于标签速率2.5 Gb/ s 、净荷速率40 Gb/s 的光分组包，提取的标签消光比可达到13 dB.     

A Novel Contactless Method for Characterization of Semiconductors：Surface Electron Bean Induced Voltage in Scanning Electron Microscopy

We present a novel contactless and nondestructive method called the surface electron beam induced voltage (SEBIV) method for characterizing semiconductor materials and devices.The SEBIV method is based on the detection of the surface potential induced by electron beams of scanning electron microscopy (SEM).The core part of the SEBIV detection set-up is a circular metal detector placed above the sample surface.The capacitance between the circular detector and whole surface of the sample is estimated to be about 0.64pf.It is large enough for the detection of the induced surface potential.The irradiation mode of electron beam (e-beam) influences the signal generation When the e-beam irradiates on the surface of semiconductors continuously,a differential signal is obtained.The real distribution of surface potentials can be obtained when a pulsed e-beam with a fixed frequency is used for irradiation and a lock-in amplifier is employed for detection.The polarity of induced potential depends on the structure of potential barriers and surface states of samples.The contrast of SEBIV images in SEM changes with irradiation time and e-beam intensity.     

焚烧炉中多孔介质状垃圾团块传热分析

以焚烧炉中垃圾团块的传热问题为背景,研究含高水分的多孔介质在高温环境下的传热规律。气、固相处于非热平衡态,分别列出其能量方程,且能量方程中考虑辐射项。从描述多孔介质传热的质点方程出发,采用局部容积平均法导出平均化方程,根据经验修正方程中的系数,并列出适当的初始条件和边界条件,用数值计算方法求出垃圾团块中气、固两相的温度场。     

化合物半导体-绝缘体界面的界面态(续)

 三、界面态连续体的动态响应和分布多年来的大量研究结果表明把界面态处理为局域在半导体界面平面处的经典理论完全不能够解释化合物半导体-绝缘体界面的行为特点,从而使人们逐渐认识到界面态的空间分布特征.图3为半导体界面的能带结构示意图.在实际的I-S界面上,界面态是在绝缘体-半导体界面附近,在能量上和空间上的连续分布体(如图中点所示). 这里以n型半导体为例,通过绝缘体中的界面态对电子的捕获和发射过程说明界面态动态响应的特点.由于势垒△Ec的存在,空间分布的界面态与电子的作用只能依介量子力学的隧道效应得以进行.     

Resonant Optical Absorption in Semiconductor Quantum Wells

We have calculated the intraband photon absorption coefficients of hot two-dimensional electrons interacting with polar-optical phonon modes in quantum wells. The dependence of the photon absorption coefficients on the photon wavelength λ is obtained both by using the quantum mechanical theory and by the balance-equation theory. It is found that the photon absorption spectrum displays a local resonant maximum, corresponding to LO energy, and the absorption peak vanishes with increasing the electronic temperature.