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51.
本文研究了一类具有15-C与16-C单键的14β-甲磺酰氧基对映-贝壳杉烷(烯)(6,7和8)在Zn-EtOH体系中的重排反应, 它们均能重排成6, 7, 5, 5并环系统的化合物3, 12, 13a和13b。8重排时生成一个8-OEt化合物, 为这类化合物重排时经过阳离子中间体提供了一个证据。  相似文献   
52.
谱任意的符号模式矩阵   总被引:1,自引:0,他引:1  
高玉斌  邵燕灵 《数学进展》2006,35(5):551-555
一个n阶符号模式矩阵A称为是谱任意的,如果对任意的实系数n次首1多项式r(x),在A的定性矩阵类Q(A)中至少存在一个实矩阵B,使得B的特征多项式是r(x),文中证明了当n为奇数时n阶谱任意符号模式矩阵是存在的。  相似文献   
53.
Outline imaging by THz time domain spectroscopy is proposed. Spectroscopic splitting at interface is reported, The principle of outline imaging is put forward. Experimental results demonstrate the feasibility of outline imaging by spectroscopic splitting, It is shown that clear out:line image of sample interface could be achieved easily by this technique. The spatial resolution is about 0.6mm. The THz-beam focus, the scanning step and the THz pulse width are the critical foctors affecting the imaging resolution. The signal-to-noise ratio of this technique could be improved greatly compared to the conventional transsion imaging.  相似文献   
54.
褪黑激素与HNO3在室温下发生硝基化反应生成褪黑激素的硝基化合物,加NH3·H2O终止反应并用甲酸 甲酸钠缓冲液控制反应液pH3,在原点电位-0.20V(vs.SCE),测量-0.50V处的二阶导数峰高。方法检出限为1μg/L,线性范围为1μg/L~200μg/L,相对标准偏差为2.6%~8.0%,加标回收率为92 0%~110 0%,测定结果与高效液相色谱法进行比较,无显著性差异。  相似文献   
55.
王书鸿  王九庆  叶强  乐琪 《中国物理 C》2002,26(12):1302-1308
为获得尽可能高的正电子(e+)产额,严格控制初级电子(e)束在e+产生靶上的束半径是至关重要的.首先分析了使e束半径增大的各因素和对这些因素的制约;然后以北京正负电子对撞机(BEPC)的正电子源为例,给出了束半径的实测值和计算值的比较,以具体说明这些因素的影响;最后讨论了北京正负电子对撞机二期工程(BEPC-Ⅱ)的相应优化设计研究,提出了获得靶上最小束半径的若干途径.  相似文献   
56.
准Λ型四能级系统中的超窄谱线的研究   总被引:2,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
在一般Λ型三能级模型的基础上提出准Λ型四能级系统,并对准Λ型四能级模型的共振荧光谱作了详尽的研究.从上能级向两边下能级辐射的自发辐射谱中产生了三个超窄谱线,且在很大参数范围内光谱具有这一特性.三个超窄谱线的产生是和两个相干驱动场的Rabi频率密切相关,在较大的Rabi频率作用下谱线会变得更窄,而当只有一个驱动场作用时是不会产生谱线变窄效应的.能级间的碰撞弛豫和非相干激发严重地破坏了谱线变窄.这种超窄谱线效应是多通道量子干涉的结果 关键词: 准Λ型四能级系统 超窄谱线 多通道量子干涉  相似文献   
57.
天光一号预放大器中的放大自发辐射效应   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
 在三维放大自发辐射(ASE)的模拟计算中,计入了侧壁反射效应以及KrF自发辐射的谱线形状(高斯型、洛伦兹型及平顶型)的影响,并对空间网点的影响进行了考察。经过综合分析,给出了ASE对预放大器放大特性影响的上、下限范围。当计入平顶型频谱分布,壁反射系数为 0 .2时,与不计入ASE的情形对比,天光一号预放大器的提取效率下降为35%。  相似文献   
58.
氮化铝薄膜的光学性能   总被引:5,自引:4,他引:1  
分别使用X衍射仪和紫外(190 nm~800 nm)分光光度仪,测量了用分子束外延法生长在SiC(001)基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的吸收谱.X衍射表明:实验所用的AIN薄膜在c-轴存在应变和应力,该应变和应力主要是由于AIN的晶格常量与基底SiC的晶格常量不匹配所致.透射谱表明:AIN薄膜的禁带宽度大约为6.2eV;而其对应的吸收谱在6.2eV处存在一个明显的台阶,此台阶被认为是AIN薄膜中的带边自由激子吸收所产生,忽略激子的结合能(与禁带宽度相比),则该值就对应为AIN的禁带宽度.而其对应的不同温度下(10 k~293 k)的吸收谱的谱线的形状和位置无明显的变化表明:温度对AIN薄膜的禁带宽度亦无明显的影响,这主要是由于在AIN薄膜中存在着应力所致.  相似文献   
59.
利用在束γ谱学实验技术, 通过173Yb(19F,4nγ)反应 布居了188Au的高自旋态, 并对其准粒子带结构进行了研究. 基于实验测量结果, 对原有的双奇核188Au能级纲图做了较大的修改. 通过系统性比较, 对15+以上的能级结构进行了讨论.  相似文献   
60.
汪仲清 《中国物理 C》2002,26(6):576-581
研究了q变形湮没算符高次幂(αq^k,κ≥3)本征态的反聚束效应,并就κ=3的情况用数值计算方法研究了q变形参数对该效应的影响。结果表明,当q变形相干态中谐振子的强度x=|z|^2在某些区间内取值时,αq^k的本征态将呈现反聚束效应,并且这一效应明显地受到q参数的影响。当参数q取定时,随着q变形光场强度的变大,该光场的光子数涨落在经典(或量子)和量子(或经典)特性之间交替地变化。  相似文献   
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