金刚石膜超高速抛光温度场的有限元模拟

金刚石膜超高速抛光是一种新的抛光方法,抛光区域温度场分布直接影响金刚石膜的抛光质量.本文采用三维热-力耦合有限元法分析了抛光盘超高速旋转时,不同直径的金刚石厚膜与抛光盘之间由于摩擦生热形成的温度场.结果表明:随着金刚石膜直径的增大,其内、外边缘温度差明显增大.只有当金刚石膜与抛光盘作同向相对运动时,金刚石膜的内、外边缘温度才趋于均匀.文中得出的结论可以为金刚石膜超高速抛光机的设计和实际操作提供可靠的理论依据.     

FP500型超精密锡磨盘平面研抛机的研制

为减小在超光滑表面制造中对经验的依赖 ,为提高加工精度及重复精度 ,研制了采用锡磨盘的超精密平面研抛机。该机床集超精密车削与超精密研抛于一体 ,可以进行基于多种基本原理的超光滑研抛实验研究。介绍了超精密平面研抛机总体设计方案 ,主要包括机床的结构及精度设计的指导思想、关键部件的结构与驱动系统的方案选择以及机床的外部环境设计。     

Al表面条纹状准有序纳米结构的AFM研究

用电化学抛光法在高纯铝表面生成纳米级条纹状的准有序结构.在原子力显微镜（AFM）下观察,条纹状结构的突起和凹槽部分线宽各为40～50 nm,峰 谷高度差为1.5～5.0 nm.随工艺条件的变化该纳米结构的尺寸和有序程度有较大差异,只有在很窄的参数范围内才可以得到大面积有序的条纹状结构.在用阳极氧化法制备多孔膜过程中该结构不能保持.对这种有序结构的形成机理提出了定性解释.     

n^+-Si在HF溶液中的阳极极化行为和阻抗谱

n^+-Si在0.25～1.0%HF溶液中无光照和光照下的伏安曲线均明显地分为三段:在低极化下呈线性关系, 对应于硅的阳极溶解, 形成多孔硅层(PSL); 在中间电位区, 电极部分表面为硅氧化物所覆盖, 阳极溶解和非均匀电抛光过程同时进行; 在高极化区, 全部表面为硅氧化物所覆盖, 发生均匀的电抛光过程。在上述三个区域中由交流阻抗测得的特征电容环和电感应环的变化, 揭示了由单一阳极溶解逐渐转变为均匀抛光过程的一些细节, 定性地说明了n^+-Si上进行的竞争性反应的速率是随电位而改变, 并受光照影响。     

磁流变抛光去除函数获取的微分解耦方法

针对非球面光学元件连续变曲率的特点,提出了一种基于平面抛光斑演变获取非球面磁流变抛光去除函数的技术思路。通过分析磁流变抛光机理,建立了磁流变抛光多因素耦合作用模型。基于该模型提出磁流变抛光去除函数获取的微分解耦方法,实现对抛光斑形成机制中的几何因素解耦,发现当工艺条件变化较小时,在空间中的特定点处,去除效率的变化量与工件浸入深度的改变量呈线性关系。实验观测的20个点中,有17处决定系数在90%以上,另外3处在80%以上,峰值去除率和体积去除率演变的决定系数分别达到92%和94%,实验验证了这一结论。     

超精密环行抛光技术

在大口径超精密平面光学元件加工中，环抛是一种重要的抛光技术，作为古典抛光的一种改进工艺，它在光学加工中得到了广泛的应用。但是它目前还存在着一些问题：对操作者的经验依赖太强，加工效率不高，加工质量也不稳定。根本原因是人们对抛光磨削的规律还认识不够，尤其是—些工艺参数的影响。     

浮法抛光超光滑表面加工技术

浮法抛光技术首先出现于日本，是加工超光滑表面的先进技术之一。本文详细介绍用浮法抛光加工超光滑表面的机械结构和加工过程，与传统的沥青抛光方法进行了比较，并分析了材料去除机理。最后简单介绍我国研究浮法抛光技术的进展。     

中性变密度盘的加工与检测

本文就加工－精度要求高，且口径厚度比为３５：１的薄形零件，设计了多种加工及上下盘方法，并用激光平面干涉仪测试加工过程，从而加工出高质量的零件．     

场离子显微镜原子探针试样的再制备—微抛光法

采用场离子显微镜原子探针实验技术可以观察研究材料内部原子尺度微观组织，但该方法对材料有破坏性，试样难以制备却经常损坏．本文介绍一种再制备场离子显微镜原子探针试样的微抛光技术．具体描述了这种技术的原理，操作方法与注意事项；同时还提供了实际仪器构型外观，以便读者应用．这种微抛光方法简单易行，不仅可用来再制备变钝或断裂了的试样，还可用来制备具有特殊初始几何形状、或满足特殊研究需要的试样．     

超细CeO2的微波辅助加热合成及其抛光性能

引言铈基抛光粉因具有发削能力强,抛光时间短、抛光精度高、操作环境清洁、比其他抛光粉的使用效果佳等优点,被人们称为抛光粉之王".