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HL—1M托卡马克中的硼化 总被引:2,自引:2,他引:0
用碳硼烷加氢直流辉光放电,在HL-1M托卡马克内壁上原位涂覆了含碳硼膜,平均厚度50-70nm硼碳比约为1:6。硼化后器壁条件有了本质的改善,对器壁上氧源的抑制特别显著,也增强了石墨表面抗氢离子和氢原子化学蚀刻能力。硼化显著了改善了等主子体性能和提高了等离子体参数。扰动显著减小,放电稳定性和重复性提高。硼化为低混杂波电流驱动实验创造了良好的壁条件。 相似文献
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比磁化率(x)和顺磁共振谱数据测定表明,含9种不同稀土的复合锰系氧化物Ln_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3(Ln=Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho和Er)均为顺磁性物质,而La_(0.7)Sr_(0.3)MNO_3具有铁磁性。在200℃,80mT外磁场下,上述样品的氧吸附量(M)均有不同程度的提高。将比磁化率(x)~(2/3)与比表面(As)的乘积对氧吸附量变化值(ΔM)作图,得到以f电子数=7为分界的两分组线性图,并对此进行了讨论。 相似文献
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