柔性铜镍合金基带的织构及其磁性研究(英文)

研究了Cu60-Ni40wt%(简称Cu60)和CudO-Ni60wt%(简称Cu4O)两种不同组分的铜镍合金基带在不同温度下退火织构的形成过程,其中名义组分为Cu60-Ni40wt%的合金在650～1000℃退火一小时可获得良好的(001)织构.半高宽随着退火温度的升高而下降.1000~C退火后φ扫描的半高宽(FWHM)为5.5°,ω扫描的半高宽为6.1°.组分为Cu60-Ni40wt%的合金1150℃退火仍不能形成良好的织构.对于Cu40居其里温度点在室温以上,饱和磁矩大于Ni-at.%5W;而Cu60的居里温度点在20K,在77K下表现顺磁性质,其饱和磁矩仅为Ni-at.%5W基带的10%.在77K下Cu60的电阻为7.5×10-9Ω·m,比Ni-at.%5W的电阻要低的多.     

晶粒取向和物相组成的电子背散射衍射测定

介绍了用扫描电镜中电子背散射衍射（ＥＢＳＤ）附件所进行的初步研究工作．这些工作表明,２Ｈ马氏体的基面由母相的一个｛２２０｝Ｐ面转变而来,一个自协作马氏体片群内的Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ４个变体由母相的不同的｛１１０｝Ｐ面转变而来．用ＥＢＳＤ技术可测出它们之间的取向关系．ＥＢＳＤ技术所提供的结构信息与Ｘ射线能谱分析提供的化学成分信息相结合使微区物相鉴定的结果更为可靠．发现Ａｌ６２．５Ｃｕ２５Ｆｅ１２．５合金的铸态主要由λ－Ａｌ１３Ｆｅ４、二十面体准晶和β相３者组成．无间隙钢７５０℃再结晶后有两类晶粒,其中平坦晶粒具有有利于冷加工性的γ纤维显微织构．     

熔融织构YBCO单晶的层间耦合

在０～７．５Ｔ磁场范围内,采用膺磁通变压器结构（八电极）,测量了磁场平行于ｃ轴时熔融织构生长的ＹＢＣＯ单晶上和下两个表面的电阻－温度关系。实验结果表明,在测量仪表所能测量的精度范围内,没有观测到Ｖｔｏｐ和Ｖｂｏｔ的情况,Ｖｔｏｐ总是大于Ｖｂｏｔ。不同磁场下Ｖｔｏｐ／Ｖｂｏｔ随着温度的降低而变化;ｃ－轴电阻的测量结构则表明,样品沿ｃ方向与ａｂ面具有相似的超导电性,且Ｔ＾ｃｃ〉Ｔａｂｃ,这充分表明随着     

条带织构装饰技术观察含T─型液晶基元的热致性聚芳酯液晶态的向错

采用条带织构装饰新技术研究了含Ｔ─型液晶基元的热致性聚芳酯液晶态的向错形态．经过培养的液晶样品无需剪切，淬火后便可呈现出围绕向错点取向排列的条带织构，而条带织构长轴的垂直方向正代表了液晶基元的指向矢方向，这样，在普通偏光显微镜下就能直接观察到这些条带织构装饰的强度Ｓ＝±１／２和Ｓ＝±１的向错，并观察到Ｓ＝－３／２的高强度向错和闭环状的反转壁．     

新型含氟液晶—8．1—（4′—乙基—联苯基）2—（4—烷氧基—2，3，5，6—四氟基基）乙炔的合成及相态研究

设计，合成了1-(4′-乙基-联苯基)2-(4-烷氧基-2，3，5，6-四氟基基）乙炔的液晶化合物。用偏光显微镜以1及DSC确定了它们的液晶相态，它们均为向列相液晶，并与相类似全碳氢类液晶化合物进行比较。     

基于纳米前驱粉制备Sm-Ba-Cu-O单畴超导块材及其超导性能

本文探索了采用纳米级前驱粉制备Sm-Ba-Cu-O超导单畴块材的制备技术,并研究了相应超导块材的超导性能.研究发现,采用纳米前驱粉制备的单畴块材中不易形成大尺度(1～10微米)Sm2BaCuO5(Sm211)颗粒,有利于降低磁通钉扎中心的尺寸.然而,纳米粉体较强的化学活性增强了Sm在Ba位置上的自掺杂效应,使得较小量的Sm211就可能导致超导电性被显著抑制,从而降低超导块材的超导性能.     

织构定量分析的广义矢量法

本文采用Roe符号系统,在Euler空间中对织构定量分析的矢量法进行了全面改建.改建后的广义矢量法克服了原有晶粒取向表示方式造成的诸如织构与材料性能关系研究等的不便,同时保留了原法的全部优点.对立方系材料的研究表明,本法用一张极图、甚至一张部分极图数据即可定量确定被测材料的织构矢量,并能便捷提供宏观性能计算所需的晶粒取向分布函数(ODF)的广义球谐函数级数展开系数.     

二维X射线衍射及其应用研究进展

介绍了三维、一维和二维X射线衍射的有关概念,给出二维X射线衍射的定义:在X射线衍射实验中使用二维探测器,并对由二维探测器记录的二维象、二维衍射花样的数据进行处理分析和解释的X射线衍射方法称为二维X射线衍射术。之后,分四部分综述二维X射线衍射(2D-XRD)和散射及其应用的进展。1)单晶样品的二维衍射包括经典的劳厄法定向和用二维探测器(带衰减底片组件、CCD和IP等)的劳厄法测定晶体结构的单晶样品现代二维衍射术;2)随后,评述多晶样品二维衍射的衍射几何、实验装置,以及在物相鉴定、应力测定和织构测定方面应用的方法和基本公式;3)二维小角散射(2D-SAXS)也作了简介。4)把一维和二维衍射术作了较全面的比较和综合评论。     

不同衬底表面上大晶粒多晶Si薄膜的制备

利用高频感应加热化学气相沉积(HFCVD)工艺,以H2稀释的SiH4作为反应气体源,分别在n-(111)Si衬底上常规热生长的SiO2层、织构的SiO2层和纳米晶粒多晶Si薄膜表面上,制备了具有均匀分布的大晶粒多晶Si膜.采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)等检测手段,测量和分析了沉积膜层的表面形貌、晶粒尺寸、密度分布与择优取向等结构特征.结果表明,多晶Si膜中Si晶粒的尺寸大小和密度分布不仅与衬底温度、SiH4浓度与反应气压等工艺参数有关,而且强烈依赖于衬底的表面状态.本实验获得的最好的薄膜中,Si晶粒平均尺寸约为2.3 μm,密度分布约为3.8×107/cm2.对薄膜的沉积机理分析表明,衬底表面上Si原子基团的吸附、迁移、成核与融合等热力学过程支配着大晶粒多晶Si膜的生长.