186Os和188Os双同位素溶液的制备及其中Os同位素丰度与含量的标定

在核反应堆中辐照高纯铼金属带 ,185Re和187Re通过 (n ,γ)反应后 ,经 β衰变产生186Os和188Os ,用H2 O2 和H2 SO4 将Re带溶解并同时将186Os和188Os蒸馏出 ,首先用 2 0 %NaOH溶液吸收 ,然后再将碱吸收液重新蒸馏 ,最后将186Os和188Os混合同位素保存在 2 5 %HCl介质中 ,用负离子热电离质谱仪 (NTIMS)标定其含量及同位素丰度。结果表明 ,91.4mg的高纯铼金属带 ,在辐照的累积通量为 1.32× 10 18n/cm2时 ,可产生Os 8.46 μg ,其186Os和188Os的同位素丰度分别为 6 0 .89%和 38.6 3%     

14MeV中子引起的核反应截面测量中监督反应的研究

讨论了14MeV中子引起的核反应截面测量中监督反应对测量结果的影响,同时列出了常用的一些监督反应及参数,利用截面的评价值给出了一些监督反应的截面随中子能量变化的关系曲线,并对^27Al（n,p）^27Mg反应做了定性分析,说明了监督反应的选取对反应截面测量的重要性。 It was discussed in this article that the effects of different monitors in the cross section measurements of nuclear reactions induced by 14 MeV neutrons, at the same time some monitors and correlative parameters were listed. The excitation functions of monitors are taken from the evaluatied cross sections, and a qualitative analysis has been performed for ^27Al（n,p） ^27Mg reaction. It indicates that the choice of monitor is very important for cross section measurements     

谷物种子中蛋白质含量测定的核反应分析法

分析了在高蛋白质谷物育种中对筛选方法的要求, 对谷物中蛋白质测定的方法进行了综述评价, 重点介绍了用于谷物蛋白质测定的核反应分析法的原理及特点. The requirements of the screening method for high protein content in grain breeding are analysed. Methods for the determination of protein content in grain seed are reviewed.The principle and the advantages of the nuclear reaction method for the measurement of protein content in grain seed are discussed in detail.     

低能带电粒子聚变反应中的静电屏蔽效应

系统地评述了天体物理感兴趣能区带电粒子核反应中电子屏蔽效应的实验及理论研究的进展 ,简要地介绍了恒星热核反应中等离子体静电屏蔽效应理论探讨的概况 .着重说明深入研究天体物理环境对核过程的影响是核天体物理学的重要课题之一.     

Monte Carlo方法计算低能电子作用下固体背散射电子发射及空间分布

应用Monte Carlo方法,对能量E₀≤5keV低能电子作用下固体Al、Cu、Ag、Au的背散射电子发射及表面空间分布作了计算.模型应用Mott散射截面及修正的Bethe方程分别描述低能电子在固体中的弹性和非弹性散射.计算了背散射电子能量分布、表面空间分布、深度分布和角分布规律及特征,还计算分析了背散射电子角分布与深度分布、表面空间分布及能量分布之间的关系,系统地描述了背散射电子的发射及分布规律.     

中子诱发16O双微分截面的理论分析

应用已经发展的轻核反应新模型理论,计算和分析了中子诱发¹⁶O反应截面,比较和分析了出射中子双微分截面的理论计算结果和实验数据.从理论计算结果与实验的符合情况看,这一理论和方法对于计算轻核的双微分截面是成功的.     

低能电子衍射表面结构分析中引入全局优化算法——遗传算法的研究

将遗传算法(GAs)应用到低能电子衍射(LEED)表面结构分析方法中,编制了Gas-LEED结构自动搜寻的计算程序,并以Pt(111)-p(2×2)O吸附系统为例,获得了具有全局优化特点的结构参数。     

Monte Carlo方法模拟低能电子在多元介质中散射：基于平均散射截面 …

应用基于平均散射截面低能电子在多元介质中散射Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法,模拟Ｅ０≤５ｋｅＶ低能电子在多种多元介质同中散。计算了电子背散射系数,背散射电子能谱、角分布、入射电子,背散射电子在介质中的作用范围、沉积能分布,并与确定散射中心方法的结果比较。两种方法计算结果广泛一致,进上步证明基于平均散射截面方法的有效性和可靠性。入射电子能量较低,介质平均原子序数较大时,计算的背散射电子角分布不服从余弦分