Development of On—Line Perturbed Angular Correlation

The on-line time differential perturbed angular correlation technique has been developed for the first time.The quadrupole interaction of ^19F in Cd was measured.     

低能电子穿越绝缘体微孔膜动力学过程研究

采用二维位置灵敏的微通道板探测器对能量为1500 eV的低能电子束穿过孔径为400 nm、未经照射过的的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)微孔膜后的全角分布以及时间演化进行了测量,同时采用自制的积分式能谱测量装置测量了穿透电子的能量分布。实验结果表明:在充电阶段,当入射电子束束流较弱时,透射电子强度随充电时间逐渐上升;充电过程中,透射电子的角分布宽度由小变大,但是角分布中心基本不随膜的倾角移动。对出射电子达到平衡态时的电子能谱的测量表明,穿透电子的能量保持着入射时的能量。对于理解电子在绝缘体微孔中的传输给出了新的实验证据,给出了可能形成“导向效应”的微孔内部电场的条件。     

质子与金属布线层核反应对微纳级静态随机存储器单粒子效应的影响分析

金属布线层对微纳级静态随机存储器(static random access memory, SRAM) 质子单粒子效应敏感性的影响值得关注. 利用Geant4针对不同能量(30 MeV, 100 MeV, 200 MeV和500 MeV)的质子与微纳级SRAM器件的核反应过程开展计算, 研究了核反应次级粒子的种类、线性能量传输值(linear energy transfer, LET)及射程情况, 尤其对高LET 值的核反应次级粒子及其射程开展了详细分析. 研究表明, 金属布线层的存在和质子能量的增大为原子序数大于或等于30的重核次级粒子的产生创造了条件, 器件体硅区中原子序数大于60的重核离子来源于质子与钨材料的核反应, 核反应过程中的特殊作用机理会生成原子序数在30至50之间的次级粒子, 且质子能量的增大有助于这种作用机理的发生, 原子序数在30至50之间的次级粒子在器件体硅区的LET值最大约为37 MeV·cm²/mg, 相应射程可达到几微米, 对于阱深在微米量级的微纳级SRAM器件而言, 有引发单粒子闩锁的可能. 研究结果为空间辐射环境中宇航器件的质子单粒子效应研究提供理论支撑.     

几个(n,d),(n,t)和(n,n'α)反应截面的测量

本文报告了En～14MeV中子以²⁷Al(n,α)²⁴Na或⁹³Nb(n,2n)^92mNb反应截面为中子注量标准测得的⁹²Mo(n,d*)^91mNb,¹⁰⁶Cd(n,d*)¹⁰⁵Ag;⁵⁴Fe(n,t)^52m+gMn,⁵⁸Ni(n,t)⁵⁶Co;⁵¹V(n,n'α)⁴⁷Sc和⁹²Mo(n,n'α)⁸⁸Zr的反应截面.文中还列举了能收集到的数据以作比较,中子能量是用铌锆截面比法测定的.     

氘结合能的测量

介绍了以Ｄ－Ｄ密封中子发生器中为子源，利用质子俘获慢中子发射γ射线的核反应＾１Ｈ（ｎ，γ（）＾２Ｈ，用通用ＮａＩ（Ｔｉ）闪烁γ谱仪测量γ射线能量来确定氘结合能。实验结果与公认值相符合．     

北京串列加速器核物理国家实验室十年回顾

 北京串列加速器核物理国家实验室自1987年8月通过国家验收到现在已走过了十年的历程.实验室在放射性核束物理、核结构、重离子核反应、新核素合成、核数据测量、核技术应用等领域的一系列前沿及重大课题上均取得     

X荧光分析系列实验

介绍了能量色散X射线荧光分析的原理、应用以及用X荧光谱仪开设的系列实验。