第一性原理对GanP-m阴离子团簇结构及其光电子能谱的研究

本文利用密度泛函理论(DFT)对GanP-(n=2-7)和GanP2-(n=1-6)阴离子团簇的几何结构、电子态及稳定性进行了研究.在B3LYP/6-31G*水平上进行了结构优化和频率分析,得到了GanP-(n=2-7)和GanP2-(n=1-6)团簇的基态结构.这些阴离子团簇的几何结构随着n的增大,在n=5时由平面结构转化为立体结构;在GanP2-(n=1-6)团簇中,P-P比Ga-P容易成键;在GanP-(n=2-7)和GanP2-(n=1-6)阴离子团簇中,Ga3P2-,Ga4P2-,Ga5P2-和Ga6P-的基态结构最稳定.     

高Tc氧化物超导体的电子结构

本文综述了高Tc氧化物超导体(La_2CuO_4及YBa_2Cu_3O_(7-8)的(计算)电子结构。本文基于Freeman教授研究组的工作。 (1) 体心四方结构的La_2CuO_4能带结构计算结果表明:La_2CuO_4的电子结构由在正方形Cu-O平面内的Cu3d-O2p相瓦作用所控制。存在一个沿[110]方向|q|=2k_F(强的)迭套的Fermi表面,它导致了电子驱动的结构失稳,以及在电子状态密度上的VanHove对数奇性。此种Fermi面的迭套被认为是引起了(Peierls 2k_F)失稳性,从而解释了La_(2-x)M_xCuO_4由四方结构到正交结构的相变。 (2) 如同在La_(2-x)M_xCuO_4中的情况一样,具正交结构的YBa_2Cu_3O_(7-8)的电子结构由Cu-O间的相互作用所支配;同时存在着二维及一维的Cu3d-O2p相互作用为YBa_2Cu_3O_(7-8)电子结构的特征。YBa2Cu_3O_(7-8)在E_F处的状态密度值低于La_(2-x)M_xCuO_4的相应值,在YBa_2Cu_3O_(7-8)中的Y或Ba原子作用如同一电子的施主。     

高Tc氧化物超导体的电子结构

本文综述了高Tc氧化物超导体(La_2CuO_4及YBa_2Cu_3O_(7-8)的(计算)电子结构。本文基于Freeman教授研究组的工作。 (1) 体心四方结构的La_2CuO_4能带结构计算结果表明:La_2CuO_4的电子结构由在正方形Cu-O平面内的Cu3d-O2p相瓦作用所控制。存在一个沿[110]方向|q|=2k_F(强的)迭套的Fermi表面,它导致了电子驱动的结构失稳,以及在电子状态密度上的VanHove对数奇性。此种Fermi面的迭套被认为是引起了(Peierls 2k_F)失稳性,从而解释了La_(2-x)M_xCuO_4由四方结构到正交结构的相变。 (2) 如同在La_(2-x)M_xCuO_4中的情况一样,具正交结构的YBa_2Cu_3O_(7-8)的电子结构由Cu-O间的相互作用所支配;同时存在着二维及一维的Cu3d-O2p相互作用为YBa_2Cu_3O_(7-8)电子结构的特征。YBa2Cu_3O_(7-8)在E_F处的状态密度值低于La_(2-x)M_xCuO_4的相应值,在YBa_2Cu_3O_(7-8)中的Y或Ba原子作用如同一电子的施主。     

Structure of Reconstructed Cu(100) Surface Induced by Dissociative Adsorption of Gaseous Oxygen

用低能电子衍射(LEED)和扫描隧道显微镜技术研究了氧气在Cu(100)表面化学吸附所形成的表面重构结构．在低覆盖度下,实验上观察到了两个有序重构的混合相,分别为c(2×2)O重构和(√2×2√2)R45°-O重构．在氧原子的覆盖度逐渐增加的过程中,c(2×2)O重构区域的面积逐渐减小．在初始氧化阶段,实验上观察到了呈条状的“锯齿”形的重构结构,这些锯齿形的结构是由相邻的局域化的c(2×2)区域的边界区域(Cu)构成的．STM实验发现,相对于其他重构区域,这些锯齿形的重构区域与有机分子之间存在更加强烈的相互作用．通过分析在不同退火温度下样品LEED衍射点的变化,研究了重构结构的热稳定性,发现三种结构的热稳定性顺序是：锯齿结构>c(2×2)O重构>(√2×2√2)R45°-O重构．     

GanN-m阴离子团簇的结构及稳定性的研究

利用密度泛函理论(DFT)对GanN-(n=2-8)和GanN2-(n=1-7)阴离子团簇的结构及稳定性进行了研究.在B3LYP/6-31G*水平上进行了结构优化和频率分析,得到了GanN-(n=2-8)和GanN2-(n=1-7)阴离子团簇的基态结构.在这些团簇中,原子总数小于等于6的团簇的几何结构为平面结构,原子总数大于6的团簇的几何结构为立体结构;在所研究的团簇中,Ga4N-,Ga6N-,Ga4N-2和Ga5N-2的基态结构较稳定.     

V_nB_(8(n+1))~-(n=1-3)团簇的几何结构、电子和光谱特性

基于密度泛函理论和卡里普索结构预测方法,系统研究了V_nB_(8(n+1))~-(n=1-3)团簇的几何结构、电子和光谱特性.首先,利用卡里普索结构预测方法确定了VB_(16)~-的基态结构为高对称性的C_(2v)点群对称结构.在此基态结构基础上,通过堆积的方式优化得到了V_2B_(24)~-和V_3B_(32)~-团簇的基态结构.结果显示,V_2B_(24)~-和V_3B~(32)~-团簇分别拥有高对称性的C_(4h)和D_(8d)点群对称结构.基于上述基态结构,系统分析了不同尺寸团簇的自然布局分布和自然电子组态、Mayer键级和电子局域函数.最后,讨论了不同团簇的红外、拉曼光谱等光谱特性,为过渡金属钒掺杂硼基纳米材料的研究提供理论参考.     

第一性原理对GanPm小团簇的结构及稳定性的研究

利用密度泛函理论(DFT)对GanP和GanP2 (n=1-7)团簇的几何结构、电子态及稳定性进行了研究. 在B3LYP/6-31G*水平上进行了结构优化和频率分析,得到了GanP和GanP2(n=1-7) 团簇的基态结构. 结果表明,n≤5团簇的几何结构基本上为平面结构,n＞5的团簇均为立体结构;在GanP2 (n=1-6)团簇中,P-P比Ga-P容易成键;在GanP和GanP2 (n=1-7) 团簇中,Ga3P, Ga4P, GaP2, Ga2P2 和 Ga4P2的基态结构最稳定,在所研究的团簇中,稳定性随团簇总原子数的增大而减小.     

Al2Hx(x=1～3)分子团簇结构与光谱研究

用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法在6-311 g(d,p)水平上对Al2Hx(x=1~3)分子团簇的几何构型、电子结构、振动频率、垂直电离能和垂直电子亲和能等性质进行了理论研究.通过对基态结构的几何参数分析发现,它们的基态结构趋于对称性较高的构型.它们的基态结构为:Al2H(2A1)C2V,Al2H2(1Ag)D2h和Al2H3(2A′1)D3h.对基态结构的垂直电离能讨论表明,氢原子数从1增加到3,其气态分子越来越稳定.     

双核Au配合物激发态性质的理论研究

用二阶微扰方法和单组态相互作用方法分别计算了双核Au配合物Au2(SNHCH)2(a),Au2(SN2C4H3)2(b)和Au2(SN2C2H-C6H4)2(c)基态的几何结构,并在此基础上用含时密度泛函方法计算了它们的光谱。a,b,c所具有的芳香结构是逐渐增加的。计算结果表明:芳香结构的增加会加强Au之间的相互作用;在磷光发光过程中,各金属配合物都具有C(p)/芳香环(p)→S(p)跃迁属性(LLCT)、Au(p)→Au(d)电荷转移(MCCT)属性、C(p)/芳香环(p)→Au(d)跃迁属性(LMCT)和芳香环内部p电子跃迁属性(LLCT),但随着a、b、c所具有的芳香结构的增加,Au(p)→Au(d)的电荷转移(MCCT)逐渐减弱,C(p)/芳香环(p)→Au(d)的跃迁(LMCT)也逐渐减弱,芳香环内部p电子跃迁(LLCT)属性逐渐增强,即芳香结构会改变双核Au配合物的发光性质。     

(SiO_2)_n~-(n≤7)团簇的密度泛函研究

采用密度泛函理论中的广义梯度近似对(SiO2)n-(n≤7)负离子团簇的几何构型进行了优化,并对能量和频率进行了计算.通过对计算结果的分析发现,与近邻尺寸的团簇比较,(SiO2)4-团簇最低能量结构更加稳定;(SiO2)n-(n≥4)团簇的最低能量结构是以(SiO2)4-为基础结构,具有一定的生长规律.     

Radial excitation states of η and η′ in the chiral quark model

A chiral quark model is applied to calculate the spectra of pseudoscalar mesons η and η . By analyzing the obtained spectra, we find that the mesons η (2 1 S 0 ), η(4 1 S 0 ), η (3 1 S 0 ) and η (4 1 S 0 ) are the possible candidates of η(1760), X(1835), X(2120) and X(2370). The strong decay widths of these pseudoscalars to all the possible two-body decay channels are calculated within the framework of the 3 P 0 model. Although the total width of η (21S0 ) is compatible with the BES Collaboration’s experimental value for η(1760), the partial decay width to ωω is too small, which is not consistent with the BES result. If X(1835) is interpreted as η(4 1 S 0 ), the total decay width is compatible with the experimental data, and the main decay modes will be πa 0 (980) and πa 0 (1450), which needs to be checked experimentally. The assignment of X(2120) and X(2370) to η (31S0 ) and η (41S0 ) is disfavored in the present calculation because of the incompatibility of the decay widths.     

化学发光法测定巯嘌呤的含量

在流动注射系统中,利用巯嘌呤在碱性Luminol-K₃Fe(CN)₆化学发光体系中发光信号强的特点,建立了一种测定巯嘌呤的新方法。在优化条件下,方法的线性范围是1.02×10-7～1.02×10-9mol·L-1, 回归方程是Y=36.315c+140.72(Y是相对发光强度,c是巯嘌呤浓度与10-8 mol·L-1的乘积), 相关系数是0.998 2,检出限(S/N=3)是6.33×10-10mol·L-1,RSD为3.54%（c_i=2.0×10-9mol·L-1, n=12）。该法用于合成样品的测定,简便、灵敏、快速,结果令人满意。文章简要地探讨了巯嘌呤在碱性Luminol-K₃Fe(CN)₆化学发光体系中的化学发光机理：在反应过程中,产生大量的过氧自由基和羟基自由基,自由基与鲁米诺反应,形成激发态的鲁米诺分子,鲁米诺分子由激发态回到基态产生化学发光现象。     

维多利亚蓝B共振光散射法高灵敏选择性检测全氟辛烷磺酸

建立了一种用维多利亚蓝B(VBB)简便、高灵敏、选择性检测全氟辛烷磺酸(PFOS)的共振光散射(RLS)分析方法。在pH 6.0的KH₂PO₄-NaOH缓冲体系下,PFOS通过静电作用与质子化的VBB结合生成离子缔合物,在277 nm处的散射信号有明显的增强,增强的散射值(ΔI_RLS)与PFOS在一定浓度范围内有良好的线性关系,其线性方程为ΔI_RLS=72.28+336.53c (r=0.996 4),线性范围为0.05~4.0 μmol·L-1,检测限为5.0 nmol·L-1。优化了实验条件,表征了紫外/可见吸收光谱、扫描电镜显微成像(SEM),并探讨了作用机理。在相同实验条件下,考察了全氟辛酸(PFOA)及其他几种全氟化合物(PFCs)与VBB的相互作用,未见散射信号变化,因此,本法可实现对PFOS的选择性检测。该方法成功应用于检测环境水样中的PFOS,样品加标回收率为91.8%~100.6%,相对标准偏差RSD≤1.74%。     

A super-junction SOI-LDMOS with low resistance electron channel

A novel super-junction LDMOS with low resistance channel(LRC), named LRC-LDMOS based on the silicon-oninsulator(SOI) technology is proposed. The LRC is highly doped on the surface of the drift region, which can significantly reduce the specific on resistance(Ron,sp) in forward conduction. The charge compensation between the LRC, N-pillar,and P-pillar of the super-junction are adjusted to satisfy the charge balance, which can completely deplete the whole drift,thus the breakdown voltage(BV) is enhanced in reverse blocking. The three-dimensional(3 D) simulation results show that the BV and R_(on,sp) of the device can reach 253 V and 15.5 mΩ·cm~2, respectively, and the Baliga's figure of merit(FOM = BV~2/R_(on,sp)) of 4.1 MW/cm~2 is achieved, breaking through the silicon limit.     

Grain boundary potential and charge density at grain boundaries of chemically prepared thin silver sulfide films

The grain boundary potential and interface state charge density at the grain boundaries of silver sulfide (Ag₂S) thin films prepared by chemical conversion of cadmium sulfide (CdS) films have been determined from the dc resistance of the material and are found to be sensitive to annealing. A reduction in the grain boundary potential and the grain boundary charge density of the film has been noticed when the source CdS film is annealed at different temperatures prior to chemical conversion. The variation in the grain boundary charge density of the grown Ag₂S film with source annealing temperature has been found to be similar to that of thin cadmium sulfide film, reported earlier. An additional low temperature heat treatment of the sample results in an enhancement in the charge density at the grain boundaries. The change in the silver vacancy and/or oxygen and sulfur content of the films as revealed from the energy dispersive spectra of the films suggests possible role of film composition on the grain boundary charge density.     

Ag(111)和Au(111)上铋的初始生长行为

半金属铋(Bi)的表面合金具有的Rashba效应,和其具体结构性质有重要关联.本文结合扫描隧道显微镜(STM)和密度泛函理论(DFT),系统地研究了Bi原子在Ag(111)和Au(111)上的不同初始生长行为.在室温Ag(111)上,连续的Ag₂Bi合金薄膜会优先在Ag台阶边缘形成;在570 K Ag(111)上,随着覆盖度增加到0.33分子层(ML),Bi优先取代配位数低的台阶边原子并从单原子随机分布转变为长程有序的Ag₂Bi合金相;随着覆盖度增加,Ag₂Bi通过退合金过程转变成p×3^1/2结构的Bi膜.Bi在室温和570 K的Au(111)上的生长行为一致:在覆盖度低于0.40 ML时,Bi会优先吸附在配位为5的Au原子上,并以单原子和团簇的形式分别分散在Au(111)的密堆积区域和鱼骨纹重构的拐角处;随着覆盖度增加到0.60 ML,无序的Bi会逐渐转变成长程有序的((37)^1/2×(37)^1/2)相;Bi的吸附会导致Au(111)表面应力逐步释放.Bi在Ag(111)和Au(111)上的不同生长行为表明,Bi原子与衬底之间的相互作用起着关键作用.     

硝酸酯热分解的机理分析

使用加速量热仪研究硝酸正丙酯（NPN）、硝酸异丙酯（IPN）和硝酸异辛酯（EHN）的热分解过程。分析了在绝热条件下热分解反应动力学, 根据实验数据计算出表观活化能、指前因子和反应热等参数。根据NPN、IPN和EHN热分解的起始温度和反应热数据,给出了三种硝酸酯在75℃时的反应风险指数,分析得到三种物质的热失稳风险度。分别在B3LYP/6-31+G(2df,2p)和B3P86/6-31+G(2df,2p)的理论水平下,计算得到NPN、IPN和EHN的O-NO2键离解能(BDE)。由NPN、IPN和EHN的O-NO2键离解能在很大程度上符合由加速量热仪测试得到的活化能,推知三种硝酸酯的热分解反应只是单分子O-NO2键的均裂反应。     

TL, OSL and ESR studies on beryllium oxide

Electron spin resonance (ESR) studies were carried out to identify the defect centres responsible for the thermoluminescence (TL) and optically stimulated luminescence (OSL) processes in BeO phosphor. Two defect centres were identified in irradiated BeO phosphor by ESR measurements, which were carried out at room temperature and these were assigned to an O⁻ ion and Al²⁺ centre. The O⁻ ion (hole centre) correlates with the main 190 °C TL peak. The Al²⁺ centre (electron centre), which acts as a recombination centre, also correlates to the 190 °C TL peak. A third centre, observed during thermal annealing studies, is assigned to an O⁻ ion and is related to the high temperature TL at 317 °C. This centre also appears to be responsible for the observed OSL process in BeO phosphor.     

树形分子包覆的ZnS量子点对潜指纹的荧光标记成像研究

在Zn2+离子与聚酰胺-胺(PAMAM)树形分子配位的基础上,制备了稳定的PAMAM树形分子包覆的ZnS量子点(quantum dots,QDs),并用紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)和荧光发射光谱进行了表征。结果表明,Zn2+离子能与PAMAM树形分子发生配位络合作用,且饱和配位时间为6h;在波长365nm紫外光的激发下,PAMAM树形分子包覆的ZnS量子点发射出明亮的蓝色荧光,荧光发射峰约位于450nm。最后,将得到的PAMAM树形分子包覆的ZnS量子点纳米复合材料应用于锡纸上潜指纹的荧光标记成像研究,发现指纹可以被清晰识别,呈现明亮的蓝色荧光指纹。     

Combined fit to BABAR and Belle Data on e~+e~- →φπ~+π~- and φf_0(980)

A combined fit is performed to the BABAR and Belle measurements of the e+e- →φπ+π- and φf0(980) cross sections for center-of-mass energy between threshold and 3.0 GeV. The resonance parameters of the φ(1680) and Y(2175) are determined. The mass is (1681+-1102) MeV/c2 and the width is (221-+3244) MeV/c2 for the φ(1680), and the mass is (2117+-5499) MeV/c2 and the width is (164+-6890) MeV/c2 for the Y(2175). This information will shed light on the understanding of the nature of the excited φ and Y states observed in e+e- annihilation.