TATB钝感炸药的小角X射线散射实验

在北京同步辐射装置上应用同步辐射X射线小角散射技术研究TATB样品微孔状况，分析了微孔结构参数的变化。采用不同制备工艺(机械研磨、化学合成、气流细化、全结晶、粉碎)和不同存放时间的TATB粉末样品共计7份。     

一般组合弹性结构的数学模型

研究由任意多个体、板、梁构成的一般组合弹性结构静态问题. 通过最小势能原理和虚功原理建立问题在向量表示下的数学模型. 在获得了一般组合弹性结构上的广义Korn不等式后, 利用Lax-Milgram引理证明了模型的唯一可解性. 在对解做合理的正则性假设的条件下, 由相应变分形式导出向量表示下的所有平衡方程, 并得到了一个对该问题进行有限元分析时有重要作用的恒等式.     

高能、超短脉冲、可调谐激光器用掺镱氟磷酸盐玻璃研究进展

Yb^3 与其它稀土离子相比有最简单的能级结构，这使它具有一些独特的性质，如避免激发态吸收，消除上转换和浓度猝灭等，因此它是高能输出激光器介质的理想掺杂离子。氟磷玻璃综合了氟化物玻璃和磷酸盐玻璃的优点，可降低磷酸盐的声子能量，改善其易吸湿性；提高氟化物玻璃的物理化学性能等，这使它成为稀土掺杂可调谐光纤激光器的很好的掺杂介质。众多研究表明，Yb^3 掺杂氟磷玻璃是一种很有前途的激光工作物质。本文总结了Yb^3 掺杂氟磷玻璃的特点，性质，结构及存在的问题。     

二次阳极氧化方法制备有序多孔氧化铝膜

通过二次阳极氧化方法制备多孔氧化铝膜与一次阳极氧化方法制备多孔氧化铝膜孔排布规律性的对比 ,结果发现 ,二次阳极氧化方法制取的多孔氧化铝膜孔排布规律性明显好于一次阳极氧化法制取的多孔膜 .在几个微米范围内 ,孔呈理想的六角排布 .去除一次阳极氧化膜后 ,二次阳极氧化得以在更良好的表面进行 ,制取的氧化铝膜孔规律性和有序度更高 .有序区域的尺寸与晶粒内的亚晶大小有一定关系     

利用全息扫描技术实现条码识别

根据条码识别装置的特点，利用全息扫描技术设计条形码扫描器及相应的辅助部件，从而使学生对全息照相及扫描技术有进一步的理解，掌握物理实验设计的一般要求。     

一种有机电致发光共聚物的制备和性能

采用Suzuki方法合成了9，9-二辛基芴与萘并硒二唑的两种无规共聚物并研究了其紫外光谱、光致发光和电致发光性能。两种聚合物的电致发光波长为650～666nm，均为发饱和红光的LED材料，其电致发光外量子效率最高达到了1．05％。随着共聚物中萘并硒二唑含量的增加，共聚物的光致发光和电致发光的发射波长均有少量红移。证明了根据共轭高聚物链内能量转移原理，在聚芴链中引入不同含量的窄带隙杂环单元可实现对聚芴发光颜色的调节。     

4，4′—二偶氮苯重氮氨基偶氮苯与Ag（I）的显色反应及其应用

本文报道了4,4′ -二偶氮苯重氮氨基偶氮苯在Triton X-100存在下与Ag(Ⅰ)的显色反应.在pH10.0的硼砂-氢氧化钠缓冲溶液中,试剂与Ag(Ⅰ)形成1∶1的红色配合物,其最大吸收波长为540nm,表观摩尔吸光系数为7.55×104L*mol-1*cm-1,Ag(Ⅰ)的浓度在0-0.28mg/L范围内符合比耳定律.应用于显影废液和钮扣电池液中Ag的测定,结果令人满意.     

Electron Holography of Barrier Structures in Co／ZrAlOx／Co Magnetic Tunnel Junctions

We investigate the potential profiles and elemental distribution of barriers in Co/ZrAlOx/Co magnetic tunnel junctions (MTJs) using electron holography (EH) and scanning transmission electron microscopy. The MTJ barriers are introduced by oxidizing a bilayer consisting with a uniform 0.45-nm Al layer and a wedge-shaped Zr layer (0-2 nm). From the scanning transmission electron microscopy, AlOx and ZrOx layers are mixed together, indicating that compact AlOx layer cannot be formed in such a bilayer structure of barriers. The Eli results reveal that there are no sharp interfaces between the barrier and magnetic electrodes, which may be responsible for a smaller tunnelling magnetoresistance compared with the MTJs of Co/AlOx/Co.     

Theoretical Analysis of Characteristics of GaxInl—x NyAsl—y／GaAs Quantum Well Lasers with Different Intermediate Layers

Based on the band anticrossing model, the effects of the strain-compensated layer and the strain-mediated layero n the band structure, gain and differential gain of GalnNAs/GaAs quantum well lasers have been investigated. The results show that the GaNAs barrier has a disadvantage in increasing the density of states in the conduction band. Meanwhile, the multilayer quantum wells need higher transparency carrier density than the GalnNAs/GaAs single quantum well with the same wavelength. However, they help to suppress the degradation of the differential gain. The calculation also shows that from the viewpoint of band structure, the strain-compensated structure and the strain-mediated structure have similar features.