Single＆Two—photon Excited Fluorescence of Two New Compounds with 2—Benzothiazoly as Electron Acceptor

Two new D-x-A type compounds,where electron-donor D is tertiary amino group,electron-acceptor A is 2-benzothiazolyl and x is two conjugated styryl units,have been synthesized.They are named as trans,trans-2-{4-[4-(N,N-diethylamino)styryl]styryl}-1,3-benzothiazole and trans,trans-2-{4-[4-(N,N-diphenylamino)styryl]styryl}-1,3-benzothiazole.Both compounds show strong two-photon excited fluorescence in yellow-orange region when excited by a femtosecond laser at 800nm.     

非因子化方法研究D~+→ ■~0K~+衰变(英文)

在领头阶和αs 修正阶 ,用QCD因子化方法 ,并对它的软胶子效应用光锥QCD求和规则分析D+ → K0 K+ 衰变过程 ,我们分析发现朴素因子化方法的结果远离实验结果 ,QCD因子化方法结果靠近实验结果 ,但是 ,在QCD因子化方法中 ,若考虑软胶子效应 ,其结果与实验结果相一致 .另外 ,计算发现 ,软胶子效应在该衰变道中有相当大的贡献 ,因此不能被忽略     

Mg,Si和S同位素链的壳反常

采用考虑轴向形变的相对论平均场理论,以双中子、双质子分离能隙δ_2n/δ_2p作为壳封闭的特征,分析了Mg,Si和S同位素链的壳封闭和壳反常,发现Mg同位素链在N=12,16处,Si同位素链在N=14,S同位素链在N?=16处出现明显的壳封闭结构,Si同位素链在N=28处壳层结构并没有消失.Mg,Si和S同位素链在N=20处壳效应并不太明显.     

A New Pathway to Synthesize Cyclomercurated Ferrocenylimines Containing Heterocyclic Ring

The cyclomercurated ferrocenylimines containing heterocyclic ring were prepared by the condensation of cyclomercuration of acylferrocene with the appropriate heterocyclic amine.This procedure provides an efficient method for the synthesis of cyclomerucurated ferrocenylimines containing heterocyclic ring which are difficultly synthesized by the conventional method.The reaction mechanism is proposed.     

关于含非凸约束的变化问题

本文分别讨论泛函Ｉｐ（ｕ）＝∫Ω｛「α＾αβ（ｘ，ｕ）ｇｉｊ（ｘ，ｕ）Ｄαｕ＾ｉＤβｕ＾ｉＤβｕ＾ｊ」＾ｐ／２＋Ｐ（ｘ，ｕ）｝ｄｘ，在一般的非凸几何约束Ｆ１＝｛ｕ∈Ｈ＾１，ｐ（Ω，Ｒ＾Ｎ）；ｕ∈Ｍａ．ｅ．于Ω，ｕ│δΩ＝ｕ０｝和非凸图约束下的极小化问题，其中Ｍ为Ｒ＾Ｎ中的任一光滑开子集或Ｒ＾Ｎ的一个开子流形。     

金属颗粒-半导体膜Cu:CdS的制备及结构研究

利用磁控溅射产生金属Cu团簇，同时蒸发半导体介质CdS，将Cu团簇包埋在CdS介质中，制备出金属颗粒 半导体膜．团簇大小可通过改变溅射气压控制．用TEM研究了嵌埋团簇的结构．分析表明：CdS很好地包埋了Cu团簇，都呈多晶结构；团簇尺寸在5—20nm，Cu晶格发生了膨胀，膨胀量在7%左右 关键词：     

电子离子碰撞过程中的共振激发双自电离

利用相对论修正扭曲波玻恩近似, 计算了类钠离子Ti11+ 和Cr13+ 的电子碰撞直接电离, 激发自电离和共振激发双自电离截面. 理论数据与实验结果在整个能区内很好符合. 共振激发双自电离截面对总截面的贡献约为20%-30%, 对速率系数的影响较大, 不可忽略.     

直接耦合双耦合环高温超导dcSQUID中增大有效面积的图形设计

设计和制作了一种新型的双耦合环的直接耦合高Tc dc SQUID结构。根据Y.Zhang等在高Tc rf SQUID中用图形填充内孔使电感减小的原理，在直接耦合dc SQUID中，用在耦合环内孔中图形填充的方法减小电感，进而增大Ap/Lp，以增大总的有效面积。用双晶衬底所做的对比实验表明，对于我们所设计的几何结构，有效面积增大了17%。