多巴胺和5-羟色胺的毛细管电泳测定

建立了高效毛细管电泳结合柱上紫外检测测定单胺类神经递质多巴胺(dopamine,DA)和5_羟色胺(5_hydroxytryptamine,5_HT)的毛细管电泳方法 ,优化了缓冲液 pH值、浓度、电压等实验参数 ;结果表明 ,在优化的实验条件下 ,多巴胺、3,4_二羟苄胺 (3,4_dihydroxybenzylamine)和5_羟色胺在10min内得到很好的分离 ,检出限分别为2.02×10 -5mol/L,1.01×10 -5mol/L,1.20×10 -5mol/L ;该法简便、快速 ,样品用量少 ,结果准确 ,重现性好     

急性力竭运动对大鼠下丘脑氨基酸神经递质的影响

用激光诱导荧光检测的高效毛细管电泳结合微透析技术测定急性力竭运动前后的大鼠下丘脑区细胞外液中的氨基酸神经递质的含量. 实验结果表明, 急性力竭运动后大鼠下丘脑区的细胞外液中的6种氨基酸(精氨酸、甘氨酸、赖氨酸、谷氨酸、丙氨酸、γ-氨基丁酸)有统计意义的增加, 这一结果显示了下丘脑区的氨基酸在应激过程中很可能起着重要的作用.      

胶束电动毛细管色谱半导体激光诱导荧光测定单胺类神经递质

建立了用半导体激光诱导荧光结合胶束电动毛细管色谱测定单胺类神经递质——去甲肾上腺素和多巴胺的高灵敏分析方法。考察了青色素衍生物 ( Cy5 )对去甲肾上腺素和多巴胺的衍生条件。在优化条件下 ,去甲肾上腺素和多巴胺在 3× 1 0 - 8～ 5× 1 0 - 6 mol/L浓度范围内与荧光强度呈良好的线性关系。去甲肾上腺素和多巴胺的检出限分别为 5 .9× 1 0 - 9、 5 .4× 1 0 - 9mol/L。方法简便、灵敏、样品用量少 ,可用于痕量单胺类神经递质分析     

多光子技术及其应用研究进展

本文综述了多光子技术的基本原理及其在生命科学、化学、物理和材料科学领域的应用研究进展。     

失效原子力显微镜硅针尖再生

原子力显微镜的传统商品硅针尖在使用过程中极易因磨损而失效，本文研究了一种在实验室条件下简易可行的回收利用失效硅针尖的方法。在原子力显微镜的敲击模式下使用曲率半径大于100 nm的失效硅针尖对生长单壁碳纳米管的样品表面进行扫描，把样品表面的单壁碳纳米管管束粘接到硅针尖上，可制得直径在5～20 nm的碳纳米管针尖。实验对碳纳米管针尖和新的商品硅针尖进行了成像对比，所制备的碳纳米管针尖不仅在成像分辨率而且在成像稳定性上都优于新的商品硅针尖。     

聚(ε-己内酯)薄膜结晶形貌及分子取向研究

用匀胶机通过溶液铸膜方法在硅片和铝箔基板上分别制备具有不同厚度的聚(ε-己内酯)(PCL)薄膜. 通过原子力显微镜(AFM)和偏光衰减全反射傅里叶红外光谱(ATR-FTIR)对薄膜中PCL的结晶形貌、 片晶生长方式及分子链取向进行了研究. AFM结果表明, 在200 nm或更厚的薄膜中, PCL主要以侧立(edge-on)片晶的方式生长; 对于厚度小于200 nm的薄膜, PCL片晶更倾向于以平躺(flat-on)的方式生长. 这种片晶生长方式的改变在硅片和铝箔基板上都表现出同样的倾向. 此外, 在15 nm或更薄的薄膜中, PCL结晶由通常的球晶结构变为树枝状晶体. 偏光ATR-FTIR结果表明, 当膜厚小于200 nm时, 薄膜结晶中PCL分子链沿垂直于基板表面方向取向, 并且膜越薄, 取向程度越高, 与AFM的观测结果一致.     

一种具有可重构带阻特性的超宽带超导滤波器

提出了一种具有可重构带阻特性的超宽带超导滤波器,可有效抑制通带内的干扰信号。该超宽带滤波器基本结构是由改进后的多模谐振器和平行耦合微带馈线构成。2-bit叉指电容(interdigital capacitor,IDC)阵列被加载在平行耦合馈线外端,实现阻带的"开/关"及阻带中心频率的控制。该滤波器是在尺寸为20.0mm×6.0mm的MgO介质基片上实现的。未经调谐的测试结果显示了优异特性,并且和仿真结果吻合得很好。超宽带通带内的阻带可自由"开/关",中心频率调节范围从7.15到7.49GHz。此外,阻带在所有"开"的状态下显示了高的选择性(10dB带宽小于3%)和高的抑制性(高于38dB)。     

原位透射电镜研究正交相五氧化二铌纳米片的电化学储钠机制

由于正交相五氧化二铌(T-Nb₂O₅)为ReO₃型层状结构,锂、钠离子可以在其(001)平面快速脱嵌,而在[001]方向的传输一般较难。本研究通过原位透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)方法研究钠在T-Nb₂O₅纳米片(001)面内及[001]方向的钠离子电化学嵌入行为,发现由于纳米片晶体存在大量的位错和畴界,钠离子可通过这些缺陷穿越(001)面扩散,并进而在深层的(001)面内快速扩散。同时,本研究还发现刚合成的T-Nb₂O₅纳米片在[001]方向上存在调制结构,存在交替分布的压应变和张应变区域,而钠离子的嵌入可以调节这些应变分布。     

石墨烯嵌锂的拉曼成像

锂离子电池由于具有高能量密度,高循环寿命,低自放电率的优势,成为当前使用最为广泛的储能器件。层状材料是极为常用的负极材料,其微观嵌锂行为的研究对提高电池的能量密度和循环寿命有重要意义。本工作发展了一种新的平板微电池结构,可用于研究锂离子在各类二维层状纳米材料中的嵌锂行为。我们用机械剥离的单片少层石墨烯为正极,热蒸镀的锂金属为负极,构成石墨烯电池,用恒电压放电的方法进行嵌锂测试。采用拉曼成像技术收集石墨烯G峰信号的空间分布,实现对锂的嵌入过程的显微观测。发现了锂在石墨烯中沿层间扩散迁移,以及石墨烯断层对锂扩散的阻碍作用。这些结果有助于理解放电时锂在石墨烯电极中扩散过程,并且这项研究开发的平板微电池结构可用于多种材料的电化学过程中的微观过程表征,同时可实现与光学、电学、电子显微学等多种表征手段的兼容,具有较好的应用前景。     

用高斯定理求电场的条件是满足环路定理

通过举例说明用高斯定理求电场的条件是:仅由对称性分析就能得出满足环路定理的电场形式.