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1.
2.
本文报道了在Zn0.76Cd0.24Se/ZnSe多量子阱(MQWs)中,用不同的Ar+激光线激发,观察到了共振增强的喇曼散射。首次在室温和77K的条件下,用Ar+的457.9nm谱线激发,观察到分别来自ZnSe垒层和Zn0.76Cd0.24Se阱层的限制纵光学声子模(LO)的喇曼散射,并对上述不同的光学模的起因进行了分析。 相似文献
3.
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5.
6.
采用对掺入La_2O_3的石墨棒原位活化并结合交换电极回放方法制备了产率较高的金属富勒烯,并用甲苯高温热提取的方法有效地提取出La@C_(2n),其中La@C_(74)为可溶性金属富勒烯增加了新成员.同时,首次采用解吸电子轰击质谱对提取物进行了表征,讨论了提取物的ESR谱. 相似文献
7.
8.
轰击离子能量对CNx薄膜中sp3型C-N键含量的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
对磁控溅射生长在单晶Si(001)衬底上的CNx薄膜样品的化学键合及结构进行了研究,利用不同的衬底负偏压(Vh)来控制轰击衬底表面的入射离子能量,从而影响膜中的化学键合的状态.样品的FTIR,Ra-man和XPS分析结果表明,CNx薄膜中N原子分别与sp,sp2和sp3杂化状态的C原子结合,其中sp3型C-N键含量先随着衬底偏压(Vb)的升高而增加,并在偏压Vb=-50V时达到最大值,但随着Vb继续升高,sp3型C-N键含量减少,这表明CNx薄膜中,sp3型C-N键的含量与轰击离子的能量变化密切相关. 相似文献
9.
使用射频磁控溅射方法在不同衬底温度下(ts=室温,350,500℃)于Si(001)衬底上沉积了CNx膜,并利用拉曼(Raman)光谱、傅里叶变换红外光谱(FTIR)及X射线衍射光电子能谱(XPS)对CNx膜的化学结合状态与温度的关系进行了研究。Raman光谱结果表明,随衬底温度(ts) 增加,D带向低频方向移动,G带向高频方向移动;它们的半高宽分别由375和150cm^-1减小至328和142cm^-1;ID/IG由3.76减小至2.88。FTIR谱中除无序D带(1400cm^-1)和石墨G带(1570cm^-1)外,还有-700cm^-1,~2210cm^-1(C=N),2330cm^-1(C-O)及3255-3351cm^-1(N-H)等峰。XPS测试结果表明:随衬底温度增加,N与C的物质的量比由0.49下降至0.38,sp^2(C-N)组分与sp^3(C-N)组分强度比呈增大趋势。低温(350℃)退火并未对CNx膜的化学结合状态产生较大影响;高温(900℃)退火样品则显示出较好的结晶化程度。 相似文献
10.
采用大功率高重复频率准分子激光溅射热解石墨靶制备了类金刚石碳膜, 研究了实验条件对类金刚石膜光学性能的影响, 发现氢可以提高膜中sp3键的含量和膜的光学透过率. 在实验参数范围内, 膜的光学性能随着氢压的增加而提高. 根据类金刚石膜的反应沉积机理对上述结果进行了分析、解释. 相似文献