全文获取类型
收费全文 | 12408篇 |
免费 | 2188篇 |
国内免费 | 3102篇 |
专业分类
化学 | 9889篇 |
晶体学 | 250篇 |
力学 | 765篇 |
综合类 | 278篇 |
数学 | 1728篇 |
物理学 | 4788篇 |
出版年
2024年 | 9篇 |
2023年 | 116篇 |
2022年 | 247篇 |
2021年 | 306篇 |
2020年 | 368篇 |
2019年 | 429篇 |
2018年 | 341篇 |
2017年 | 389篇 |
2016年 | 492篇 |
2015年 | 577篇 |
2014年 | 713篇 |
2013年 | 974篇 |
2012年 | 1043篇 |
2011年 | 1180篇 |
2010年 | 1028篇 |
2009年 | 1041篇 |
2008年 | 1131篇 |
2007年 | 1096篇 |
2006年 | 1050篇 |
2005年 | 857篇 |
2004年 | 706篇 |
2003年 | 614篇 |
2002年 | 612篇 |
2001年 | 495篇 |
2000年 | 388篇 |
1999年 | 263篇 |
1998年 | 189篇 |
1997年 | 137篇 |
1996年 | 119篇 |
1995年 | 100篇 |
1994年 | 100篇 |
1993年 | 99篇 |
1992年 | 86篇 |
1991年 | 67篇 |
1990年 | 54篇 |
1989年 | 50篇 |
1988年 | 44篇 |
1987年 | 38篇 |
1986年 | 25篇 |
1985年 | 25篇 |
1984年 | 15篇 |
1983年 | 28篇 |
1982年 | 5篇 |
1981年 | 12篇 |
1980年 | 10篇 |
1979年 | 6篇 |
1978年 | 3篇 |
1977年 | 5篇 |
1973年 | 3篇 |
1970年 | 3篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 358 毫秒
21.
22.
23.
对红外热像仪参数双黑体测量装置的工作原理进行了介绍。装置采用双黑体及反射型靶标为温差辐射源,可实现黑体温度温差准直辐射的定期校准和红外热像仪参数测量量值的溯源,也可实现红外热像仪参数的可控性,以及对它进行稳定的、可复现的精确测量。推导出利用红外热像仪参数双黑体测量装置测量信号传递函数SiTF数学模型,分析了红外热像仪参数测量装置的客观因素——仪器常数,针对仪器常数对SiTF测量的影响进行了试验。试验结果表明,仪器常数对红外热像仪SiTF参数测量精度影响较大,并同时影响时域与空域NETD及3D噪声的准确测量。 相似文献
24.
分析光场与高聚物相互作用的微观机制,介绍高分子与小分子在光场作用下的极化过程。对在窄束光场作用下,高分子链极化后链上各处极化程度的分布情况进行研究,指出对于高度拉伸的聚合物薄膜,电偶极子模型不适合准确解释高分子与光场相互作用的微观机制。为此,采用符合实际的天线模型分析高分子天线与窄束光场的相互作用,从理论上推导出天线模型高分子链上一小段的极化公式,并用离散变分方法——DVM(discrete variational method)计算一个高分子链的极化分布,验证了文中推导出的分式的合理性。最后,将极化分布看作是电流在天线上的分布,计算了天线的次级辐射在空间中的角分布,得到天线模型对电偶极子模型的修正因子。 相似文献
25.
线性分式规划最优解集的求法 总被引:5,自引:0,他引:5
薛声家 《应用数学与计算数学学报》2002,16(1):90-96
本文使用多面集的表示定理,导出了线性分式规划最优解集的结构,并给出确定全部最优解的计算步骤。 相似文献
26.
27.
基于FPGA并行处理的实时图像相关速度计 总被引:3,自引:1,他引:2
研究制作了一种采用高速线阵CCD的实时相关速度计,其测量数据的输出速率可达每秒一万次。针对以往光学相关测速方法的问题进行了讨论,探讨了适合FPGA并行处理的算法,制作了高速线阵CCD摄像机及其处理装置。通过实验验证了系统的可行性和可实现性。 相似文献
28.
This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on (200)-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition (MOCVD) method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer's thickness. The high transmittance (80%), sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate. 相似文献
29.
图G称为K1,n-free图,如果它不含K1,n作为其导出子图.对K1,n-free图具有给定性质的[a,b]-因子涉及到最小度条件进行了研究,得到一个充分条件. 相似文献
30.