纳米晶复合Pr2Fe14B/α-Fe永磁材料磁性的研究

采用熔体快淬的方法制备Pr₂Fe₁₄B/α-Fe纳米晶复合永磁材料.使用振动样品磁强计(VSM)测量样品的室温磁性能.实验合金成分为(Pr_xFe_94.3-xB_5.7)_0.99Zr₁(其中x＝8.2，8.6，9.0，9.4，9.8，10.2，10.6，11.0，11.4(原子分数，%)).系统地研究了辊速及合金成分对快淬带磁性能的影响，当Pr原子分数由8. 关键词： 纳米复合永磁材料 熔体快淬 2Fe₁₄B/α-Fe')" href="#">Pr₂Fe₁₄B/α-Fe 磁性     

不均匀磁化薄膜中静磁波对导波光的Bragg衍射

研究了横向不均匀偏置磁场作用下掺Bi的YIG薄膜中微波静磁波的激发和传播特性；采用变分方法计算了静磁正向体波的色散关系和交变磁化强度，分析了不均匀场对静磁波－导波光耦合的影响理论计算得到的衍射效率曲线与实验结果基本一致，表明适当不均匀场可以大大提高磁光Bragg器件的衍射性能.     

由大学多媒体教学实践所引发的深入思考

多媒体技术是物理教学良好的辅助工具，多媒体技术的应用为大学物理教学开辟了一片广阔天地。它能大大增加物理教学的信息量，图形形象直观、生动活泼，有着传统教学无法比拟的优势，但是，多媒体技术使用不当也会给物理教学带来一些负面影响。     

High longitudinal selectivity of shifting multiplexing in volume holograms

High longitudinal selectivity of the shifting multiplexing with spherical reference wave is proposed and demonstrated. A simplified method based on wave optics is used for calculating the selectivity, and the result fits well the experimental measurement. Under the paraxial condition, a simple formula for the longitudinal selectivity is introduced. With use of an object lens with effective NA=0.817, we obtain that an FWHM of selectivity is as small as 1 μm.     

偏振模色散对非线性光纤环镜微波光子开关的影响及其补偿

建立了考虑PMD在内的NOLM微波光子开关光波传输方程，给出了基于耦合非线性薛定谔方程的分步傅里叶法，三维庞加莱球理论和琼斯传输矩阵法的数值分析模型.仿真获得在光子开关中微波直接强度调制光载波的传输过程，以及在不同调制带宽下一阶和二阶PMD对光波信号和NOLM功率传输函数的影响.指出PMD造成NOLM开关性能钝化和消光比严重恶化，并引起信号信噪比下降和旁瓣泄漏.当调制带宽大于40GHz时,二阶PMD的影响比一阶PMD更加严重.最后讨论了NOLM中的PMD补偿问题.     

最有效的相容剂是两嵌段还是多嵌段聚合物？

采用Monte Carlo模拟方法研究了多嵌段聚合物在A／B／嵌段聚合物三组份体系作为相容剂使用的有效性．占总体积19％的A组份在体系中为分散相．模拟结果显示了两嵌段和多嵌段聚合物在界面上的聚集行为,以及如何影响这个不相容体系的相形为．两嵌段聚合物趋于直立在相界面上,而多嵌段聚合物更容易横跨在相界面上并占据较大的界面积．从而导致多嵌段聚合物更有效的阻止体系相分离的发生．     

A Lower Bound for {a+b:aA, bB, and P(a,b)≠0}

Let A and B be two finite subsets of a field . In this paper, we provide a non-trivial lower bound for {a+b:aA, bB, and P(a,b)≠0} where P(x,y) [x,y].     

荧光光纤光栅传感特性的实验研究

在载氢掺铒光纤上写入Bragg光纤光栅，得到新型光子学器件-荧光光纤光栅.分别对其Bragg波长（λB）及荧光寿命（τ）的温度（T）及应变（ε）响应特性进行了实验研究，并且给出了λB和τ分别关于（T，ε）的拟合方程.实验结果表明：荧光光纤光栅的λB对T和ε的响应具备一般Bragg光纤光栅的优良特性，测得温度灵敏度为11.1pm /℃，应变灵敏度为1.19pm/με；而且τ对T和ε的响应也具有良好的线性关系，温度灵敏度为0.59 μs/℃，应变灵敏度为6.16 ns/με.实验结论为解决温度应力交叉敏感、实现温度应力的同时监测提供一条新颖的途径.     

玻璃中CdSeS纳米晶体的生长及其性能

对掺有镉、硒、硫的玻璃在500—800℃退火2—24h,生长了不同尺寸的CdSxSe1x纳米晶体.用分光光度计和光致发光光谱(PL)分析了纳米晶体的性能.退火温度低于550℃,纳米晶体处于成核阶段,600—625℃处于正常扩散生长阶段,700—800℃处于竞争生长阶段;而650℃处于两种生长阶段之间.虽然650℃下生长的纳米晶体的尺寸分布比较窄,但纳米晶体的尺寸随退火时间的延长几乎不变,在该温度改变退火时间很难改变纳米晶体的平均尺寸.在所有样品中出现了深能级缺陷,在650℃退火时间小于4h或大于16h有利 关键词： 纳米晶体 生长机理 深能级缺陷     

水雾化制备Fe74Al4Sn2P10C2B4Si4非晶合金粉末及其磁粉芯性能研究

采用水雾化方法制备Fe7Al4Sn2P10C2B4Si4合金粉末,研究发现该合金具有强的非晶形成能力和高热稳定性,在粉末粒度小于400目时可以形成非晶态合金.采用该非晶粉末制备的磁粉芯在高频下品质因数显著高于MPP粉芯,说明该磁粉芯高频损耗较低.分析表明,非晶合金磁粉芯高频下损耗低的主要原因是电阻率较高.