姜黄超临界提取物的高效液相色谱分析

用液相色谱-质谱和紫外-可见光谱对姜黄超临界提取物中的3种主要成分进行了定性分析,用高效液相色谱进行了定量分析。实验条件：用Hypersil C18为分离柱,甲醇-水(体积比40：60)为流动相,检测波长428nm,柱温40℃;姜黄素进样量在0．12～1．2μg范围内与峰面积线形关系良好(r=0．9994),平均回收率102％,重现性的RSD为1、74％(n=6)。分析结果表明超临界CO2萃取的姜黄提取物中含对二脱甲氧基姜黄素、脱甲氧基姜黄素和姜黄素,姜黄提取物中的总姜黄素含量约为90％。     

进位返加与逐位模2加及模2n加的相容程度分析

深入分析了进位返加运算与逐位模2加运算及模2^n加运算的相容程度,给出了它们的相容概率的计算公式．结论表明,进位返加运算与逐位模2加运算的相容概率尽管很小,但远大于理想值2^-n;进位返加运算与模2^n加运算的相容概率很大,近似为2／3．     

含H-单调映象的完全广义非线性变分包含

引入和研究了一类新的完全广义非线性变分包含.在Hilbert空间中利用与H-单调映象相联系的预解算子的性质,对完全广义非线性变分包含建立了解的存在性定理和构造了一种新的迭代算法,证明了由此算法生成的迭代序列强收敛于精确解.其算法和结果是最近文献中相应算法和结果的改进和推广.     

一种新颖的高灵敏度光纤光栅带宽调谐机构

设计了一种由一直梁和两个半圆拱组成的开口环结构,并将均匀光纤布拉格光栅斜贴于直梁中间的表面处。对两半圆拱施加与直梁方向平行的应力作用时,光纤光栅受到线性应力场的作用,光纤布拉格光栅即转化为啁啾光纤光栅。该机构实现了光纤光栅带宽的线性调谐,线性度高达0．9982,实验结果与理论分析一致。与以往的带宽调谐机构相比,该机构具有很高的应力灵敏度,在20N力的作用下,可产生约7nm的带宽反射,灵敏度达0．34nm／N。利用环境温度对带宽调谐无影响的特性,采用带宽编码技术,研制出具有温度自动补偿特性、高灵敏度的带宽调谐装置。     

抗坏血酸在聚阿魏酸修饰玻碳电极上的电化学行为研究

研究了抗坏血酸(AA)在聚阿魏酸修饰电极上的电化学性质。在AA存在的条件下,电极过程由扩散控制,测得扩散系数为8.18×10-8cm2/s。AA浓度在0.01~5.0 mmol/L范围内与峰电流呈现良好的线性关系。通过计时安培法测得催化速率常数为8.6×103mol-1.L.s-1。     

分析用标准样品氟铃脲的合成、纯化及表征

合成了氟铃脲农药粗品,通过活性炭吸附、重结晶进行初步纯化;然后采用柱层析分离技术,以硅胶为填料,乙酸乙酯／石油醚（30～60℃）（1：3,V／V）为展开剂（Rf≈0．5）进行提纯。用紫外光谱（UV）、红外光谱（IR）、核磁共振（^1H NMR,^13C NMR）及质谱（MS）进行了结构表征;以高效液相色谱法测得该试样纯度在99％以上。     

在均匀磁场中旋转的导体厚球壳上电荷的分布--证明在磁场中转动的导体表面电荷分布无普遍公式

用简单方法求出了在均匀磁场中旋转的导体厚球壳上电荷的分布,证明了在磁场中转动的导体表面电荷分布无普遍公式。     

5-芳基-2-呋喃甲醛腙的NMR谱研究

利用变温实验和DPFGSE-NOE实验,确定了5-(3-氯苯基)-2-呋喃甲醛-N-4-甲基苯氧乙酰腙和5-(3-氯苯基)-2-呋喃甲醛-N-4-硝基苯氧乙酰腙两个新化合物25 ℃时在二甲基亚砜中的空间构型,并对这两个新化合物在25 ℃和90 ℃时的质子的化学位移进行了全归属。     

MOCVD生长的GaN和GaN:Mg薄膜的拉曼散射

通过显微拉曼散射对用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Al2O3衬底上生长的六方相CaN和掺Mg的P型GaN薄膜进行了研究。在两个样品的拉曼散射谱中同时观察到位于640,660cm^-1附近的两个峰。640cm^-1的峰归因于布里渊区边界(L点)最高声学声子的二倍频,而660cm^-1的峰为布里渊区边界的光学声子支或缺陷诱导的局域振动模。掺Mg的GaN在该处的峰型变宽是Mg诱导的缺陷引起的加宽或Mg的局域模与上述两峰叠加的结果。在掺Mg的样品中还观察到276,376cm^-1几个局域模并给予了解释。同时掺Mg的GaN中出现了应力弛豫的现象,掺Mg引起的失配位错和电子-声子相互作用都有可能对E2模的频率产生影响。     

聚合物前驱体衍生SiC纳米棒的光学性质

采用聚硅氮烷前驱体热裂解方法制备SiC纳米棒,并利用SEM、XRD和EDX表征了SiC纳米棒的结构和组成,表明得到的SiC的组分比C：Si接近1：1。用微区Raman和光致发光方法研究了纳米棒的光学性质。观测到SiC的TO模式对应的Raman峰和相邻肩峰。对SiC纳米棒观测到其紫外3．25eV附近强的光致发光峰,我们认为它归结为α型SiC带间的跃迁。通过XRD、Raman和光发射谱,我们推测前驱体热裂解得到的SiC纳米棒是一个混晶,纳米棒的表层是立方晶,而内层主要为a—SiC。