ICP-AES测定钾石盐中钾、钠、钙和镁的含量

在选定的最佳条件下,样品直接溶解后采用ICP-AES测定钾石盐中钾、钠、钙、镁的含量,其最终检测结果与化学法测定结果一致。该方法简便、快速、线性范围宽、测量稳定、可多元素同时测定。回收率为98.3%—100.2%。     

指数分布场合恒加试验缺失数据的Bayes统计分析

主要讨论了当寿命分布是指数分布时恒定应力加速寿命试验中常见几类数据类型(完全样本,分组样本,删失样本)的Bayes统计分析方法.运用G ibbs抽样迭代算法成功解决了Bayes分析中极为复杂的后验边际分布的计算问题,得到了满足顺序约束的参数的Bayes估计.模拟结果表明各场合下此方法均较好.     

Scaling of anisotropic flows and nuclear equation of state in intermediate energy heavy ion collisions

Elliptic flow ($v_2$) and hexadecupole flow ($v_4$) of light clusters have been studied in detail for 25 MeV/nucleon $^{86}$Kr + $^{124}$Sn at large impact parameters by using a quantum molecular dynamics model with different potential parameters. Four sets of parameters including soft or hard equation of state (EOS) with or without symmetry energy term are used. Both number-of-nucleon ($A$) scaling of the elliptic flow versus transverse momentum ($p_{\rm t}$) and the scaling of $v_4/A^{2}$ versus $(p_{\rm t}/A)^2$ have been demonstrated for the light clusters in all above calculation conditions. It is also found that the ratio of $v_4/{v_2}^2$ maintains a constant of 1/2 which is independent of $p_{\rm t}$ for all the light fragments. Comparisons among different combinations of the EOS and the symmetry potential term show that the above scaling behaviours are sound and independent of the details of potential, while the strengths of flows are sensitive to the EOS and the symmetry potential term.     

Ni-Co-B非晶态合金催化肉桂醛常压加氢制3-苯丙醛的研究

采用化学还原法制备了一系列Ni-Co-B非晶态合金催化剂, 通过调变金属盐混和液中Ni^2＋/Co^2＋的比例, 可制得不同Co含量的Ni-Co-B非晶态合金. 用ICP, BET, XRD, TEM, SAED, DSC, XPS和H₂-TPD对其组成、结构、粒子大小、表面形貌和表面电子态进行了系列表征, 并以肉桂醛常压加氢制苯丙醛作为探针反应, 考察了所制备的Ni-Co-B非晶态合金的催化性能. 结果表明, Ni-Co-B非晶态合金中Ni为活性中心, Co的引入可显著增加其催化活性. 由于催化测试中金属总量固定为1.0 g, 因此增加Ni-Co-B中Co的含量具有正负两方面的效应. 一方面, 由于Ni活性位数目的减少加氢活性降低; 另一方面, Co对Ni活性中心具有协同作用, 有利于增加合金的无序度、金属-类金属间相互作用、表面Ni含量和电子相互作用, 从而提高催化活性. 最佳Co与(Ni＋Co)摩尔比含量的范围为0.2～0.5.     

国内物理类和理工专业大学生创新成果分析——以2010年来《大学物理》大学生园地栏目刊文为例

本文以发表在《大学物理》大学生园地栏目的大学生论文为例,分析了物理学类和理工专业大学生开展创新研究所发表的创新成果的特征,为基于“双万计划”和“六卓越一拔尖”人才培养2.0建设环境下的物理学类和相关理工本科专业的大学生创新活动提供建议.     

一种低损耗的对称双楔形太赫兹混合表面等离子体波导

本文研究了一种适用于太赫兹频段的对称双楔形混合等离子体波导.采用有限元法对其混合模式特征进行数值模拟,阐述了波导的传播长度、归一化有效模场面积和品质因子等特性随波导几何参数的变化规律.结果表明,对称双楔形混合等离子体波导在太赫兹频段可获得良好的模场约束能力和低损耗特性,在有效模场面积达到λ2/10280时,传播长度达到51 × 103 μm.波导参数最优时的平行对称楔形波导在忽略波导间串扰时,波导间距小于16 μm时的耦合长度约为8958 μm.通过对比发现,相比于先前的对称微楔形波导结构和对称蝴蝶结波导结构,对称双楔形混合等离子体波导在传输特性和耦合特性方面都具有更大的优势,将在光学力捕获、生物分子传输以及高密度集成电路设计等方面具有潜在的应用前景.     

基于IQ调制的OFDR系统仿真研究北大核心CSCD

针对传统外调制光频域反射(OFDR)系统空间分辨率较差的问题,提出了基于IQ调制OFDR系统的方法。分析了OFDR系统基本原理及IQ调制扫频原理,采用IQ调制器调制稳频激光器产生线性扫频光,建立了基于IQ调制的OFDR系统仿真模型;通过改变局部后向散射光相位以模拟待测温度或应变变化,并提出差分FFT解调算法实现对待测参量的快速定位检测。仿真结果表明,模型可以准确检测与定位施加在传感光纤上的模拟待测参量,并在传感距离为100m长的光纤上实现了0.23m的空间分辨率。研究证明,该系统优化了空间分辨率,降低了解调算法复杂度,提高了参量检测准确度,从而为光频域反射技术在短距离高空间分辨率应变、温度等参量检测方面的应用提供理论依据和测量方法。     

不同辅料与生物沥浸深度脱水污泥混合堆肥中溶解性有机质的光谱特征研究

生物沥浸深度脱水污泥为主料,四种农林有机废物为辅料,设4个处理组(T1:污泥+甘蔗渣、 T2:污泥+秸秆、 T3:污泥+米糠、 T4:污泥+木屑)进行混合堆肥,采用紫外-可见光谱(UV-Vis)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)和三维荧光光谱(3D-EEM),研究不同辅料堆肥过程中溶解性有机质(DOM)结构特征和组分含量的演化规律。UV-Vis结果显示,四个处理组在堆肥过程中DOM的芳香度和不饱和度皆有所增加,其中T3处理组的增加幅度最大。四个处理组的紫外参数SUVA₂₅₄和SUVA₂₈₀均呈现递增趋势,其中T3处理组的变化幅度高于其他三个处理组,表明芳构化程度加深,DOM分子量逐渐加大;E₂₅₃/E₂₀₃和E₂₅₃/E₂₂₀在堆肥结束时显著增加,表明DOM中苯环上的脂肪链发生氧化分解,转化为羧基羰基等官能团,A_226～400随堆肥进行增加而E₂₅₀/E₃₆₅减小,表明共轭程度增加。FTIR结...     

半导体黄光发光二极管新材料新器件新设备

在可见光范围内,半导体发光二极管(LED)发展很不平衡,黄光LED光效(光功率效率)长期远低于其他颜色光效.本文基于GaN/Si体系,从材料生长、芯片制造、器件物理和专用装备等方面进行了系统研究,解决了外延膜龟裂、位错过多、量子阱应力过大、InGaN黄光阱材料相分离、空穴浓度不足、阱材料生长温度过低、衬底吸光、电极挡光等问题,率先实现了高光效黄光LED关键性突破.所研制的黄光LED器件,在20 A/cm~2驱动下波长565 nm黄光LED光效达26.7%,对应164 lm/W;在1 A/cm~2驱动下波长577 nm黄光LED光效达42.8%,对应248 lm/W.基于高光效黄光LED,开发了无荧光粉、多基色LED照明新光源,实现了纯LED照明光源在路灯、氛围灯等方面应用.     

Effects of Hydrogen Treatment in Barrier on the Electroluminescence of Green InGaN/GaN Single-Quantum-Well Light-Emitting Diodes with V-Shaped Pits Grown on Si Substrates

Effect of hydrogen(H_2) treatment during the GaN barrier growth on the electroluminescence performance of green In GaN/GaN single-quantum-well light-emitting diodes(LEDs) grown on Si substrates is experimentally investigated. We prepare two LED samples with different carrier gas compositions during the growth of GaN barrier. In the H_2 free LED, the GaN barrier is grown in full nitrogen(N_2) atmosphere. For the other H_2 treated LED, a mixture of N_2 and H_2 was used as the carrier gas. It is observed that V-shaped pits decrease in size after H_2 treatment by means of the scanning electron microscope. Due to the fact that the p–n junction interface would be closer to the p-GaN as a result of smaller V-shaped pits, the tunneling barrier for holes to inject into the In GaN quantum well would become thicker after H_2 treatment. Hence, the external quantum efficiency of the H_2 treated LED is lower compared to the H_2 free LED. However, LEDs would exhibit a better leakage behavior after H_2 treatment during the GaN barrier growth because of more effective blocking of the threading dislocations as a result of the H_2 etching at V-shaped pits.