Modeling and character analyzing of multiple fractional-order memcapacitors in parallel connection

Recently,the memory elements-based circuits have been addressed frequently in the nonlinear circuit theory due to their unique behaviors.Thus,the modeling and characterizing of the mem-elements become essential.In this paper,the analysis of the multiple fractional-order voltage-controlled memcapacitors model in parallel connection is studied.Firstly,two fractional-order memcapacitors are connected in parallel,the equivalent model is derived,and the characteristic of the equivalent memcapacitor is analyzed in positive or negative connection.Then a new understanding manner according to different rate factor K and fractional orderαis derived to explain the equivalent modeling structure conveniently.Additionally,the negative order appears,which is a consequence of the combination of memcapacitors in different directions.Meanwhile,the equivalent parallel memcapacitance has been drawn to determine that multiple fractional-order memcapacitors could be calculated as one composite memcapacitor.Thus,an arbitrary fractional-order equivalent memcapacitor could be constructed by multiple fractional-order memcapacitors.     

频响函数综合法预测结构在水下的动特性

通过对一个结构模型在空气中和水下的动特性的研究，探讨了由结构在空气中的模态参数和水的附加质量预测结构在水下的模态参数的频响函数综合法，用以替代实体结构在水下的动特性试验。应用这种方法预测得到了结构在水下的模态参数并与结构的湿模态试验结果进行了对比。研究结果表明，对于所研究的梁形结构，不考虑水的阻尼，将水对结构的影响考虑成为附加质量，应用频响函数综合法预测结构在水下的模态参数是可行的     

几类非奇H-矩阵的行列式估计

非奇H-矩阵在数学物理、控制论、电力系统理论及经济学等许多领域有着重要的研究价值和实用价值.本文利用矩阵逆元素估计、矩阵的逐次降阶法及递归,给出严格对角占优矩阵、广义严格对角占优矩阵等几类非奇H-矩阵的行列式上下界的估计式.改进了已有的一些相关结果,并用数值算例说明文中结果的有效性.     

改进路径规划算法在桥式起重机中的应用

原有的桥式起重机路径规划算法是以路径最短为目标函数,规划得到的路径存在多个拐点,在实际操作中由于起重机大车和小车的频繁起制动,使负载摆动较大且耗费了大量时间,严重影响了桥式起重机转载的效率;在分析桥式起重机自身结构和运行系统特点的基础上,通过改变原有替补栅格集合使大车和小车交替运行,同时将拐点的数量结合到路径规划算法的目标函数中,规划得到了无斜线,拐点少且路径短的最优路径;通过仿真与实验,对比得到在实际转载中改进算法得到的路径用时较短,证明了改进后的路径规划算法在实践上的可行性。     

Xe~(26+)入射Au靶离子L壳层空穴的产生与退激辐射

基于两体碰撞过程的能量与角动量守恒,推导出Xe26+离子与Au原子碰撞过程,单离子的L壳层空穴产额与离子动能的理论关系.实验测定了动能2.4-3.6Me V的Xe26+离子入射Au靶,产生的Xe的L-X射线谱,获得了射线产额与离子入射动能的实验关系.结果表明,碰撞过程产生Xe L壳层空穴的同时,产生了一定数目的 M壳层空穴,导致L壳层空穴平均荧光产额显著变大,在实验能量范围,空穴产额的理论值与射线产额的实验值存在较好的一致性.     

黑体热辐射光谱的宽度与对称性研究及其应用

在获得归一化黑体热辐射光谱图的基础上,定义了黑体热辐射光谱的相对宽度RWη和对称性因子RSFη两个重要参数,并对这两个参数的理论结果予以实验验证,从而可以构成一种新的测温方法,并可望建立一种新的温度标准.     

精细积分法在电报方程求解中的应用

将精细积分法应用到了二维的电报方程的数值计算之中。实例计算表明，该方法具有简单、计算精度高、无条件稳定、不需要进行复杂、费时的频域一时域转换及卷积积分，直接时域分析，处理非零初始值容易等优点。与传统的ＦＦＴ法及ＮＩＬＴ法相比，其效率更高，功能更强。     

量子垒生长速率对InGaN基绿光LED性能的影响

利用MOCVD技术在图形化Si(111)衬底上生长了InGaN/GaN绿光LED外延材料。在GaN量子垒的生长过程中,保持NH3流量不变,通过调节三乙基镓(TEGa)源的流量来改变垒生长速率,研究了量子垒生长速率对LED性能的影响。使用二次离子质谱仪(SIMS)和荧光显微镜(FLM)分别对量子阱的阱垒界面及晶体质量进行了表征,使用电致发光测试系统对LED光电性能进行了表征。实验结果表明,垒慢速生长,在整个测试电流密度范围内,外量子效率(EQE)明显提升。我们认为,小电流密度下,EQE的提升归结为量子阱晶体质量的改善;而大电流密度下,EQE的提升则归结为阱垒界面陡峭程度的提升。     

InGaN/GaN多量子阱LED载流子泄漏与温度关系研究

通过测量光电流,直接观察了InGaN/GaN量子阱中载流子的泄漏程度随温度升高的变化关系。当LED温度从300K升高到360K时,在相同的光照强度下,LED的光电流增大,说明在温度上升之后,载流子从量子阱中逃逸的数目更多,即载流子泄漏比例增大。同时,光电流的增大在激发密度较低的时候更为明显,而且光电流随温度的增加幅度与激发光子的能量有关。用量子阱-量子点复合模型能很好地解释所观察到的实验现象。实验结果直接证明,随着温度的升高,InGaN/GaN量子阱中的载流子泄漏将显著增加,而且在低激发密度下这一效应更为明显。温度升高导致的载流子泄漏增多是InGaN多量子阱LED发光效率随温度升高而降低的重要原因。