Effect of the Si-doped In0.49Ga0.51P barrier layer on the device performance of In0.4Ga0.6As MOSFETs grown on semi-insulating GaAs substrates

In0.4Ga0.6As channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with and without an Si-doped In0.49Ga0.51P barrier layer grown on semi-insulating GaAs substrates have been investigated for the first time. Compared with the In0.4Ga0.6As MOSFETs without an In0.49Ga0.51P barrier layer, In0.4Ga0.6As MOSFETs with an In0.49Ga0.51P barrier layer show higher drive current, higher transconductance, lower gate leakage current, lower subthreshold swing, and higher effective channel mobility. These In0.4Ga0.6As MOSFETs (gate length 2 μm) with an In0.49Ga0.51P barrier layer exhibit a high drive current of 117 mA/mm, a high transconductance of 71.9 mS/mm, and a maximum effective channel mobility of 1266 cm2/(V·s).     

基于神光Ⅲ主机装置的中子半影锥成像系统设计

针对半影孔加工和检测困难的缺点,设计了半影锥成像系统。根据神光Ⅲ主机装置中子产额条件,确定成像系统排布参数;根据点扩展函数的尖锐性和等晕性要求,确定半影锥参数;模拟半影锥系统的分辨率,以及在不同加工精度、偏心误差、旋转误差和物距误差时,对成像质量的影响。模拟结果表明,系统分辨率能达到15 m,半影锥椭圆度的加工误差要小于0.1,瞄准的偏心误差要小于60 m,旋转误差要控制在0.35 mrad以内,物距误差要控制在1 mm以内。     

Optical fiber sensor based on the short-range surface plasmon polariton mode简

The dispersion compensation properties of dual-concentric core photonic crystal fibers are theoretically investigated in this letter. The effects of geometric structure on the dispersion properties of dual-concentric core photonic crystal fibers are carefully studied by finite element method. The first layer of holes around the core area is enlarged in a new manner with the near-core point fixed. Considering the tradeoff among several parameters, results show that the dispersion compensation wavelength and strength can be tuned to desired values by constructing an appropriate design of the geometric structure of photonic crystal fibers.     

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利用TORAY程序对电子回旋波的传播轨迹、功率沉积和电流驱动等参数与波束发射位置、发射角度的相互关系进行了数值模拟计算,给出了天线的最佳发射位置和天线平面反射镜在极向和环向转动角度的调节范围,分析了不同入射角对微波功率沉积及驱动电流的影响。     

一种简单高效的制备硅纳米孔阵结构的方法

本文介绍了一种简单高效的制备硅纳米孔阵结构的方法. 利用激光干涉光刻技术, 结合干法和湿法刻蚀工艺, 直接将光刻胶点阵刻蚀为硅纳米孔阵结构, 省去了图形反转工艺中的金属蒸镀和光刻胶剥离等必要步骤, 在2英寸的硅 (001) 衬底上制备了高度有序的二维纳米孔阵结构. 利用干法刻蚀产生的氟碳有机聚合物作为湿法刻蚀的掩膜, 以及在干法刻蚀时对样品进行轻微的过刻蚀, 使SiO₂点阵图形下形成一层很薄的硅台面, 是本方法的两个关键工艺步骤. 扫描电子显微镜图片结果表明制备的孔阵图形大小均匀, 尺寸可控, 孔阵周期为450 nm, 方孔大小为200–280 nm. 关键词： 激光干涉光刻 纳米阵列 刻蚀 氟碳有机聚合物     

中药辛夷中微量元素含量的测定

应用电感耦合等离子体发射光谱仪（ICP—AEP）,对中药辛夷中的微量元素进行了测定分析。结果表明,辛夷中Ca、Al、Mg、P、Fe等元素含量相对较高,变异系数范围在0．87％-6．82％之间,元素回收率在95．02％～103．53％之间。该法操作简便、快速,可用于中药辛夷中微量元素的测定。     

长沙市公园土壤重金属调查与评价

根据对长沙市公园土壤的重金属含量测定结果,采用内梅罗综合污染指数对其进行了评价,并运用相关分析、聚类分析进行了统计分析。研究结果表明,岳麓山公园、烈士公园土壤重金属含量较低,月亮岛土壤重金属含量较高。通过内梅罗综合污染指数评价,认为岳麓山公园土壤属于安全级别,未发生重金属污染;烈士公园土壤中Cr、Hg、Cd属轻污染,其余重金属无污染;月亮岛中土壤重金属污染相对严重,其中Zn、Cd属重污染。通过相关分析表明,与pH值呈正相关的为Cr、Zn、Pb、As;聚类分析研究表明,在距离为20分为两大类Cr、Zn;Hg、Cd、Cu、As、Pb、pH。     

一个简易的2,6-二氨基-3,5-二硝基吡啶-1-氧化物的合成方法

研究了2,6-二氨基-3,5-二硝基吡啶-1-氧化物(DADNP-1-O)的一个简易合成方法. 该方法是以2,6-二氨基吡啶(DAP)为原料, 利用两步法得到高纯度高产率的2,6-二氨基-3,5-二硝基吡啶, 再在三氟乙酸和双氧水作用下进行N-氧化反应得到DADNP-1-O, 总收率在90%以上, 并对主要反应影响因素进行了讨论, 经傅立叶变换红外光谱(FT2IR), 氢核磁(1H NMR), 碳核磁(13C NMR), 高效液相色谱(HPLC), 元素分析, DSC等方法对中间体和DADNP-1-O结构进行了表征.     

一种新型生物聚合物的分子组成及特性研究

由鞘氨醇单胞菌(Sphingomonas sp.)NX02合成了一种具有增稠性、假塑性、成凝胶特性和乳化活性的新型生物聚合物. 定性分析表明, 聚合物由糖类、脂类和多肽构成, 其所占比例分别为34.8%, 63.1%和1.5%. 用凝胶渗透色谱-多角度激光光散射联用法测得聚合物的重均分子量和数均分子量分别为408000和382000, 分子量分布Mw/Mn为1.07. 该聚合物的单糖组成为葡萄糖、甘露糖、鼠李糖和葡萄糖醛酸, 脂类由十六碳及十八碳脂肪酸组成. 由于在聚合物的氨基酸组成中天冬氨酸和谷氨酸两种酸性氨基酸占23.3％, 因此可以采用酸沉法提取, 从而大幅度降低其生产成本.     

氮杂冠醚或吗啉基取代的单Schiff碱配合物催化α-吡啶甲酸对硝基苯酯水解

两种含5-取代苯并-10-氮杂-15-冠-5的Schiff碱锰(III)、钴(II)配合物( , )及其吗啉基取代的类似物( , ) 用于催化α-吡啶甲酸对硝基苯酯(PNPP)水解。探讨了氮杂冠醚Schiff 碱配合物催化PNPP水解的动力学和机理;提出了配合物催化PNPP水解的动力学模型;考察了配合物结构、反应温度、缓冲溶液pH值等对PNPP水解反应的影响。结果表明,在25℃条件下随着缓冲溶液pH值的增大,催化PNPP水解速率提高;含取代苯并-10-氮杂-15-冠-5的Schiff碱配合物表现出更高的催化活性。根据阿累尼乌斯公式和不同温度下的表观一级常数求出水解反应的表观活化能。