关于恢复系数e的讨论

定义了物体的绝对恢复系数、计算一两物体碰撞时的共同恢复系数与两物体各自绝对恢复系数的关系，讨论了碰撞中的两物体各自因范性形变而损失的机械能。     

多层介质膜的体吸收与界面吸收研究

以TiO_2/SiO_2膜系为例,报道了用横向光热偏转技术研究多层介质膜体、面吸收的实验方法与实验结果.文中对实验结果作了分析讨论并把它与文献报道的光声法作了比较.     

对同济大学编《线性代数》的一点看法

<正> 我院线性代数课程采用同济大学数学教研室编的《线性代数》为教材。在教学过程中,发现该书有一些值得商讨的地方,下面是我的一点看法,不妥之处欢迎批评指正。该书第三章“向量组的线性相关性与矩阵的秋”是全书份量最重的一章,概念较抽象,理论性也比较     

Siδ掺杂Al＿xGa＿（1─x）As／GaAs异质结二维电子气的SdH振荡研究

使用分子束外延方法生长了一种新的基于Ｓｉδ掺杂的ＡｌｘＧａ＿１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结，测量了０．３－３０Ｋ低温下异质结处二维电子气的横向磁阻、迁移率和Ｈａｌｌ电阻，磁阻的Ｓｈｕｂｎｉ－ｋｏｖ－ｄｅＨａｓｓ（ＳｄＨ）振荡非常明显。对振荡曲线作快速Ｆｏｕｒｉｅｒ变换分析，获得了二维电子气中每一子能带上占据的电子数密度和有效质量（ｍ＿０／ｍ＿０＝０．０７３，ｍ＿１／ｍ＿０＝０．０６８）．随温度降低，子带上占据的电子增多，实验中发现：当样品温度为０．３Ｋ，横向磁场从０到７Ｔ扫描时，磁阻振荡出现间歇性的反常峰，磁阻振幅陡然增大５－６倍。     

在极坐标下质点的轨道微分方程

本文根据直线来与曲线（ｃ）间的交角公式导出ｃｔｇ＝ｒ＇（θ）／ｒ（θ）的形式，由此微分方程可得到 ｒ（θ） 的积分式，便可直接求得极坐标形式的质点运动的轨 道方程．此法给解决质点运动轨迹的问题带来方便．     

Ⅱ－Ⅵ族半导体研究概观

回顾了Ⅱ－Ⅵ族半导体材料的研究状况．结合国际上的最新研究动态，总结出Ⅱ－Ⅵ族半导体材料研究的主要方向：（１）ｐ型掺杂研究；（２）ｐ型Ⅱ－Ⅵ族半导体的欧姆接触；（３）Ⅱ－Ⅵ族外延结构中的电子、激子与增益；（４）量子线、量子点及稀磁半导体。     

高能等离子体辅助CVD法新型纳米碳膜的制备及分析

利用自制高能等离子体辅助化学气相沉积设备在1Cr18Ni9Ti衬底上，在离子能量2keV、工作压力2Pa、工作气氛为CH₄/H₂=10%的工艺条件下得到了一种硬度高、导电性能良好、可能具有碳链结构的新型碳膜.工艺研究结果表明，衬底材料对制备该新型纳米碳膜具有关键作用，离子能量、工作压力及气氛等工艺因素也具有重要作用.原子力显微镜分析结果表明，该薄膜晶粒尺寸小于100nm，薄膜光滑、致密、均匀.拉曼光谱分析显示，该薄膜的拉曼光谱特征为中心峰在1580cm ^{关键词： 高能等离子体 CVD法 纳米碳膜 衬底材料}     

现代技术与物理形象化教学

本文介绍了江汉石油学院物理教研室通过《现代技术与物理形象化教学》的教学研究建立开放演示实验室的指导思想，成功经验及心得体会     

用光栅干涉测定视觉锐度的新技术

本文概述了用全息位相光栅干涉法将原眼科用的裂缝灯稍做改进便能测定人眼视觉锐度的新技术.