用同一个晶体管发射超声单脉冲和调制波的声速仪

一、工作原理用同一个晶体管发射超声单脉冲和调制波的声速仪的工作原理如图1所示.图1中脉冲回波重合法时序逻辑电路周期性地产生发射同步信号,信号经开关K1选通后,分别被送往单脉冲形成电路或调制波形成电路,然后再经过开关K2送在发射电路.当电源切换开关K3将高压直流电压VH送入发射电路时,该超声波声速仪处于发射超声单脉冲波的工作状态,发射电路输出幅度很高、边沿很陡的电脉冲,经过输出高频插座去激励压电晶片产生单脉冲的超声波,压电晶片与电感构成一个调谐回路路.当电源切换开关K3转向另一侧,将低压直流电压VL送入发射电路,该声速…     

压力场中光纤应变测量方法研究

本文对压力场环境下的光纤应变测量方法进行了研究，在理论上分析了由于测试环境的压力变化产生虚假应变的原因，提出了采用补偿的方法消除虚假应变。通过具有补偿功能的马赫－泽得干涉系统对应变场进行了测量，证明了补偿法的可靠性，为光纤应变测量方法向实用化转变进行了有益的探讨。     

193 nm氟化物增透膜的特性

 为了研制低损耗、高性能的193 nm氟化物增透膜,研究了基底和不同氟化物材料组合对氟化物增透膜的影响。在熔石英基底上,将挡板法和预镀层技术相结合,采用热舟蒸发方式制备了不同氟化物材料组合增透膜,对增透膜的剩余反射率和光学损耗等光学特性,以及表面粗糙度和应力等特性进行了测量和比较。在分析比较和优化的基础上,设计制备的3层1/4波长规整膜系AlF3/LaF3增透膜在193 nm的剩余反射率低于0.14%,单面镀膜增透膜的透射率为93.85%,增透膜表面均方根粗糙度为0.979 nm,总的损耗约为6％。要得到高性能的193 nm增透膜,应选用超级抛光基底。     

用单调性证明数列的连续项积型不等式

对数列连续项积型不等式，文[1]给出了用其成立的一个充分条件证明的方法．笔者探究发现，用单调性证明某些此类不等式更简便．     

一种改进的用于Adams预估-校正算法的步长控制方法

1 引 言 对于一阶常微分方程 y'=f(t,y).(1) 的数值解法,目前常用的主要有两类方法:单步法和线性多步法(Linear Multistep Methods,LMM).     

谈可换元方程

高于二次的整式方程叫作高次方程 .关于一元三次和四次方程的解法 ,虽然在 1 5世纪时 ,已由卡当和笛卡儿等数学家给出 ,然而其过程过于繁杂 .因而在中学数学里 ,关于高次方程求解的研究 ,重点放在特殊高次方程 .常见的特殊高次方程有 :二项方程、三项方程 (它的特例为准二次方程 )和倒数方程等 .解高次方程的关键是降次与消项 .换元是解题的一个重要方法 .解高次方程时 ,利用换元能简化方程的项 ,有时也能直接降次 ,因而换元也是解高次方程的主要手段 .我们把这一类能够利用换元求解的高次方程简称“可换元方程” .可换元方程不是一般性的 ,…     

一个误传已久的答案

题目 从平面外一点向平面引两条与平面斜交的射线，它们的角为α，这两条射线在平面内的射影的夹角为β，那么α与β之间的关系是（ ）     

Influences of SiO2 laser-induced protective layers and damage threshold of annealing on the Ta2O5 films

Ta2O5 films are prepared on BK7 substrates with conventional electron beam evaporation deposition. The effects of SiO2 protective layers and annealing on the laser-induced damage threshold （LIDT） of the films are investigated. The results show that SiO2 protective layers exert little influence on the electric field intensity （EFI） distribution, microstructure and microdefect density but increase the absorption slightly. Annealing is effective on decreasing the microdefect density and the absorption of the films. Both SiO2 protective layers and annealing are beneficial to the damage resistance of the films and the latter is more effective to improve the LIDT. Moreover, the maximal LIDT of Ta2O5 films is achieved by the combination of SiO2 protective layers and annealing.     

沉积温度对HfO2薄膜残余应力的影响

 用电子束蒸发方法制备了HfO₂薄膜，根据镀膜前后基片曲率半径的变化，用Stoney公式计算了薄膜应力，讨论了沉积温度对薄膜残余应力的影响。结果发现，HfO₂薄膜的残余应力均为张应力，应力值随沉积温度的升高先增大后减小，在280 ℃左右出现极大值。对样品进行了XRD测试，从微观结构上对实验结果进行了分析，发现微结构演变引起的内应力变化是引起薄膜残余应力改变的主要因素，HfO2薄膜在所选沉积温度60~350 ℃内出现了晶态转变，堆积密度随温度升高而增大。     

一个误传已久的答案

1错误的答案题目从平面外一点向平面引两条与平面斜交的射线,它们的角为α,这两条射线在平面内的射影的夹角为β,那么α与β之间的关系是( ) (A)α＜β．(B)α＞β．(C)α=β．(D)α≤β．流传的答案是选(A),其实选(A)是错误的,请看以下实例：