智慧窗

1欢庆新年算式中“欢、庆、新、年”代表 2～ 9中 4个不同的数 ,它们各代表什么数字 ,算式才能成立 ?欢4 ×庆3+新2 ÷年1 =2 0 0 42欢庆新年在下式的四个☆中填入同一个数 ,使得“欢、庆、新、年”四个字所代表的各数之和等于2 0 0 4.☆中应填什么数 ?☆　 +　 2　 =　欢☆　 -　 0　 =　庆☆　×　 0　 =　新+　☆　÷　 4　 =　年　　2 0 0 43翻译数将下列算式中的不同的汉字换成 0～ 9这十个数字 ,使等式成立 :一寸光阴÷ 3 一寸金=寸金÷难买×寸光×阴4祝新年好下面竖式算式中的不同汉字代表 1～ 9这九个数字 ,请你将汉字换为数字 ,使…     

L-Shell X-Ray Production Cross Sections of Au and Ir Atoms by Electron Impact near the Threshold Region

L-shell production cross sections Lα, Lβ and Lγ for Au and Ir atoms have been measured by electron impact at incident electron energies of about one to three times of the threshold energy. The total production cross section and mean ionization cross section were obtained from the experimental results and by using mean fluorescence yield, respectively. The influence of electrons reflected from the substrate and multiple electron scattering inside the target have been corrected. The experimental results are compared with the existing measured results and the theoretical predictions.     

REB二极管的电场计算和实验研究

在百焦耳准分子激光实验中，采用了径向绝缘的大面积强流相对论电子束二极管（简称ＲＥＢ二极管）。对“天光一号”的ＰＦＬ线、有机玻璃隔板以及二极管腔内区域进行了二维轴对称电场计算，得到了直观的等位线图和电场分布图。结合二极管实验对计算结果进行了分析，用耐压因子概念解释沿面滑闪问题。另外，对一台焦耳级准分子激光加速器的二极管进行了优化电场设计。进行了有关改善三结合处电场分布的实验研究，给出三结合处电场强度在小于３ｋＶ／ｃｍ时，不会发生真空沿面击穿的结论。     

学习边讲边做实验的教学方法的体会

化学是一门以实验为根据的科学。历期本刊一再指出重视化学教学中的实验工作,以及如何改进教学中实验工作的宝贵经验和意见,尤其是去年本刊7月号有高同恩、贺健两同志所著的“介绍边讲边做实验的教学方法”一篇文章,文中具体地举出他们试行这一先进教法比“先讲后做实验”或“先做实验再讲”等方法有若干优点,以及在实施这一方法时应注意的事项。这以前我对学生应做的实验,也是采用先讲後做实验的方法,结果正如高、贺两同志所说的“缺点不少”,去年暑假我读了这篇介绍,暗中忖量了很久,结合学校的设备条件,     

关于统计识别的AIC准则

<正> 在时间序列分析与控制系统识别的应用中,AIC准则可以说是一个比较重要的突破性成果.这从它广泛应用于各个领域(甚至包括地质与天文)可以看出.也可从它的有关文献为人们广泛引用所看出. 在应用上,它解决了一个实际上是我们熟知的问题.例如回归问题.在平面上有n个点(x_i,y_i),i=1,2,…,n,配一个几次多项式曲线合适.通常是画一个图,凭直观     

Ti-Pd系的超导性

自从1912年Onnes发现世界上第一个超导合金其T_c略高于组成元素的自身值之后,人们不断地努力寻找比组成元素T_c值有较大幅度提高的各种组合,至今已找到了数以千计的超导合金和化合物.关于Ti-Pd系二元合金,Raub等人曾提过A-15结构的Ti_4Pd会有超导性,但尚未见到详细的研究报道,Ti-Pd系超导性的研究基本是空白.     

A—15型化合物的超导性经验规律

本文给出一张既能考虑A-15结构型变,又能描述A-15型化合物T_c(超导临界温度)变化规律的图。从而预言:所述A-15系列中大概不会存在T_c很高(>25K)的化合物;铌系列中Nb₃Ge的T_c可能是最高的;钒系列中T_c可望还能提高(>17.1K),V₃Ge可望提高到12K以上。检查Nb₃Si,得不到Geller那样的乐观估计,并认为:以新工艺得到的A-15相Nb₃Si,是以牺牲正当化学配比或改变正常原子体积为代价而获得的非理想结构。从T_c与半径比关系及理想A-15结构对半径比的要求来看,笔者认为文献上关于Nb₃Si在有较高T_c(>23K)的种种预言,都是缺乏充分依据而不足置信的。 关键词：     

141Nd激发态的在束γ谱学研究

通过¹³⁰Te(¹⁶O,5nγ)¹⁴¹Nd反应布居了¹⁴¹Nd的高自旋态能级.对反应产生的在束γ射线进行了γ射线单谱和γ–γ符合测量.建立了激发能达7614.5keV的¹⁴¹Nd能级纲图,新发现了12条γ射线和15个能级.基于实验测量的γ跃迁各向异性,建议了¹⁴¹Nd部分能级的自旋值.用一个h_11/2价中子空穴与¹⁴²Nd核芯晕态的耦合可以定性地解释¹⁴¹Nd的能级结构.