CR超导二极铁导线的3D有限元失超模拟

利用FEM软件ANSYS对德国GSI的FAIR项目的超导二极铁的超导线进行了失超模拟. 该模拟形象地给出导线的失超过程, 通过APDL编程可以得到失超传播速度, 失超时导体的端电压随时间的变化. 文章还进一步研究了导线的最小失超传播区域MPZ, 失超段初始温度和电流对失超传播速度的影响.     

CR环二极磁铁的磁场优化

FAIR项目中的CR环二极磁铁对磁场积分场的误差分布要求很高, 通过削斜与加载镜像板的方法是优化磁场的主要方法, 文中介绍了对二极磁铁优化方法和对它的处理方法. 利用削斜的方法来改变二极磁铁积分场的误差分布, 通过复杂的削斜, 已将其高场的误差分布优化到±2×10^－4. 加镜像板的方法主要适合高场, 而对低场的调节不明显. 另外处理方法的选取对结果的影响也很大, 文中对两种方法作了比较. 优化模拟计算软件采用的是专门的磁场计算工具OPERA.     

非埃尔米特正定线性系统的m步预处理的斜埃尔米特和反埃尔米特分裂方法（英文）

进一步研究了非埃尔米特正定线性系统的斜埃尔米特和反埃尔米特迭代方法,并在预处理的斜埃尔米特和反埃尔米特迭代方法的基础上,引入了m步多项式预处理子,证明了预处理的斜埃尔米特和反埃尔米特迭代方法在一定条件下是收敛的,而且得到了预处理的斜埃尔米特和反埃尔米特迭代方法的收缩因子.通过数值例子说明,对于非埃尔米特正定线性系统m步的预处理有效地加速了Krylov子空间方法,例如GMRES.     

基于阿特伍德机的连接体实验

借助阿特伍德机研究连接体有关问题,得到加速度的实验误差与连接体质量的关系并对加速度进行了修正,找到了有关滑轮连结体实验的最佳条件,进而推广到大学物理所有涉及连接体实验的最佳条件.     

准一维Cr基超导体RbCr3As3的超导能隙

RbCr₃As₃是具有[（Cr₃As₃）^-]_∞线性链的准一维超导体,超导转变温度约为6.6 K.对RbCr₃As₃单晶进行了电输运和极低温热输运性质的研究.低温下,拟合了RbCr₃As₃正常态电阻率随温度的变化,发现其满足费米液体行为.通过拟合超导转变温度随磁场的关系,得到RbCr₃As₃单晶的上临界场约为25.6 T.对RbCr₃As₃进行了零场下的极低温热导率测量,得到其剩余线性项为7.5 μW·K^-2·cm^-1,占正常态热导率值的24%.测量不同磁场下RbCr₃As₃的热导率,发现与单带s波超导体相比较,RbCr₃As₃剩余线性项随磁场增加相对较快.这些结果表明RbCr₃As₃单晶很可能是有节点的非常规超导体.     

冷压缩机转子的优化设计

冷压缩机作为液氦/超流氦低温制冷系统的核心部件之一,为了保证其运行的安全性和高效率,冷压缩机转子设计要能同时满足转子运行速度高、隔热效果好的要求,在转子设计时既要考虑转子动力学特性,又要考虑转子隔热效果。基于大型有限元分析软件ANSYS,分析了不同结构下的冷压缩机转子的临界转速,使设计额定转速工作在一阶弯曲临界转速以下,且留有一定裕量;为减小计算复杂程度,采用了热阻分析方法。将动力学仿真和热阻分析综合考虑,结果表明,通过在转子中设计局部中空薄壁结构并选择合适的尺寸,可得到优化的转子结构。     

表面在位化学与液相化学反应的关联和差别

作为一门化学与物理交叉的新兴学科,表面在位化学(on-surface chemistry)自诞生以来一直处于表面科学的研究前沿.表面在位化学反应既依托于传统溶液反应,又与传统液相化学反应有着明显的区别.传统溶液反应中的诸多经验、理论在表面在位化学反应中依旧适用,很多经典的溶液反应也能在表面上得以实现.然而,利用表面限域效应可以引发一系列在传统溶液反应中难以实现的,具有高精度、高选择性的化学反应,这使得表面在位化学在功能性大分子设计、合成化学以及新材料制备中显示出十分诱人的潜能.本文总结了一些具有代表性的表面在位化学反应,通过比较其与传统溶液反应路径和产物上的差别,归纳了表面在位化学的特点,并对这种"新型"反应手段未来将会面临到的机遇与挑战做出展望.     

超导螺线管的冷铁轭优化

介绍了超导螺线管的冷铁轭优化设计方法, 即采用均匀设计结合有限元软件Opera作为试验手段进行研究。 对该方法进行了举例说明, 并得到物理量与参数之间的关系式, 并验证了关系式的精度, 以此证明此优化方法的可行性。 A method of studying the effect about cold yoke on the superconducting solenoid is introduced in this paper. In this method the uniform design table was used to arrange experiments. And then these experiments were executed by OPERA software package. Finally, the results were analyzed by the Stepwise Regression Analysis. An example according to the method is described and the reliability of this method is also proved.     

基于新型空穴传输材料的有机电致发光器件的研究

利用真空蒸镀方法以N2,N7-二(间甲苯胺基)-N2,N7-二苯基-2,7-二胺基-9,9-二甲基芴[2,7-bis(pmethoxyphenyl-m'-tolylamino)9,9-dimethylfluorene,TPF-OMe]为空穴传输层、8-羟基喹啉铝[tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum,Alq3)]作为发光层及电子传输层,制备了双层器件.与制作的典型双层结构N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺[N,N'-biphenyl-N,N'-bis-(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'diamine,TPD/Alq3]器件相比,电流密度较大,发光效率低,发光谱峰为516 nm,色坐标为(0.30,0.53),为Alq3材料发光.以TPF-OMe为发光层兼空穴传输层,2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-l,10-phenanthroline,bathocuproine或BCP)为空穴阻挡层,Alq3为电子传输层,制作三层有机电致发光器件.结果表明,光谱峰值在414 nm,色坐标为(0.20,0.24),为蓝色光,是TPF-OMe材料本身发光,器件在15 V电压下电流密度为1137 mA/cm2,亮度为900 cd/m2,在3 V偏压下有最大流明效率,为0.11 lm/W.基于TPF-OMe材料的器件的击穿温度比基于TPD材料的器件高近20℃,原因可能在于TPF-OMe材料比TPD材料高19℃的玻璃化转变温度(Tg).     

基于NPB的蓝色有机电致发光器件的制备和表征

在常规的双层绿色有机电致发光器件氧化铟锡(ITO)/N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-biphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine(NPB)/8-hydroxyquinolinealuminum(Alq3)/Mg∶Ag的基础上,通过选择适当的空穴阻挡层材料,制备得到以NPB为发光层的蓝色发光器件,其结构为ITO/NPB/bathocuproine(BCP)/Alq3/Mg∶Ag,其最大亮度和最大流明效率分别达到2900cd/m2和0.55lm/W。电致发光谱峰位于445nm,CIE色坐标为(x=0.16,y=0.09),且二者都不随外加电压而变化;利用各功能层的能级结构,对不同结构的器件性能差异进行了分析。