电子型超导体Sm1.85Ce0.15CuO4单晶样品的制备和品质鉴定

本研究了助溶剂法生长了Sm2-xCeXCuO4单晶的可行性，制备出x=0.15,Sm2-x=CexCuO4单晶，并作了品质鉴定，为了研究坩埚中的Al掺入的情况，对电阻率和热电势进行了测量。     

多孔介质中的液氦在超流转变点附近的行为

本文分析了多孔玻璃中液氦在不同压力下在超流转变点T_c附近的ρ_s/ρ,得到超流指数ξ=0.663±0.55[ρ_s/ρ=A(1-T/T_c)~ξ],与前人的实验结果和临界现象理论一致,再次证明多孔玻璃中的液氦具有三维特征。在本实验中未发现象大块液氦中那样ρ_s/ρ与压力有关,而与多孔玻璃中~4He膜的实验结果一致。     

宏观量子现象和它的应用

一、引 言 一般说来,量子现象只能发生在微观的尺度(原子)上.当我们研究分子、原子、电子和核子等等一些微观粒子的运动时,才能明显看到量子力学效应,例如分子、原子光谱的不连续谱线.而当微观粒子数目足够大时,量子力学效应就不明显了,也就是说,过渡到了经典力学的范围.因此,人们常把量子力学称为“微观力学”.但是,对超导体和超流液态氦来说,由于它们具有独特的性质,量子力学效应能够在宏观的尺度上表现出来.这个思想早在1935年研究超导体的电动力学性质时,伦敦就提出来了[1],但是直到六十年代初才从实验上得到证实,并为人们所普遍接受.它…     

(La1-xSmx)0.185Sr0.15CuO4的输运性质的研究

通过对系列（La1-xSmx)0.185Sr0.15CuO4（x=0,0.05,0.10,0.15)的多晶样品在4.2K-300K的电阻率和液氮温区内的热电势的测量,发现（La1-xSmx)0.185Sr0.15CuO4的电阻率在高温区呈现出线性关系,其斜率也随着x的增大而增大,在x=0.10时达到最大,而在Tc到100K的温区,随着Sm含量的增加,则呈现出由金属行为到类半导体行为的转变,同时超导温度Tc也随着降低,液氮温区内的温差热电势反映了随着Sm含量的增加,体系的载流子浓度也随之降低。     

新型超导体MgB2的热电势和电阻率研究

测量了MgB₂的热电势和电阻率与温度的依赖关系.在100K—300K区间,热电势呈近似线性温度依赖关系,其斜率为正,表明载流子为空穴型且与能带贡献的图像相一致.与此对应,在此温区电阻率呈T²依赖关系.在100K以下,热电势和电阻率各自转变了其高温区的温度依赖关系.热电势在超导转变温度T_c(零电阻366K)到100K间有一宽峰,具有声子曳引峰的特征,表明电子-声子相互作用很强.估算了一些重要的参数,如带米能E_F、能带宽度 关键词： 新型超导体 热电势 电阻率     

La_(1-x)Sr_xMnO_3+ZLa_2O_3电磁性质研究

研究了La_(1-x)Sr_xMnO_3+ZLa_2O_3的电磁特性,解释了其中存在的两类不同类型的金属-半导体转变,提出了在基本保持材料铁磁性的情况下,可以方便地改变材料的电导特性,从金属型转变为半导体型,对半导体型材料,还可以方便地调节它的平均电导激活能。     

(Bi,Pb)_4Ca_3Sr_3Cu_4O_y系统的超导电性与相结构的关联

本文研究了两组单相样品Bi,PbCa_3Sr_3Cu_4O_y和Bi_4Ca_3sr_3Cu_4O_y的物相与超导电性之间的关系.发现两组样品同属4334相材料,但它们的超导电性存在很大差异.引起这种差别的原因可能来自于晶胞内部的原子排列,氧缺位的数目及其分布,以及电子结构等精细结构的不同.     

连续循环的^3He致冷机

本文介绍了一台实验室自制的连续循环~3He 致冷机.最低温度0.32K.在0.5K 时的制冷功率约1mw.所用~3He 气体5升(NTP).~3He 系统由机械泵和增压泵循环.机械泵由2XZ-4型改装.使用一年多未发现明显漏气.1K 减压池采用可调流阻的连续流式1K 板.     

Bi-2212单晶各向异性电阻率的研究

测量了从欠掺杂区域到过掺杂区域变化的一系列Ｂｉ２２１２单晶样品ａｂ平面内和ｃ方向电阻率ρａｂ．ρｃ随温度Ｔ的变化关系．按照几种不同模型分析了测量数据．比较两块处于过掺杂区域的Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋δ（单晶和Ｂｉ２－ｘＰｂｘＳｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋δ（单晶，发现尽管平面内电阻率ρａｂ与温度Ｔ依赖行为类似，且Ｔｃ值基本相同，但ｃ方向电阻率ρｃ与温度Ｔ的行为差别很大．这种氧空缺和离子取代的无序效应所造成ｃ方向电阻率ρｃ不同温度行为表明：无序的阻挡层（ｂｌｏｃｋｉｎｇｌａｙｅｒ）对于ｃ方向电阻率ρｃ有重要影响     

多晶样品SmxC60的电子输运性质研究

通过电阻和磁阻的测量，研究了多晶样品Sm_xC₆₀的电子输运性质．实验发现：Sm_xC₆₀的输运机制随ｘ的不同而发生变化．SmC₆₀的电阻率 温度关系可用涨落导致的隧道穿透模型解释，而Sm_2.75C₆₀的输运性质则可由弱局域化和电子-电子相互作用解释．Sm_2.75C₆₀的磁阻数据能用弱局域化和电子-电子相互作用模型很好地拟合，而SmC₆₀的磁阻数据则不能． 关键词：