2-取代苯并噻吩类化合物合成研究进展

2-取代苯并噻吩广泛的存在于天然产物中,独特的分子结构使其表现出了较高的药理和生物活性,常被用于药物化学和材料化学中。已有多种具有苯并噻吩骨架药物用于临床,故具有极高的研究价值。本文结合国内外学者对这方面的相关研究,重点对2-苯基苯并噻吩、2-酰基苯并噻吩和2-氨基苯并噻吩类化合物的合成方法进行了综述。     

纳米孔炭负载 MnOx 催化剂上苯甲醇氧化反应性能

 以纳米孔炭 (NC) 为载体, 采用浸渍法制备了一系列 MnOx/NC 催化剂, 并用于以空气为氧源的苯甲醇液相氧化反应. 通过 X 射线衍射、X 射线光电子能谱、N2 吸附-脱附和 H2-程序升温还原等手段对催化剂进行了表征, 考察了催化剂中 Mn 负载量和焙烧温度, 以及反应条件等对反应性能的影响. 结果表明, 10%MnOx/NC 催化剂的活性较高, 反应 4 h 后苯甲醇转化率可达 80.4%; 明显高于活性炭负载的 MnOx 催化剂. 这主要归因于其表面存在大量高分散、且易于还原的 Mn 物种.     

Wn C0,±(n=1,…,6)团簇结构与电子性质的理论研究

利用密度泛函理论(DFT)中的杂化密度泛函B3LYP在Lanl2dz基组水平上对WnC0.±(n=1,…,6)团簇的各种可能构型进行几何结构优化,得出它们的基态构型,并对基态构型的稳定性和电子性质进行理论研究.结果表明,当n＞3时,稳定构型从平面转变成立体结构,同时C原子趋向于表面最稳定;C原子的掺入使得Wn团簇的稳定...     

Radiation induced inter-device leakage degradation

The evolution of inter-device leakage current with total ionizing dose in transistors in 180 nm generation technologies is studied with an N-type poly-gate field device (PFD) that uses the shallow trench isolation as an effective gate oxide. The overall radiation response of these structures is determined by the trapped charge in the oxide. The impacts of different bias conditions during irradiation on the inter-device leakage current are studied for the first time in this work, which demonstrates that the worst condition is the same as traditional NMOS transistors. Moreover, the two-dimensional technology computer-aided design simulation is used to understand the bias dependence.     

液晶彩色显示

七十年代,液晶显示器(LCD)由于其独具的低电压、低功耗工作特性而得到迅速发展,其中扭曲场效应黑白显示已被广泛应用.近年来,日本、英国、瑞士、西德等国对液晶彩色显示的研究也相当活跃,并在应用于手表电视等方面获得成功. 液晶彩色显示与黑白显示一样,都是利用加电场后液晶分子排列状态发生变化,液晶盒的光学性质也随之变化的原理而构成液晶显示元件的.目前已经开发的液晶彩色显示技术按其工作方式可归为四大类:二色性方式、电控双折射方式、扭曲方式和胆甾方式.它们利用的主要液晶光学性质为:二色性、双折射、选择性反射、圆二色散和旋…     

交换环上矩阵保逆的模自同态

本文刻划交换环上全矩阵模保矩阵逆的自同态。     

金刚石表面金属化技术

一、问题的提出 金刚右依靠其无以伦比的高硬度以及优良的机械 性能,使得金刚石工具成为加工各种硬质材料所不可 缺少的工具.目前,我国金刚石工具制造业已迅速形成年耗数千万克拉金刚石、种类齐全的新型工业部门. 由于金刚石与一般金属合金之间的界面能很高, 金刚石颗粒不能为一般低熔点会金浸润,可焊性极差. 统观我国制造的各种金属基体的金刚石工具(如钻头、 锯片启轮、砂轮修正工具等),金刚石颗垃仅仅被机械 地镶嵌在金属基体之中,在使用时,金刚石极易脱落. 笔者从大量的实践中估测孕镶式金刚石工具中金刚石 利用率仅为 60%左右,这意味着…     

Effects of preparation parameters on growth and properties of β-Ga2O3 film

The Ga$_{2}$O$_{3}$ films are deposited on the Si and quartz substrates by magnetron sputtering, and annealing. The effects of preparation parameters (such as argon-oxygen flow ratio, sputtering power, sputtering time and annealing temperature) on the growth and properties ($e.g.$, surface morphology, crystal structure, optical and electrical properties of the films) are studied by x-ray diffractometer (XRD), scanning electron microscope (SEM), and ultraviolet-visible spectrophotometer (UV-Vis). The results show that the thickness, crystallization quality and surface roughness of the $\beta $-Ga$_{2}$O$_{3}$ film are influenced by those parameters. All $\beta $-Ga$_{2}$O$_{3 }$films show good optical properties. Moreover, the value of bandgap increases with the enlarge of the percentage of oxygen increasing, and decreases with the increase of sputtering power and annealing temperature, indicating that the bandgap is related to the quality of the film and affected by the number of oxygen vacancy defects. The $I$-$V$ curves show that the Ohmic behavior between metal and $\beta $-Ga$_{2}$O$_{3}$ films is obtained at 900 ${^\circ}$C. Those results will be helpful for the further research of $\beta $-Ga$_{2}$O$_{3}$ photoelectric semiconductor.     

计算杆件结构的自由度

为了简化和统一结构力学教材中杆件体系计算自由度W的算法,本文提出了"直接法"。该方法以相邻节点间的杆件和结点为分析对象,对于含m根杆件、g个单刚结点和h个单铰结点的平面杆件体系,直接法给出计算自由度公式W=3m-(3g+2h)。相比于已有方法,直接法研究对象清晰,数学运算统一,适合于编程计算,便于初学者准确而快速计算复杂体系的W;也为结构超静定次数的确定提供了一种简单有效的数值算法。