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Synergistic influences of titanium,boron, and oxygen on large-size single-crystal diamond growth at high pressure and high temperature 下载免费PDF全文
Guang-Tong Zhou 《中国物理 B》2022,31(6):68103-068103
The synergistic influences of boron, oxygen, and titanium on growing large single-crystal diamonds are studied using different concentrations of B2O3 in a solvent-carbon system under 5.5 GPa-5.7 GPa and 1300 ℃-1500 ℃. It is found that the boron atoms are difficult to enter into the crystal when boron and oxygen impurities are doped using B2O3 without the addition of Ti atoms. However, high boron content is achieved in the doped diamonds that were synthesized with the addition of Ti. Additionally, boron-oxygen complexes are found on the surface of the crystal, and oxygen-related impurities appear in the crystal interior when Ti atoms are added into the FeNi-C system. The results show that the introduction of Ti atoms into the synthesis cavity can effectively control the number of boron atoms and the number of oxygen atoms in the crystal. This has important scientific significance not only for understanding the synergistic influence of boron, oxygen, and titanium atoms on the growth of diamond in the earth, but also for preparing the high-concentration boron or oxygen containing semiconductor diamond technologies. 相似文献
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材料的载流子浓度和迁移率是影响器件性能的关键因素, 变温Hall测试结果证明杂质掺杂AlGaN中的载流子浓度和迁移率随温度 降低而减小.然而极化诱导掺杂的载流子浓度和迁移率不受温度变化的影响.以准绝缘 的GaN体材料作为衬底, 在组分分层渐变的AlGaN中实现的极化诱导掺杂浓度 仅仅在1017 cm-3数量级甚至更低. 本研究采用载流子浓度为1016 cm-3量级的非有意n型掺杂GaN模板为衬底, 用极化诱导掺杂技术在分子束外延生长的AlGaN薄膜材料中实现了高 达1020 cm-3 量级的超高电子浓度. 准绝缘的体材GaN半导体作衬底时, 只有表面自由电子作为极化掺杂源, 而非有意掺杂的GaN模板衬底除了提供表面自由电子外,还能为极化电场 提供更多的自由电子"源", 从而实现超高载流子浓度的n型掺杂. 相似文献
83.
84.
Monte Carlo study of the universal area distribution of clusters in the honeycomb O(n) loop model 下载免费PDF全文
We investigate the area distribution of clusters (loops) in the honeycomb O(n) loop model by means of the worm algorithm with n = 0.5, 1, 1.5, and 2. At the critical point, the number of clusters, whose enclosed area is greater than A, is proportional to A-1 with a proportionality constant C. We confirm numerically that C is universal, and its value agrees well with the predictions based on the Coulomb gas method. 相似文献
85.
86.
采用聚合和掺杂同时进行的反向胶束体系制备了粒径分散较小的聚3,4-乙烯二氧噻吩(PEDOT)纳米粒子, 利用紫外-可见光光谱(UV-Vis)、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等分析方法对纳米粒子进行了表征. 实验结果发现, 氧化剂用量、超声处理、聚合温度及掺杂程度对PEDOT纳米粒子的形貌、电性能及热稳定性有不同程度的影响. 根据实验结果对反向胶束法制备PEDOT纳米粒子过程进行优化发现, 在PEDOT纳米粒子聚合过程中, 甲基苯磺酸有效掺杂浓度约为0.17 mol/L时, PEDOT链的取向最规则, 在6.7°, 12.7°, 25°出现衍射峰, 掺杂剂的有效掺杂使得纳米粒子中分子链的取向不同, 并可以获得较高的电导率(>100 S/cm)的PEDOT纳米粒子, 当粒子的尺寸小于20 nm后电导率降低; 热失重法(TG)分析结果表明, PEDOT纳米粒子的热稳定性比普通块材好, 掺杂剂浓度对纳米粒子的热稳定性有一定影响. 相似文献
87.
This paper reports that an experimental investigation of fast pitch angle scattering(FPAS) of runaway electrons in the EAST tokamak has been performed.From the newly developed infrared detector(HgCdTe) diagnostic system,the infrared synchrotron radiation emitted by relativistic electrons can be obtained as a function of time.The FPAS is analysed by means of the infrared detector diagnostic system and the other correlative diagnostic systems(including electron-cyclotron emission,hard x-ray,neutrons).It is found that the intensity of infrared synchrotron radiation and the electron-cyclotron emission signal increase rapidly at the time of FPAS because of the fast increase of pitch angle and the perpendicular velocity of the energetic runaway electrons.The Parail and Pogutse instability is a possible mechanism for the FPAS. 相似文献
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89.
以苯甲酰氯及其衍生物、邻氨基苯硫酚等为原料, 通过与无水三氯化铱及乙酰丙酮配合, 合成了一系列新型的取代2-苯基苯并噻唑合铱(Ⅲ)的乙酰丙酮类配合物有机磷光材料, 并对产物进行了核磁、红外、质谱和元素分析等结构表征及溶解性能、热稳定性和紫外吸收光谱、荧光光谱等发光性能的研究. 结果表明, 此类配合物在二甲亚砜和三氯甲烷等有机溶剂中具有良好的溶解性; 配合物分解温度高, 可达338~360 ℃, 具有较高的热稳定性, 其高温升华现象十分有利于真空热蒸镀薄膜的制备; 此类配合物在紫外-可见吸收光谱上的250~350 nm处出现了强的配体自旋, 允许单重态π-π*跃迁吸收峰, 在400~530 nm处出现了配合物分子内金属铱到配体的单重态和三重态电荷跃迁吸收峰(1MLCT和3MLCT); 同时, 该类铱(Ⅲ)配合物在发射光谱560~600 nm处出现了强的黄光发射, 并且在室温下表现出较高的荧光量子效率. 相似文献
90.
带有阻尼项的广义对称正则长波方程的指数吸引子 总被引:2,自引:0,他引:2
考虑了带有阻尼项的广义对称正则长波方程的整体快变动力学.证明了与该方程有关的非线性半群的挤压性质和指数吸引子的存在性.对指数吸引子的分形维数的上界也进行了估计. 相似文献