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101.
设计一种基于STM32单片机的老年人跌倒提醒装置,本装置由STM32F429BIT6控制器为核心,采用蜂鸣器和陀螺仪作为警报装置,通过GPS定位和通信模块将位置短信传输给用户子女。本装置使用的陀螺仪为三轴加速度传感器,通过对比测量的人体倾斜角度与设定阈值来判断老年人是否有跌倒行为,若判断有跌倒行为即通过STM32拉高对应引脚电平,蜂鸣器接受命令开始警报,同时GPS模块抓取用户实时位置发送给ATK-IDM750C模块,利用AT指令向用户子女发送包含老年人详细位置的短信。此系统帮助保护老年人人身安全,且安全高效、数据可靠、便捷准确,大大地提高了老年人跌倒后的营救效率,能有效保障老年人人身安全。 相似文献
103.
采用线性扫描伏安法和循环伏安法研究了芦丁在亲水性离子液体1-丁基-3-甲基四氟硼酸盐([bmim]BF4)中的电化学行为, 讨论了扫描速度、富集时间及温度等因素对其电化学行为的影响. 结果表明, 芦丁在[bmim]BF4中的电极过程是一个受吸附控制的准可逆过程, 电子转移数为2, 标准速率常数ks=0.126 s-1. 同时, 分别考察了水及乙醇对芦丁氧化还原特性的影响, 结果发现, 随着水或乙醇含量的增加, 芦丁的峰电位负移, 峰电流增加, 且水的影响比乙醇的影响明显. 在离子液体-水体系中, 芦丁的峰电流与浓度在4.0×10-5~1.4×10-4 mol/L范围内呈良好的线性关系, 检出限为1.0×10-5 mol/L, 有望用于芦丁含量的分析测定. 相似文献
104.
2010年7月28日,国家税务总局(以下简称“国税总局”)发布了《关于企业股权投资损失所得税处理问题的公告》(国家税务总局公告2010年第6号,以下简称‘《公告》’),明确了关于企业股权投资损失在扣除时间方面的税务处理。该《公告》是在《财政部、国家税务总局关于企业资产损失税前扣除政策的通知》(财税[2009]57号,以下简称“57号文”)、 相似文献
105.
106.
107.
利用核磁共振化学位移变化, 自旋-自旋弛豫和2D NOESY(two-dimensional nuclear Overhauser enhancement spectroscopy)研究了一系列新合成的双取代烷基苯磺酸盐的胶束化. 结果表明, 邻位取代的是正烷烃链, 间位取代的是支烷烃链. 而且, 邻位取代的烷烃链越长, 参与形成胶束疏水核表面层的亚甲基个数越多. 因此, 每个分子在饱和吸附的油水界面上的面积越大. 间位取代的分支链在胶束疏水核中堆积得没有邻位取代的正烷烃链紧密. 分支链越短, 堆积得越不紧密. 描述了胶束中分子的相对排列. 相似文献
108.
109.
利用沉淀法制备了纳米Ru催化剂, 在ZnSO4存在下考察了Na2SiO3·9H2O和二乙醇胺作反应修饰剂对Ru催化剂催化苯选择加氢制环己烯性能的影响, 并用X-射线衍射(XRD)、X-射线荧光光谱(XRF)和透射电镜-能量散射谱(TEM-EDS)等物理化学手段对加氢前后Ru催化剂进行了表征。结果表明, 在水溶液中Na2SiO3与ZnSO4可以反应生成Zn4Si2O7(OH)2H2O盐、H2SO4和Na2SO4, 化学吸附在Ru催化剂表面上的Zn4Si2O7(OH)2H2O盐起着提高Ru催化剂环己烯选择性的关键作用。Na2SiO3·9H2O量的增加, 生成的Zn4Si2O7(OH)2H2O盐逐渐增加, Ru催化剂的活性降低, 环己烯选择性逐渐升高。向反应体系中加入二乙醇胺, 它可以中和Na2SiO3与ZnSO4反应生成的硫酸, 使化学平衡向生成更多的Zn4Si2O7(OH)2H2O盐的方向移动, 导致Ru催化剂环己烯选择性增加。当Ru催化剂与ZnSO4·7H2O、Na2SiO3·9H2O和二乙醇胺、分散剂ZrO2的质量比为1.0:24.6:0.4:0.2:5.0时, 2 g Ru催化剂上苯转化73%时环己烯选择性和收率分别为75%和55%, 而且该催化剂体系具有良好的重复使用性和稳定性。 相似文献
110.
Single-walled carbon nanotubes (SWNTs) were synthesized by pyrolyzing
methane (CH4) at a temperature of 900℃ on SiO2 substrates
pre-coated with iron nano-particles. Electrical contacts were fabricated
onto one of the SWNTs by using an electron beam lithography process. Coulomb
blockade and single-electron tunnelling characters were found at low
temperatures, indicating that the SWNT in-between the electrodes forms a
quantum dot. It is found that the Coulomb gap of the quantum dot is about
8.57 meV, and the factor \alpha , which converts the gate voltage to the
true electrostatic potential shift, is around 200 for this device. 相似文献