单延迟三阶,四阶相关函数确定超短光脉冲形状

本文提出用单延迟三阶、四阶相关函数,经傅里叶交换获得脉冲形状的方法.在实验上用克尔快门测量了YAG被动锁模激光脉冲的三阶和四阶相关函数,并用该方法获得脉冲形状.文中还讨论了脉冲对称性对恢复脉冲的影响.     

晶体光纤及晶体衍生光纤制备与应用综述

晶体光纤是一种新型的高性能光纤材料,具有稀土离子掺杂浓度高、传光性好、耐高温、耐腐蚀等优点.晶体光纤在激光及传感方面具有巨大的应用潜力,然而至今还没有成功制备出真正意义上的同时具有晶体纤芯和晶体包层的小芯径晶体光纤.与传统的玻璃光纤相比,晶体光纤的制备工艺更加复杂,如何对晶体光纤制备工艺进行完善和创新是当前需要解决的重要问题.为了探索提高晶体光纤质量的途径,本文以晶体光纤的四种制备技术为主线,回顾了晶体光纤及其制备方法的发展历程,讨论了每种制备方法的局限性,对晶体光纤目前的应用状况进行了总结,并对其未来发展趋势进行了展望.     

Finite element analysis of stress and strain distributions in InAs/GaAs quantum dots

In this paper, we perform systematic calculations of the stress and strain distributions in InAs/GaAs truncated pyramidal quantum dots (QDs) with different wetting layer (WL) thickness, using the finite element method (FEM). The stresses and strains are concentrated at the boundaries of the WL and QDs, are reduced gradually from the boundaries to the interior, and tend to a uniform state for the positions away from the boundaries. The maximal strain energy density occurs at the vicinity of the interface between the WL and the substrate. The stresses, strains and released strain energy are reduced gradually with increasing WL thickness. The above results show that a critical WL thickness may exist, and the stress and strain distributions can make the growth of QDs a growth of strained three-dimensional island when the WL thickness is above the critical value, and FEM can be applied to investigate such nanosystems, QDs, and the relevant results are supported by the experiments.     

说话人辨认中有效参数的研究

说话人辨认技术是语音识别中的一项重要应用，在我们研究的系统中，LPC参数并不是都很有效，我们用统计分析方法对12个预测系数、12个部分相关系数、12个对数面积比系数、12个倒谱系数、12个相关系数、短时能量、短时平均过零率及基音共63个参数，进行方差比检验，用10名男青年的三个元音的发音，在半年内采集97种语音作为试验材料，选出15个方差比比较大的作为识别参数，识别率为89.19%，采用样本刷新技术后，识别率达到97.3%。     

各种工艺因素对固着磨料抛光的影响

<正> 一、前言在光学加工技术中,一种全新的抛光方法——固着磨料抛光,已引起光学行业的普遍关注。其原因,是在于这种抛光方法,具有效率高、质量好、成本低和污染小等优点,特别是对中等尺寸、中等精度,批量生产的光学零件十分适合。为改变光学零件制造技术中落后的抛光工艺,提高经济效益,将起重要作用。固着磨料抛光是依赖于固着在抛光模中的磨料去完成抛光任务。在抛光的全过程中,抛光液中不需添加抛光粉,因而不同于传统的散粒磨料抛光方法。影响固着磨料抛光效果的工艺因素很多,诸如:机床参数、抛光模、玻璃材料、抛光液和加工时间等。因此,开展对以上各方面工作的研究,是必要和有意义的。这对合理选择各     

非晶态Nd_xT_(1-x)(T=Fe,Co,Ni)薄膜的低温磁性

本文讨论了非晶态Nd_xT_(1-x)(T=Fe,Co,Ni)薄膜为滋结构,以及在低温下磁化强度随温度变化的反常特性,在20K附近观测到磁化强度有陡降现象,并且在较大的成份范围内所对应的温度基本不变,我们认为,在这类非晶态合金中,当Nd含量超过一定值后,其磁中性态(通称基态)可能同时是散反铁磁性和散铁磁性的共存态,在20K附近的磁化强度发生陡降,是散反铁磁性←→顺磁性相转变的反映,这两种磁结构共存的临界成份相应约为:Nd-Fe情况x≥0.45;Nd-Co,x≥0.20;Nd-Ni,x≥0.08。     

无孪晶的LaBa_(2-x)Ca_xCu_3O_y系统的磁临界电流

测量了无孪晶的LaBaCaCu_3O_y和LaBa_(1.5)Ca_(0.5)Cu_3O-y的磁临界电流J_c,其数值及随温度的变化都与YBa_2Cu_3O_y系统比较接近,而与Tl_2Ba_2ca_2Cu_3O_y明显不同。这表明孪晶并不是使这些材料的临界电流有差别的主要因素。     

中子辐照熔融织构YBa_2Cu_3O_y的临界电流

测量了中子辐照熔融织构YBa_2Cu_3Oy样品从1.5 K到85K之间一系列温度下的磁化曲线。磁场H平行于c轴时,在6K观察到磁通跳跃。中子辐照可使临界电流提高一个数量级。分析了临界电流的各向异性,辐照增强与磁场的关系和主要的钉扎中心。讨论了磁通跳跃的物理模型。     

非晶态RE—TM(RE=Nd,Pr,TM=Fe,Co,Ni)薄膜的磁性和Pr的变价行为

本文通过对非晶态轻稀土Pr,Nd和过渡族金属Fe,Co,Ni薄膜合金的低温磁性研究,分别得到了(Pr,Nd)_x-(Fe,Co,Ni)_1-x合金中Pr,Nd和Fe,Co,Ni金属磁矩随成份x的变化,并且通过对磁矩的研究得到Pr离子的4f电子可能有退局域化的结论。 关键词：     

赝二元化合物Dy(Fe_(0.9)M_(0.1))_2(M=B,Al,Ga)的磁性研究

研究了赝二元化合物Dy(Fe_(0.9)M(0.1))_2(M=B,Al,Ga)的磁性。M对Fe的置换,使居里温度下降,Fe原子的磁矩改变。矫顽力随温度的降低,增加很快,增加的幅度与M有关。磁化强度的温度关系,在磁场小于临界值时,出现反常和热磁效应。用Fe原子局域环境的变迁和低温下内禀磁硬度的急剧增加,解释了上述现象。