基于PSO-SVR算法的氧乐果合成过程建模研究

针对氧乐果合成过程中温度控制具有参数时变、时滞后、非线性的特点,提出了一种基于改进粒子群算法的支持向量回归的建模方法。对于支持向量回归模型,3个参数(ε,C,γ)的选取很大程度上决定了其拟合的精度和泛化能力的好坏,采用改进的粒子群算法对参数(ε,C,γ)进行同时寻优,建立了改进的氧乐果合成过程PSO-SVR回归模型,该模型具有很好的学习能力和推广能力。实验结果表明,模型较好地体现了系统的动态特性,可用于氧乐果合成过程的模型预估控制,提高系统的控制品质。     

阴离子聚合PA6与苎麻纤维复合反应中的阻聚与变色机理的研究

通过浇注成型的方法研究并发现了苎麻纤维与阴离子聚合尼龙6(APA-6)反应加工过程中严重的阻聚和变色问题.为了分析阻聚和变色的机理并寻找解决方案,选取了3种不同的引发剂(氢氧化钠、己内酰胺钠盐和己内酰胺溴化镁)分别与微晶纤维素(MCC)在150℃的真空条件下反应.然后分别采用傅里叶变换红外光谱、原子吸收光谱、X-射线衍射和核磁共振波谱表征了引发剂和MCC反应前后的变化.结果证明,阻聚和变色的机理是在强碱性和高温条件下,纤维素发生了剥皮反应,产生的副产物又极易与引发剂反应,因此导致APA-6中起引发作用的己内酰胺阴离子被消耗,从而使得聚合反应终止.另外,由于己内酰胺溴化镁(C1)的低活性和弱碱性,使得剥皮反应很大程度的降低,进而避免了引发剂阴离子的消耗,从而使得阻聚和变色问题得到明显改善,最终实现了通过反应加工的方法制备APA-6与苎麻纤维复合材料的目的.     

含锆碳硅陶瓷先驱体的半经验理论研究

采用PM6方法对添加了配体Zr(AcAc)4,Zr(NH(C2H5))4,ZrCp2Cl2,ZrCp2ClH形成的16种含锆碳硅陶瓷先驱体(PZCS)和PCS(10)的几何结构、电子属性、反应能进行了系统的理论研究,结果表明:(1)大体积的Zr(AcAc)4带来的的空间效应并未过多的影响Si—Zr键的键长;(2)从单配体衍生物到对应的多配体衍生物HOMO-LUMO能隙趋向于减小,配体Zr(NH(C2H5))4得到的衍生物的能隙下降幅度最大.ZrCp2Cl2得到的衍生物的能隙比对应的ZrCp2ClH的能隙要大;(3)16种PZCS的反应能均为负值,随配体数的增加,Zr(NH(C2H5))4的衍生物的反应能减小,而其他三种配体的衍生物的反应能增大.     

水和白酒中异味物质检测的研究进展

综述了水和白酒中异味物质检测的样品前处理方法(包括液液萃取、固相萃取、液相微萃取、固相微萃取、搅拌棒吸附萃取、吹扫捕集、顶空等)和检测方法(包括气相色谱法、气相色谱-质谱法、气相色谱-飞行时间质谱法)的研究进展(引用文献52篇)。     

利用循环伏安法模拟技术理解电极过程可逆性**

循环伏安法测定电极过程可逆性实验在仪器分析实验中有着重要的意义。现行的实验设计中一般将铁氰化钾作为氧化还原反应研究的对象。由于铁氰化钾/亚铁氰化钾的氧化还原过程在电化学上可逆,学生通过实验很难理解电化学不可逆的过程,不易区分可逆和不可逆过程。本文利用循环伏安模拟的方法,通过改变电子转移速率常数(k0),得到不同的循环伏安谱图,结合课本上对于可逆性的判据(Epa-Epc=0.056 V/n,ipaipc≈-1)来解释不同的电子转移速率对于电极过程可逆性的影响。     

具有界时滞和分布时滞的反应扩散神经网络的指数同步

本文研究了一类具有界时滞和分布时滞的反应扩散神经网络的状态变量在边界为零的条件下驱动系统和响应系统的指数同步性,得到了其驱动系统和响应系统指数同步的充分条件。     

Anomalous magnetic properties of an iron film system deposited on fracture surfaces of α-Al2O3 ceramics

An iron film percolation system is fabricated by vapour-phase deposition on fracture surfaces of α-Al2O3 ceramics. The zero-field-cooled （ZFC） and field-cooled （FC） magnetization measurement reveals that the magnetic phase of the film samples evolve from a high-temperature ferromagnetic state to a low-temperature spin-glass-like state, which is also demonstrated by the temperature-dependent ac susceptibility of the iron films. The temperature dependence of the exchange bias field He of the iron film exhibits a minimum peak around the temperature T=5 K, which is independent of the magnitude of the cooling field Hcf. However, for T 〉 10K, （1） He is always negative when Hcf=2kOe and （2） for Hcf= 20 kOe （1Oe≈80 A/m）, He changes from negative to positive values as T increases. Our experimental results show that the anomalous hysteresis properties mainly result from the oxide surfaces of the films with spin-glass-like phase.     

Dynamical Lie algebra method for highly excited vibrational state of asymmetric linear tetratomic molecules

The highly excited vibrational states of asymmetric linear tetratomic molecules are studied in the framework of Lie algebra. By using symmetric groupU ₁(4)U ₂(4)⊗U ₃(4), we construct the Hamiltonian that includes not only Casimir operators but also Majorana operators M₁₂, M₁₃ and M₂₃, which are useful for getting potential energy surface and force constants in Lie algebra method. By Lie algebra treatment, we obtain the eigenvalues of the Hamiltonian, and make the concrete calculation for molecule C₂HF.     

钨酸锌晶体的受激拉曼散射和光致发光研究

采用皮秒532nm 激光激发，研究了ZnWO₄晶体的受激拉曼散射和本征荧光发射.在SRS光谱中观察到一级(558.7nm)和二级(588.6nm)斯托克斯光，线宽分别为130和77cm^－1, 一级斯托克斯光的抽运阈值为6.8mJ.在532nm激光抽运下ZnWO₄晶体的荧光光谱呈现出由能量为2.30，2.45和2.83eV的3个高斯分量组成的独特结构.光致发光表明晶体具有从400nm到650nm的宽带本征发光，其峰值波长为472.0nm，相应于钨氧之间的辐射跃迁. 关键词： 晶体 钨酸锌 受激拉曼散射 闪烁体     

Ab Initio Comparative Study of Zincblende and Wurtzite ZnO

By employing the first-principles pseudopotential plane-wave method, the physical properties of zincblende ZnO are investigated in comparison with those of the common wurtzite structure. Zincblende ZnO is predicted to be a direct gap semiconductor. Compared to the wurtzite structure, the zincblende ZnO is characterized by smaller bandgap and pressure coefficient, larger electron effective mass, increasing static dielectric constants and more covalent bonding. Furthermore, the optical properties including dielectric function and energy loss function of zincblende ZnO were obtained and analysed with some features. These aspects reveal promising applications of zincblende ZnO in optoelectronic devices.