采用热丝辅助的新型微波电子回旋共振法制备高质量的氢化非晶硅薄膜

采用热丝辅助的新型微波电子回旋共振法制备了高质量的氢化非晶硅薄膜。在制备过程中，热丝对改进薄膜微结构，提高稳定性及光电特性方面起到了重要的作用。实验结果表明：在薄膜的微结构中，硅氢二键含量显著减少并出现了少量微晶相，其有利于改善薄膜的稳定性；在薄膜的光电特性方面，薄膜的沉积速率及光敏性分别达到了2.0nm/s和4.71*105以上。     

非晶半导体薄膜最新进展

介绍了非晶半导体薄膜的结构特点和在光电器件上的独特性能，给出了薄膜器件的发展太平和制膜技术、制膜设备的研究现状。     

VISAR数据处理新方法及程序

分析了不同VISAR数据处理方法的原理 ,并在此基础上开发了新的VISAR数据处理程序。该程序采用极坐标法作为计算内核 ,消除了各路信号的不灵敏区 ;计算所需的各个参数相位差、振幅因子的比值 等采用参数拟合的方法从实验信号本身得出 ;程序可以处理信号缺失的情况 ,当四路信号只取得三路时 ,数据处理能照样进行 ;程序的后期处理功能可以判断丢失条纹的数目并恢复速度历史。初步讨论了参数误差对结果的影响。     

用射频溅射法制备立方氮化硼薄膜

利用射频溅射方法在n型Si(111)衬底上制备出立方相含量接近100%且粘附性较高的立方氮化硼(c-BN)薄膜.傅里叶变换红外谱(FTIR)的结果表明，基底负偏压对薄膜立方相含量和薄膜压应力有很大影响，另外，衬底的电阻率对c-BN生长和薄膜的压应力也有一定的影响. 关键词： 立方氮化硼 射频溅射 压应力 基底负偏压     

聚偏二氟乙烯晶体的电子结构和光学性质

利用含Tkatchenko-Scheffler(TS)色散修正的密度泛函理论的第一性原理方法对九种聚偏二氟乙烯(PVDF)晶相的电子结构和光学性质进行了计算.结果表明,PVDF晶体作为一种绝缘体,能带具有密集且平直等特征,其带隙值在6.05-7.34 eV之间,且和实验值接近.价带主要是F原子的2s和2p态起主要贡献,导带主要由C原子的2p态和H原子的1s态共同参与构成.在0-35 eV光子能量范围内,介电函数、吸收率、反射率和折射率等光学性质发生变化主要在深紫外区域.根据介电函数等光学参数的谱特点,可以将九种PVDF的晶相划分为{Ip},{IIpu},{IIau,IIad,IIpd,IIIpu},{IIIau,IIIad,IIIpd}等四类,每一类都具有相似的光学参数特点.     

a-C:H薄膜的光致发光

利用射频辉光放电法沉积a-C:H薄膜,研究不同测量温度、不同退火温度光致发光光谱的变化,以及光致发光光谱随光子能量的变化,实验表明:随着测量温度的升高发光效率降低,用非晶碳网络的二相系统模型对这些结果作了解释。另外,光致发光光谱也随着激发光能量的不同而变化,当激发光能量接近光学带隙E_opt时,发光强度最高。 关键词：     

用紫外光电子能谱研究a-Si1-xCx:H的价带特性

用UPS技术获得了GDa-Si_1-xC_x:H合金薄膜的价带谱,分析了掺杂和表面氧化对价带谱的影响,并结合XPS,AES等电子能谱测试手段,对这种材料的价电子分布和键合特性作了初步的研究。 关键词：     

高时空分辨线成像VISAR在爆轰波物理中的应用

为弥补离散多点激光干涉测速技术空间分辨力弱、系统复杂和成本高的缺点,研制了一套适用于爆轰波物理诊断的高时空分辨的线成像VISAR,其响应时间小于400ps,在约12mm线视场时空间分辨小于100μm。将该仪器应用到空腔驱动平面靶、空腔驱动台阶靶、接触爆轰驱动双样品靶和接触爆轰驱动楔形复合靶的爆轰实验诊断中,实验结果体现了线成像VISAR超高的连续空间分辨能力。线成像VISAR技术将能为爆轰波物理领域中的某些特殊测速需求提供技术支持。     

检测摄影物镜工作部分的光电仪

目前,检测摄影物镜工怍部分,基本上采用目测法或摄影法检测的仪器。上述检测方法是主观的,采用这些检测方法(特别是摄影法)过程很繁锁,随着操作者的迅速疲劳会导致大量的偶然误差。参考文献[1]中指出,摄影物镜在最后装配和调校时,必须有实现新的光电检测法的三种自动检测仪器。     

用XPS研究GD-a-Si_xC_(1-x):H膜中等离子体激元的特征

对于GD-a-Si_xC(1-x):H薄膜进行了XPS分析,得到了一些与Katayama相类似的结果。本文将给出GD-a-Si_xC_(1-x):H样品的价电子等离子激元(Plasmon)的频率ω_p以及原子浓度(N_(si) N_C N_H)随样品含碳量的变化,Si2p和C1s芯电子结合能随含碳量变化的化学移动,并对这些结果进行了初步的分析。