(113)面硅衬底上自组织生长的GeSi量子点及其光荧光

用透射电子显微镜观察了Si(113)衬底上由固态源分子束外延生长的自组织量子点的形貌,测量了其原生及退火后低温下的光荧光谱.对所得结果进行了分析. 关键词：     

高斯相关随机表面及其光散射散斑场的模拟产生和光强概率分析

提出了模拟产生高斯相关随机表面的方法,并模拟产生了这类表面在夫琅禾费面上产生的散斑场.以模拟产生的10000个随机表面作为表面样本系综,对具有不同粗糙度和横向相关长度的表面系综在夫琅禾费面上各点产生的散斑光强系综的概率密度分布进行了分析.发现：(1)散斑场的高斯和非高斯特性在空间上按一定的区域分布,并非整幅散斑图皆为高斯或非高斯散斑;(2)散射表面只包含少数散射颗粒时也可以形成高斯散斑. 关键词：     

C28H4-nCln(n=1~3)与CH4-nCln(n=1~3)的结构和电子光谱的理论研究

用INDO系列方法对C28H3Cl, C28H2Cl2, C28HCl3, CH3Cl, CH2Cl2, CHCl3进行了几何构型优化, C28H3Cl, C28HCl3, CH3Cl, CH3Cl为C3v对称性,C28H2Cl2, CH2Cl2为C2v对称性, 这六个分子的基态都是稳定闭壳层分子, 以此构型为基础计算了上述分子的电子光谱, C28H4-nCln(n=1~3)的电子光谱属于理论预测性质。     

J－J方程组的渐近惯性流形*

本文构造了Liapunov泛函,得出了Josephson结中的sine-Gordon方程组的高模态的衰减性质,从而给出了渐近惯性流形。     

聚对苯硫醚掺杂前后的能带结构与导电性的从头计算研究

本文采用LCAO-CO/SCF ab initio方法计算了聚对苯硫醚掺杂前后的能带结构、电荷分布等。由此探讨了聚对苯硫醚可能的导电机理, 定量地研究了其结构与导电性的关系。     

The research of longtime dynamic behavior in weakly damped forced KdV equation

I.IntroductionTheKorteweg-deVries(KdV)equationul uu, u.;:=o(l.1)wasinitiallyder1vedasamodelforonedirectionallongwaterwavesofsmal1amplitudepropagatinginachannel.SincetheworkofKorteweganddeVries,ithasbeenshownthatthisequationoccursinalargevarietyofphysicals…     

红外光谱研究以非离子型表面活性剂所组成微乳液的水结构

由烷基聚氧乙烯醚(AEO9)/正己醇/正十六烷/水所组成的微乳液,采用红外光谱对水内核的微观结构进行研究。以水分子的OH伸缩振动谱带, 由高斯分布曲线面积得出不同结构水的含量。只有少量水与表面活性剂结合, 另有部分水束缚于聚氧乙烯链段之间, 这些水与水相中的自由水呈动态平衡。当体系在剧烈振动后, 少量结合水转为束缚水, 静止后又恢复原状。     

一类离散SIRS传染病模型的Lyapunov函数

研究了两类离散SIRS传染病动力学模型.得到了无病平衡点和地方病平衡点的全局稳定性.通过归纳法得到了解的正性与有界性,并构造适当的离散的Lyapunov函数,得到无病平衡点和地方病平衡点的全局渐近稳定性的判别准则,且平衡点的全局稳定性由阈值来完全决定.     

COMPOSITE PARTICLE REPRESENTATION METHOD FOR BARYON SPECTRUM

In this paper, the baryon is regarded as a two-body system which consists of a diquark and a quark. The baryon spectrum is calculated by means of the composite particle represenEation based on the nonrelativistic potential model.The effectfve quark potential is determined by fitting the meson spectrum. Therefore, there is only one adjustable parameter in the calculations, and that is the harmonic oscillator frequency. ω in the single-quark basis. The theoretical results are reasonably consistent with the experimental data.     

Si(111)外延GaN的表面形貌及形成机理研究

用高温AlN作缓冲层在Si(111)上外延生长出GaN薄膜.通过对薄膜表面扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)的分析,确定缓冲层对外延层形貌的影响,分析解释了表面形貌中凹坑的形成及缓冲层生长温度对凹坑的影响.结果表明:温度的高低通过影响缓冲层初始成核密度和成核尺寸来影响外延层表面形貌.